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マルチメーターを使用した電流伝達係数の測定。 無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典

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無線電子工学と電気工学の百科事典 / 測定技術

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多くのアマチュア無線家は、ベース電流 H830E の静伝達係数を測定するモードを備えた比較的安価なデジタル マルチメータ DT21D または同様のものを使用しています。 説明書には、このパラメータはシリコン トランジスタについてのみ測定できると記載されています。 一方、単純な数学的計算により、このマルチメータを使用して低電力ゲルマニウム トランジスタをテストすることもできます。

h21E 測定モードで動作するマルチメータの簡略図 (図を参照) を見てください。 当然のことながら、テスト対象のトランジスタは 2,8 つだけマルチメーター ソケットに接続する必要があります。 106 V の電圧は、ICL572 マイクロ回路 (国内アナログ - KR5PV1998、「Radio」、8、No. 62、65 ~ 1 ページを参照)、ミリアンペア RA20 - 制限 2,8 mA のデジタル電流計のスタビライザーから供給されます。 。 テスト対象のトランジスタのベース電流は Ib=(1-Ube/R、ここで Ube はトランジスタのベース-エミッタ間電圧、R はベース回路の抵抗器 (R2 または RXNUMX) の抵抗値です。

マルチメータで電流伝達係数を測定する

シリコン トランジスタの h21E を測定すると、Ube は約 0,6 V に等しく、ベース電流は非常に正確に 10 μA になります。 その結果、マルチメータの測定値は透過係数の真の値に対応します。

ゲルマニウム トランジスタの場合、Ube は約 0,2 V に等しく、ベース電流は約 12 μA であるため、測定結果は 20% 過大評価されます。 また、トランジスタの貫通電流により測定値が増加します。 したがって、ゲルマニウム半導体デバイスしか存在しなかった「古き良き時代」と同じように、まずトランジスタの貫通電流を測定する必要があります。 これを行うには、コレクタ端子とエミッタ端子をそれぞれソケット「K」と「E」に挿入し、ベース端子を接続せずに、デバイスの読み取り値を書き留める(または記憶する)必要があります。

ベース端子を挿入したら、マルチメータの読み取り値を再度記録し、そこから前の読み取り値を減算し、その結果を 1,2 で割ります。これが真のベース電流伝達係数になります。

マルチメーターを使用すると、「K」および「E」ソケットの適切な極性のダイオードやその他の半導体デバイスの逆電流を測定でき、ディスプレイ上の結果はマイクロアンペアで反映されることを付け加えておきます。

著者:P.Aleshin、モスクワ

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