無線電子工学および電気工学の百科事典 可逆ブロードバンド カスケード。 無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典 提案された記事では、信号経路の両方向で同じ値の透過係数を持つ広帯域 RF アンプ上の可逆段の設計を検討しています。 アマチュア無線トランシーバーの最初のミキサーとメイン選択フィルター (FOS) の間に取り付けることができます。 反転カスケードは、トランジスタ VT1 および VT2 (図 1) に基づく 1 つの非反転アンプで構成され、それぞれが独自の信号フロー方向に対してのみ動作します。 たとえば、アンプが VT12 で動作している場合 (+XNUMX V が電源ポート C に印加されている)、RF 信号はポート A からポート B の方向に増幅されます。 アンプは、共通ベースと非ノイズ反応性要素の負帰還 (いわゆる X 型フィードバック) を備えたスキームに従って作られており、最適なダイナミック レンジと高感度が可能になります [1]。 ゲインが 4,5 ~ 9,5 dB のこのタイプのアンプは、アクティブ抵抗が 50 オームとは大幅に異なる負荷 (トランシーバー ノード) のポート A および B に接続されている場合でも、実際には自励しません。大きな反応成分。 アンプは短い同軸ケーブルで相互接続されています。 現在アイドル状態のアンプ (VT2 など) が動作中のアンプ (VT1) に及ぼす影響を排除し、回路全体の逆段の自己励起の可能性を排除するために、重要なダイオード VD3VD4 および VD7VD8 が次のようになります。インストールされています。 ダイオード VD1VD2 と抵抗 R2 のチェーンはトランジスタ VT1 の静止電流を設定し、VD5VD6 と抵抗 R6 のチェーンは静止電流 VT2 を設定します。 抵抗 R1、R3、R5、R7 とチョーク L2、L4 は寄生防止ですが、インダクタンスが高すぎると、HF 領域の周波数応答がブロックされます。 トランシーバ ノードのポート A および B への接続も、短いケーブルで行う必要があります。 構造的には、反転カスケードは片面フォイルグラスファイバーからなる XNUMX つのプリント基板 (各アンプは個別に) 上に作られています。 共通のワイヤトラックの可能な最大面積を提供する必要があります。 各アンプ基板の周囲全体には、幅 20 mm の錫メッキ シートのスクリーン ストリップがはんだ付けされており、その端が基板の上面と下面の上に対称的に突き出ています。 アンプには、抵抗器 - MLT-0,25、コンデンサ - KM、K10-17など、広範な無線部品が使用されています。 ダイオード KD522A は任意のシリコンに置き換えることができます。 インダクタ L1 および L4 は、透磁率 2 ~ 0,2NM、サイズ K1000x2000x10 mm のリング フェライト磁気コア上に PEV-6 4 ワイヤを 100 層で、充填されるまで交互に巻かれています。 それらのインダクタンスは 220 ~ XNUMX μH の範囲内である必要があります。 インダクタ L2 および L3 は、透磁率 1000 NM、サイズ K7x4x2 mm のリング フェライト磁気コアに巻かれています。 それらの巻線には、PEV-2 0,25 ワイヤが XNUMX 回巻かれています。 チョークはトランジスタの端子に直接取り付けられています。 トランス T1 および T2 は、サイズ K2x0,25x2000 mm の M16NM-A リング フェライト磁気コア上に PEV-10 4,5 ワイヤで巻かれています。 変圧器の巻線 I と II にはそれぞれ 10 ターンが含まれ、巻線 III には 2 ターンが含まれます。 ワイヤの絶縁を損傷しないように、トランスを巻く前に磁気回路で、砥石を使用して外側と内側の鋭いエッジをカット(埋め)します。 さらに、3本のワイヤーを撚り合わせて「ツイストペア」とし、4センチメートルあたり10〜XNUMX回撚る計算で、リングの円周に均等にXNUMX回巻きます。 これらは変圧器の巻線 I と II になります。 巻き線 III を追加するには、リングの両側から「ツイストペア」を XNUMX 回巻き、コイル部分を同じ直径で同じ方向の XNUMX 本目のワイヤで包みます。 同時に、「ツイストペア」のXNUMXセンチメートルごとに巻線IIIをXNUMX回巻きます。 次に、トランスの完全な巻線を復元します。 トランスをアンプ基板に取り付ける場合、はんだ付け時に巻線リード線を溶解し、正しく位相調整するだけで済みます。 アンプを設置するための一般的な要件は、無線素子のリード線が最小限の長さでなければならないということです。 トランジスタVT1とVT2には、約50cm2の面積のヒートシンクがあります。 組み立てたアンプを次の方法に従って個別にセットアップします(VT1 上のアンプの例を考えます)。 基板上で、コンデンサ C2 の端子の 12 つをはんだ付けし、チョークとトランスの巻線をワイヤー ジャンパーで閉じます。 +2 V の電源電圧をポート C に印加します。抵抗 R1 を選択し、トランジスタ VT45 を流れる電流を 50 ... 10 mA に設定します。 電圧が印加された瞬間から 2 分後、このパラメータを再監視し、必要に応じて修正します。 電源を切ります。 インダクタンスからジャンパーを取り外し、CXNUMX をはんだ付けします。 食事の再提供。 消費電流の増加がないため、アンプの自励励磁はないと考えられます。 自励励起は、入力と出力に負荷抵抗が存在する場合と存在しない場合の両方で発生してはなりません。 それ以外の場合は、インダクタ L2 の巻数をわずかに増やすか、抵抗 R1 および R3 の抵抗を減らすか、あるいはその両方を行う必要があります。 実際には、自励励起は変圧器巻線の位相が正しくない場合に最も多く発生します。 ポート A には Rout = 50 オームの GSS を接続し、ポート B - Rin = 50 オームの RF 電圧計を接続します。 アンプの周波数応答を削除します。 次に、逆に、GSS をポート B に接続し、RF 電圧計をポート A に接続します。 両方向のアンプの特性とアンプ同士の特性は、可能な限り同一である必要があります。 セットアップが完了したら、シールドされたアンプ基板をはんだ付けします。 それらの入力と出力は、図に従って同軸ケーブルのセグメントによって相互接続されます。 1と外部回路(トランシーバノード)。 著者版のアンプの周波数応答を図の上部に示します。 2。 下部に XNUMX つの曲線が表示されます。 そのうちの XNUMX つの Ku (rev.) は、電源電圧がない場合にアンプによって導入される減衰係数 (つまり、減衰器としても使用できます) を示し、XNUMX 番目の Ku (razv.) - ポート間のデカップリング係数を示します。周波数にもよりますが。 「実際の」トランシーバでは、信号は送信中により高いレベルで形成されるため、送信モードよりも受信モードでより高いステージゲインを持つことが望ましいです。 この反転段のスキームにより、対応するトランスの OOS (III) 巻線の巻数のみを選択することで、信号通過のさまざまな方向に必要なゲインを実装できます。 文学
著者:V.Artemenko 他の記事も見る セクション 民間無線通信. 読み書き 有用な この記事へのコメント. 科学技術の最新ニュース、新しい電子機器: 庭の花の間引き機
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