パワーダイオード。スキーム、説明

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ダイオード - これらは単一のコンポーネントであるだけでなく、モジュールで使用することもできます。多くの場合、ダイオードはトランジスタモジュールの不可欠な部分です。代表的なダイオードモジュールの種類を図に示します。 7.7.

パワーダイオード
米。 7.7. 典型的なダイオードモジュール: a - ダブルモジュール; b-ダイオードブリッジ。 c - 三相ブリッジ。 d - ダブルダイオードトランジスタモジュール

汎用ダイオード 次の機能があります。

回復時間が比較的長い (25 ns)。
低周波デバイス（1 kHz）で使用されます。
電流レベルが高い（1〜10000 A）;
高電圧レベル（50〜5000 V）を持っています。
通常、拡散プロセスを使用して製造されます。

高速ダイオード 次の機能があります。

回復時間が短い (短い) (5 ns 未満)。
スイッチング電源とインバータ回路の両方で使用されます。
十分に高い電流レベル（1〜3000 A）を持っています;
十分に高い電圧レベル（50〜2000 V）を持っている。
約 400 V の電圧レベルの場合、これらのダイオードはエピタキシャル基板を使用してスイッチングを高速化し、回復時間は 50 ns です。

ショットキーダイオード 次の機能があります。

アノードのシリコンと金属の接合に生成される障壁電位により、電荷の蓄積の問題が解消され、金属層は薄いエピタキシャル N 層上に堆積されます。
少数キャリアが存在しないため、再結合時間はゼロであり、スイッチングプロセスは多数キャリアのみに依存します。
回復時間はシリコンと金属の接合の静電容量によって影響されます。
不純物濃度のレベルにより順方向電圧降下が比較的低く、これはバリア電位 (0,2 ～ 0,9 V) を意味します。
より高い漏れ電流 (最大 100 mA);
低電流レベル（1〜300 A）;
低電圧レベル（<100V）。

ツェナーパワーダイオード（半導体ツェナーダイオード） 次の機能があります。

高濃度にドープされ、なだれ破壊の分野で機能するように設計されています。
連続電力には平均値（250 mW - 75 W）があります。
パルスあたり最大 50 kW を吸収しながら、リミッターとして干渉を抑制するために使用できます。

著者: Koryakin-Chernyak S.L.

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