高周波信号発生器。スキーム、説明

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高周波信号発生器。無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典

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高周波信号発生器は、高周波電子デバイスのテストおよびセットアップ用に設計されています。

基本パラメータ

生成される周波数の範囲、MHz	0,12 15 ...
サブレンジでの出力信号の最大振幅 (100 オームの負荷時)、V
0,12 ... 0,42 MHz	0,95
0,4-1,67 MHzの	0,8
1,6-6,67MHz	0,65
5-15 MHzの	0,3
サブレンジdB内の出力信号の振幅の不規則性	2
出力インピーダンス、オーム	100
信号による音響周波数変調度、%	30
変調周波数範囲、Hz	30...30
周波数設定エラー、％	10

この発生器は、RF 発生器自体 (トランジスタ V3)、エミッタフォロワ (トランジスタ V4)、出力アンプ (トランジスタ V6)、および振幅変調器 (トランジスタ V5) で構成されます。

（クリックして拡大）

生成される周波数の必要なサブレンジはスイッチ S1 で選択され、発電機は可変コンデンサ C6 の二重ブロックで再構築されます (両方のセクションは並列接続されています)。トランジスタ V3 のゲート回路のダイオード VI は、発生器が (サブレンジ内で) 調整されているときに出力信号の振幅の安定性を高めるリミッターとして機能します。抵抗 R1* ～ R4* は正帰還を弱め、発振形状を改善します。この段の電源電圧はツェナーダイオード V2 によって安定化されます。

トランジスタ V3 のソースから、高周波発振電圧がエミッタフォロワに供給され、発電機と負荷の間が絶縁されます。発電機 (トランジスタ V3) によって生成される電圧は、後続のステージの通常の動作に必要な電圧よりも大幅に大きくなります。したがって、信号は、トランジスタV9のエミッタ回路内の抵抗R10とR4によって形成される分割器から出力アンプに供給されます。

出力広帯域アンプ (トランジスタ V6) はエミッタ共通の回路で作られています。その負荷は可変抵抗器 R15 であり、そのモーターから信号が出力同軸コネクタ K2 に供給されます。十分に広い出力アンプの帯域幅を提供するには、この抵抗の抵抗は 150 オーム以下である必要があります。約 50 pF (長さ約 0,7 m の同軸ケーブルの静電容量) の容量性負荷では、アンプの帯域幅は 20..30 MHz になります。この場合、トランジスタには比較的大きな電流（10mA程度）を流す必要があります。抵抗 R15 の両端の電圧降下は、出力信号の振幅の約 2 倍でなければなりません。

振幅変調は出力段で行われます。変調器トランジスタ V5 はトランジスタ V6 と直列に直流接続されており、コネクタ X1 からの変調電圧は両方のトランジスタのベース (V6 - 抵抗 R13 * を介して) に同時に供給されます。その結果、出力信号の混合（コレクタベース）変調が得られます。このような変調を使用すると、AF 電圧を高めるだけで、非線形歪みの少ない高周波信号のほぼ 100% の変調を得ることができます。スイッチS2で変調をオンにします。

この発電機は、固体誘電体KPTM-4（トランジスタラジオ「Neiva」、「Etude」、「Signal」、「Orbit」から）を備えた可変コンデンサの小型デュアルブロック（設置中にそのセクションが並列に接続されます）を使用します。ブロックの軸は、直径 4、長さ 18 mm の真鍮棒で延長されています。一端に深さ 8 mm の軸方向の穴が開けられ、そこに M2 ネジが切り込まれます。接続には、スチールピン M2 X 8 が使用され、BF-2 接着剤を使用して KPE ブロックの軸のネジ穴にねじ込まれ、延長ロッドが同じ接着剤を使用して突き出た端に止まるまでねじ込まれます。。

出力電圧を調整するには、巻線可変抵抗器 PPB-1V を使用しますが、抵抗値が 150 オームを超えない別の抵抗器を使用することもできます。

発電機はコンデンサ KT-1a (C1-C4)、K50-6 (C13)、KM (C15)、KLS (その他) を使用します。 R10-VS-0,125 (MLT-0,125、MLT-0,25 など) を除くすべての固定抵抗。抵抗器 R10 - MON-0,5; 必要に応じて、たとえば直径 2 mm の PEV-0,06 ワイヤを、抵抗値が少なくとも 0,5 の MLT-100 抵抗器の本体に巻くことにより、自分で作成できます。オーム。長さ 790 mm のワイヤを半分に折り、溶融ロジンを滴下してループを抵抗器に固定します。巻いた後、端を抵抗器の端子にはんだ付けします。

このデバイスでは、KP303 シリーズの電界効果トランジスタおよび低電力シリコン高周波トランジスタを使用できます。

トランジスタ V4 と V6 の静電流伝達係数は少なくとも 60、トランジスタ V5 - 少なくとも 30 である必要があります。ダイオード V1 - 任意の高周波シリコン。

発電コイルL1、L2はフェライトリングM1000NM-A-K10×6×4,5（外径10、内径6、高さ4,5mm、フェライトグレード1000NM）に巻かれています。最初のものには直径 25 mm の PEV-50 ワイヤーが 2 + 0,15 ターン含まれており、7 番目には直径 14 mm の PEV-2 ワイヤーが 0,41 + 3 ターン含まれています。コイル L4 と L600 はそれぞれフェライトロッド M2NN-3-CC5 20 X 3,5 (直径 20、長さ 600 mm) と M3NN-2,8-CC12 x 2,8 (直径 12、長さ 3 mm) に巻かれています。コイル L10 は、直径 20 mm の PEV-2 ワイヤの 0,25 + 4 ターン、L4 - 直径 8 mm の PEV-2 ワイヤの 0,5 + XNUMX ターンで構成されます。

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