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無線電子工学および電気工学の百科事典
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強力な電界効果トランジスタ KP784A。 参照データ

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無線電子工学と電気工学の百科事典 / 参考資料

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保護ダイオードを内蔵した、絶縁ゲートとチャネル強化を備えたシリコン p チャネル トランジスタ KP784A は、エピタキシャル プレーナ技術を使用して製造されています。これらのデバイスは、トランスレス入力を備えた二次電源、連続およびパルス制御を備えたレギュレータ、スタビライザおよび電圧コンバータ、コンピュータの電源ユニット、電気モーター駆動装置、およびその他の幅広い用途の機器で動作するように設計されています。

トランジスタは、硬質スタンプされた錫メッキ端子を備えたプラスチック ケース KT-28-2 (TO-220AV) に収容されています (図 1)。

強力な電界効果トランジスタKP784A

デバイスの重量-2,5g以下。

トランジスタKP784A - IRF9Z34の外国のアナログ。

主な技術的特徴

  • 0,25 mA のドレイン電流および接続されたゲートとソースでのしきい値電圧 V.....2...4
  • オープンチャネル抵抗、オーム、それ以上、パルス幅が 300 μs 以下、デューティ サイクルが少なくとも 50、ドレイン電流が 11 A、ゲート-ソース間電圧が 10 V....0,14
  • ドレイン・ソース間電圧が 60 V、ゲート・ドレイン間電圧がゼロの場合、残留ドレイン電流 µA はゼロ....100
  • ゲート・ソース間電圧 ±20 V、ドレイン・ソース間電圧ゼロの場合、ゲート・リーク電流 µA 以上....±0,1
  • 電流-電圧特性の傾き A/V、パルス幅 300 ms 以下、デューティ サイクル 50 以上、ドレイン-ソース電圧 25 V、ドレイン電流 11 A ......5,9
  • 保護ダイオードの順方向電圧 V は一定、パルス幅は 300 ms 未満、デューティ サイクルは 50 を超え、ゲート-ソース間電圧はゼロ、ドレイン電流は 18A....6,3
  • 最大動作周波数、MHz.....1
  • 熱抵抗遷移ハウジング、°C/W、最大.....1,7
  • ターンオン遅延時間、いや、それ以上、ドレイン・ソース間電圧 30 V、ドレイン電流 18 A、信号ソースの出力抵抗 12 オームの場合....40
  • 代表値.....20
  • トランジスタ容量、pF、それ以上、ドレイン-ソース間電圧 25 V、ゲート-ソース間電圧ゼロ、周波数 1 MHz、入力....1540
  • 休み……660
  • チェックポイント.....140
  • ドレイン・ソース間電圧 30 V、ドレイン電流 18 A、信号ソースの出力抵抗 12 オームにおける、痛みのないドレイン電流の立ち上がり時間....240
  • 代表値.....120
  • ドレイン電流減衰時間、いや、それ以上、ドレイン・ソース間電圧 30 V、ドレイン電流 18 A、信号ソースの出力抵抗 12 オームの場合....116
  • 代表値.....58

* ケース温度 25 °C 時。

限界値

  • 最高ドレイン - ソース間電圧、V ..... 60
  • 最大ゲート - ソース間電圧、V.....+20
  • 最高直流*ドレイン、A ..... 18
  • 最大パルス電流 * ドレイン、A ..... 72
  • ケース温度 25 °C での最大連続消費電力 W ** ..... 88
  • 最高転移温度、°С..... 175
  • 周囲温度の動作範囲、°С.....-55...+150

* 許容損失とジャンクション温度の最大値を超えないことが条件です。

** ハウジング温度 Tcorp +25...+150 °C の範囲では、最大電力は次の式に従って低減する必要があります。

Pmax = (Tnepmax -Tcorp)/Rt.n-k ここで、Tnepmax は最高許容転移温度です。 Rt.n-k - ジャンクションケースの熱抵抗。

静電位の許容値は 200 V (OST 11073.062 に準拠した剛性の III) です。機器にトランジスタを取り付けるための動作モードと条件は、OST 11336.907.0 (V. Kiselev の記事を参照) に準拠する必要があります。KP737シリーズの電界効果トランジスタ"in "Radio", 2002, No. 5, pp. 47, 48). 取り付けおよび組み立て作業中に、トランジスタ端子の再はんだ付けは XNUMX 回を超えてはなりません。

KP784A トランジスタのパラメータの主な典型的なグラフ依存関係を図に示します。 2-5.

強力な電界効果トランジスタKP784A

図では、図2aおよびbは、ハウジング温度Tcorpの25つの値(10±150および3℃)におけるドレイン電流Icのドレイン・ソース電圧Usiへの依存性を示しています。 XNUMX - ゲート・ソース間電圧 Uzi から。

強力な電界効果トランジスタKP784A

接合温度の動作範囲におけるオープントランジスタのチャネル抵抗 RK の変化を図に示します。 4 (RK - チャネル抵抗の現在値、Rк25 - Tper = 25 °C でのチャネル抵抗)。

強力な電界効果トランジスタKP784A

入力、出力、およびパススルー容量のドレイン-ソース電圧への依存性を図に示します。 5.

強力な電界効果トランジスタKP784A

著者: V. Kisilei、ミンスク、ベラルーシ

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