KP737シリーズの電界効果トランジスタ。参照データ

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KP737シリーズの電界効果トランジスタ。参照データ

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絶縁ゲート、リッチnチャネル、内蔵逆バイアス保護ダイオードを備えた強力なシリコン電界効果トランジスタKP737A～KP737Vは、エピタキシャル・プレーナ技術を使用して製造されています。これらのデバイスは、変圧器のない二次電源、連続制御およびパルス制御を備えた安定化装置および電圧コンバータ、電気モーター制御装置、および幅広い用途の電子機器のその他のコンポーネントで動作するように設計されています。

トランジスタは、硬質スタンプされた錫メッキ端子を備えたプラスチックケース KT-28 (TO-220) に収容されています。デバイスの重量はわずか 2,5 g で、ハウジング、内部接続、ピン配置の設計は KP727 シリーズのトランジスタと似ています (「Radio」、2002 年、No. 1、46 ～ 48 ページを参照)。

外来機能類似体: KP737A - IRF630、KP737B - IRF634、KP737V - IRF635。

Tacr avg =25°C での主な特性

ドレインとゲートが接続され、ドレイン電流が 0,25 mA....2...4 の場合のしきい値ゲート-ソース電圧 V
KP300A の場合、パルス幅 50 μs 未満、デューティサイクル 10 以上、ゲートソース間電圧 737V のドレイン電流 A (ドレインソース間電圧 4 V 時).... ...9
KP737B(4V)……8,1
KP737V (4,8V)......6,5
KP300A (ドレイン電流 50 A) の場合、オープンチャネル抵抗はオーム、それ以上、パルス幅は 10 μs 未満、デューティサイクルは 737 以上、ゲート-ソース間電圧は 5,4 V です。 ...0,4
KP737B(5,1A)……0,45
KP737V(4,1A)……0,68
最大ドレイン・ソース間電圧およびゼロ・ゲート・ソース間電圧での残留ドレイン電流 μA ...... 250
ゲート・ソース間電圧 ±20 V およびゼロ・ドレイン・ソース間電圧でのゲート・リーク電流 (nA) ...±100
KP300A (ドレイン電流 50 μs) の場合、パルス幅が 25 μs 未満、デューティサイクルが 737 以上、ドレイン-ソース電圧が 5,4 V の電流電圧特性の傾き A/V。 A)......3,8
KP737B(5,1A)……3,6
KP737V(4,1A)……2,9
保護ダイオードの一定の順方向電圧 (逆ドレイン-ソース電圧付き)、V 以下、パルス幅が 300 μs 未満、デューティサイクルが 50 を超え、ゲート-ソース電圧がゼロ、および最大絶対値がドレインピンを流れる電流......2
熱抵抗遷移ハウジング、°С/ W、最大...... 1,7
熱抵抗遷移-環境、°С/ W、これ以上...... 62
KP300A の場合、パルス幅 50 μs 未満、デューティサイクル 5,9 以上、順電流 100 A、電流減少率 737 A/μs の保護ダイオードの逆回復時間 (代表値) ではありません。 ……340
KP737B ...... 380
KP737V……390
ターンオン時間* (標準値ではありません)、パルス幅 300 μs 以下、デューティサイクル 50 以上、ドレイン-ソース電圧 100 V、ドレイン電流 5,9 A、ドレイン-ソース抵抗 16 オーム、出力信号源の抵抗 12 オーム (KP737A の場合)......41
KP737B、KP737V……48
ターンオフ時間* (標準値) ではなく、パルス幅 300 ms 以下、デューティサイクル 50 以上、ドレイン-ソース電圧 100 V、ドレイン電流 5,9 A、ドレイン-ソース抵抗 16 オーム、および出力信号源の抵抗 12 オーム (KP737A の場合)......59
KP737B、KP737V……62
入力容量*、pF、これ以上、ゲート・ソース間電圧ゼロ、ドレイン・ソース間電圧 25 V、周波数 1 MHz の場合......1300
出力容量*、pF、それ以上、ゲート・ソース間電圧ゼロ、ドレイン・ソース間電圧 25 V、周波数 1 MHz の場合......360
静電容量*、pF、それ以上、ゲート・ソース間電圧ゼロ、ドレイン・ソース間電圧25 V、周波数1 MHzの場合 ...... 120

※参考パラメータ

限界値

最高ドレイン・ソース間電圧、KP737A の場合......200
KP737B、KP737V……250
最大ゲート - ソース間電圧、V......20
KP25A のケース温度 737 °C における最大定ドレイン電流 A....9
KP737B ...... 8,1
KP737V……6,5
KP25A のケース温度 737 °C における最大パルスドレイン電流 A....36
KP737B ...... 32
KP737V……26
最大定常消費電力、W、ケース温度 25 °C .......74
最高転移温度、°C ...... 150
周囲温度動作範囲、°С -55...+125
静電位の最大許容値は 200 V (OST 11073.062 に準拠した剛性の III) です。

機器にトランジスタを取り付ける条件は、OST 11336.907.0 に準拠する必要があります。 70 つ以上の組み合わせパラメータの制限値でのトランジスタの使用は許可されません。信頼性を高めるために、制限値の XNUMX% を超えないパラメータ値でデバイスを動作させることをお勧めします。

取り付け中、ハウジングの端から 5 mm 以内でリードを 1,5 回だけ曲げることはできます。曲げ半径は XNUMX mm 以上です。折り線はリードの平面内になければなりません。リードをねじることはできません。曲げる際には体に力が伝わらないような工夫が必要です。 -

ハウジングからリード線の錫めっきおよびはんだ付けの場所までの距離は 5 mm 以上である必要があります。はんだ付け温度 - 265°C 以下、錫めっき時間 - 2 秒以下、はんだ付け時間 - 4 秒以下。

本体ヒートシンクの熱抵抗を減らすために、GOST 8 に準拠した KPT-19783 などの熱伝導性潤滑剤またはペーストで接触箇所を覆うことをお勧めします。トランジスタの下では、その熱抵抗を考慮する必要があります。

トランジスタ KP737A ～ KP737B のパラメータの典型的なグラフ依存性を図に示します。 1-7。

図では、図1aは、ゲート・ソース間のさまざまな電圧値および通常のケース温度におけるドレイン・ソース電圧に対するドレイン電流の依存性を示しています。 1,b - ハウジング温度 1505 °C での同じ依存性。

KP737シリーズの電界効果トランジスタ

ハウジング温度の 2 つの値におけるデバイスの典型的な伝達特性を図に示します。 XNUMX.

オープンチャネル抵抗の正規化された温度依存性を図に示します。ドレイン-ソース間電圧に対する入力、出力、およびパススルー容量の典型的な依存性を図3に示します。 4. トランジスタ本体が暖まると、図のグラフに従って最大ドレイン電流を減少させる必要があります。 5.

KP737シリーズの電界効果トランジスタ

ゲート容量電荷のゲート・ソース間電圧に対する典型的な依存性を図に示します。 6.

KP737シリーズの電界効果トランジスタ

内蔵保護ダイオードの機能を図に示します。ここで、Iс はダイオードが開いている場合にトランジスタのドレイン端子を流れる電流、Upr はダイオードの順方向電圧降下です。

KP737シリーズの電界効果トランジスタ

著者：V.Kiselev

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