低電圧シリコンツェナーダイオードを使用した高電圧の安定化。スキーム、説明

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低電圧シリコンツェナーダイオードを使用した高電圧の安定化。無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典

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電圧リファレンスとして低電圧シリコンツェナーダイオードを使用すると、安定した高電圧電源を設計できます。このような電源の出力電圧は50〜250 Vの範囲で調整され、安定化係数は0,5％です。この回路の使用は、たとえば、オペアンプに正と負の電源電圧が必要ない場合に推奨されます。

低電圧シリコンツェナーダイオードを使用した高電圧の安定化

シリコンツェナーダイオード D1 が基準電圧を形成します。ツェナーダイオードの電流は、指定された温度係数と最大出力電流に従って選択されます。 FET Q1 を使用することで、抵抗 R1 と R2 を高オームで低電力にすることができるため、出力電圧のシャントが少なくなります。これらの抵抗をトランジスタ Q2 のベースに直接接続した場合、回路の安定化係数が悪化し、出力抵抗が大きく変動します。これは、トランジスタ Q2 の入力抵抗が低いことによって説明されます。

スタビライザーの出力電圧は、次のように記述できます。

低電圧シリコンツェナーダイオードを使用した高電圧の安定化

トランジスタQ2の開ループゲインは67dBであり、FETの相互コンダクタンスと負荷抵抗に依存します。レギュレータ回路のフィードバック係数は次のとおりです。

低電圧シリコンツェナーダイオードを使用した高電圧の安定化

ここで、R2=9R1です。

閉ループ電圧ゲインは 20 dB で、次の式で与えられます。

低電圧シリコンツェナーダイオードを使用した高電圧の安定化

次に、閉じたフィードバックループのゲインは次のように記述できます。

低電圧シリコンツェナーダイオードを使用した高電圧の安定化

電圧安定器の仕様
入力電圧、V	出力電圧、V	負荷電流、mA	出力電圧、V
270 300 330	199,2 200,4 201,2	0 50 100	200,3 200,0 199,5

著者: N.コアーズ; 出版物: N. ボルシャコフ、rf.atnn.ru

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