アラームジェネレータ。スキーム、説明

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警報発生器。無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典

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最新の要素ベースを使用すると、さまざまなデバイスで信号デバイスとして機能する発電機の設計を簡素化することができます。これについては、提案された記事で説明されています。

単純な信号発生器の主な要素の 12 つはサウンドエミッターです。提案されているすべての設計では、直径 6 mm の輸入電磁カプセルを使用し、動作電圧は 1 V、内蔵発電機を備えています。供給電圧が 6 V に低下しても、カプセルは動作し続けます。2000 V の電圧がそれに印加されると (極性に注意してください)、周波数約 XNUMX Hz の比較的大きな音が聞こえます。

このデバイスには、直径 8 mm、輝度 800 mCd の点滅する赤色 LED も搭載されています。これをカプセルと直列にオンにすると (図 1)、最も単純な信号発生器が得られます。このようなノードに電力を供給すると、断続的なビープ音が聞こえます。信号中のデバイスの消費電流は約 15 mA です。

アラームジェネレーター

LED 両端の電圧降下によるわずかな音量の減少が気に入らない場合は、電界効果トランジスタを使用して発電機を組み立てることができます (図 2)。 LED がオフである限り、抵抗の両端の電圧は低く、トランジスタをオンにするのに十分ではありません。 LEDが点滅すると、抵抗の両端の電圧が4 Vに達し、トランジスタが開き、20 mAの電流でのトランジスタの両端の電圧降下が50 mVを超えないため、カプセルが最大音量で動作し始めます。カプセルの端子には自己誘導パルスがないため、従来のカプセルの同様のカスケードで行われるような保護ダイオードを取り付ける必要はありません。

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図上。図３は、入力電圧制御を備えた発電機の図を示す。したがって、調整抵抗器 R3 のエンジンを動かすときに、トランジスタ VT1 のベースの電圧が 1 V 未満になると、抵抗器が閉じます。しかしその一方で、VT0,6 トランジスタが開き、BF2 カプセルと HL1 LED が動作し始めます。

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このような発生器は、例えば、「Ｒａｄｉｏ」、２００１年、第１０号、ｐ． 2001、チップ上のノードの代わりに。信号装置は光と音になります。

指定されたカプセルを使用すると、単純な電話呼び出し信号装置 (図 4) または単なる電話機のベルを構築することが可能になります。電話信号が到着すると、交流電圧は VD1 ダイオードブリッジによって整流され、その後、整流された電圧はコンデンサ C2 によって平滑化され、ツェナーダイオードによってカプセルにとって安全な電圧に制限されます。ツェナーダイオードの代わりに KIPD36 シリーズの XNUMX つの LED を直列に接続すると、通話中に点灯します。

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シンプルな光と音のフォトリレーは、図に示すスキームに従って組み立てることができます。 5. フォトダイオード VD1 の照明が十分である間、電界効果トランジスタ VT1 は閉じられており、図に回路が示されているものと同様の発電機が作動します。 2は機能しません。フォトダイオードの照度がトランジスタ VT1 のゲートのしきい値電圧よりも低くなると、VT1,5 が増加します。約 1 V を超えるとすぐに、トランジスタ VTXNUMX が開き、発電機がオンになります。カプセルから音が鳴り、LEDが点滅します。

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抵抗 R1 とフォトダイオードを交換すると、フォトダイオードの照度が特定の値に増加すると発電機がオンになります。デバイスの必要な感度は、抵抗 R1 を選択することによって設定されます。

図のスキームに従って組み立てられたデバイス。図６は、前のものと同様であるが、センサープレートＥ１およびＥ２によって制御される。それらの間の抵抗が高い間は、信号発生器は動作しません。しかし、指でプレートに触れるとすぐに、プレート間の抵抗が低下し、トランジスタVT6が開き、発電機がオンになります。アバランシェ降伏モードで動作するトランジスタ VT1 は、マイクロパワーツェナーダイオードとして機能し、電界効果トランジスタ VT2 を静電気の放電から保護します。

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図の図に従って組み立てられたデバイスでは、 2-6 では、MLT-0,125 抵抗、酸化物コンデンサ K50-35、K50-16 を使用できます。図のコンデンサC1。 4 - タイプ K73-17、MBM; 図のC1 6 - K10-17。フォトダイオード FD320 の代わりに、赤外線範囲用に設計された他のフォトダイオード (FD265A、FD-ZK、FD-28KP など) が適しています。点滅する LED は、発光色や寸法に適した他の同様のものに置き換えることができ、KTs407A ダイオードブリッジ (図 4 を参照) は、KD102、KD105、KD209 シリーズの 501 つのダイオードに置き換えることができます。電界効果トランジスタ KP7V (図 1014、a) の代わりに、電流スイッチ KR1KT7A (図 342、b)、および図に示されているバイポーラトランジスタの代わりに、任意の低電力 npn シリコン構造を取り付けることができます。例えば、KTXNUMXシリーズ。

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発電機を内蔵したカプセルは、インデックス X が付いた他のシリーズのいずれでも使用できます。指定の最初の XNUMX 桁はケース直径、最後の XNUMX 桁は最大動作電圧です。カプセルを購入したら、穴を覆っている粘着ラベルを忘れずに剥がしてください。

光および音声発生器のいずれかを別のデバイスに組み込む場合は、電源回路に沿って容量 0,15 ～ 100 μF のブロッキングコンデンサを少なくとも XNUMX つ取り付けることをお勧めします。これにより、内蔵発電機が構造内の他の回路に悪影響を及ぼすのを防ぎます。

著者: A.Butov、ヤロスラヴリ地方クルバ村

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