無線電子工学および電気工学の百科事典 XNUMXウェイアンプ。 無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典 無線電子工学と電気工学の百科事典 / トランジスタパワーアンプ プリアンプパスで信号を帯域に分割することは、サウンド再生の品質を向上させる効果的な方法です。 これにより、相互変調歪みを低減し、比較的簡単な手段で音圧に関して線形な振幅周波数応答を得ることができ、各パワーアンプは狭い周波数帯域で動作するため設計が簡素化されます。
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デバイス(ステレオアンプ)の各チャンネルは、低周波(LF)、中周波(MF)、高周波HHF信号帯域とXNUMXバンドで個別に調整可能な透過係数を備えた分離フィルタのブロックで構成されています。パワーアンプ。 フィルター ブロックには、信号レベル スイッチ (S1)、ボリューム コントロール (R2)、入力に接続されたハイパス フィルター (C2R2C3R3C4R4) とローパス フィルター (R5C7R6C8R7C9) を備えた 8 つのアンプ ステージ (VI、V3)、および 4 つのアンプ ステージ (VI、V16) が含まれています。エミッタフォロワ (V18、V17) も入力にハイパス (C19R18C20R17C11R14) およびローパス (R12C15R13CXNUMXRXNUMXCXNUMX) フィルターを備えています。 最初の 400 つのフィルターのカットオフ周波数は 4000 Hz、12 番目のフィルターは 400 Hz です。 したがって、可変抵抗器R24スライダーからは400Hz未満の周波数の成分が、抵抗器R4000スライダーからは23〜4000Hzの周波数で、そして抵抗器RXNUMXスライダーからは対応するバンドパスアンプの入力に供給されます。 - XNUMX Hzを超える周波数。 各バンドパス パワー アンプ (図 1) は、XNUMX つのオペアンプと XNUMX つの相補的なトランジスタ ペアで構成されています。
中周波信号帯域と低周波信号帯域の増幅回路はほぼ同一で、後者が正の電流帰還回路 (POC) でカバーされている点のみが異なります。 この接続の信号はトリミング抵抗 R10 のスライダーから除去され、抵抗 R9 を介してオペアンプ A3 の非反転入力に供給されます。 中周波数帯域および低周波数帯域のアンプの出力段はモード B で動作し、高周波数帯域のアンプはモード AB で動作します。
バイポーラアンプの電源の回路図を次の図に示します。 スイッチ S2 を使用すると、電子保護しきい値を 1 または 3 A に設定できます。電圧 + 18 および -18 V は、中周波数帯域および低周波数帯域のアンプ、および HF 帯域アンプの出力段に電力を供給するために使用されます。 +12 および -12 V は、このアンプのオペアンプ AJ に電力を供給するために使用されます。フィルター ユニットは、トランジスタ V8 の低電力電圧安定器によって電力を供給されます。 図に示されているものに加えて、ミッドレンジおよびベースアンプでは、オペアンプ K140UD6A、KN0UD6B、K140UD8A、K140UD8B、K553UD1 を使用できます。トランジスタの相補ペア KT502B、KT503B は、KT502G、KT503G のペアに置き換えることができます。 KT502V、KT503V、および(RFアンプ内)一対のトランジスタKT361E、KT315E。 交換用トランジスタの静電流伝達係数は少なくとも 40 である必要があります。低い非線形歪みを得るには、出力段トランジスタのペアを係数 h21e に従って偏差が ± 10% 以内 (V7、V8) で選択することをお勧めします。および V13、V14)、± 20% (その他すべて)。 トランジスタ V13 ~ V18 (図 2) は有効面積 300 ~ 400 cm2 のフィン付きヒートシンクに取り付ける必要があり、トランジスタ V15 および V22 (図 3) はその約 XNUMX 倍の面積のヒートシンクに取り付ける必要があります。 電源のトランス T1 は、外径 115、内径 60、高さ 40 mm のツイストトロイダル磁気回路に巻かれています。 巻線 I には 880 ターンの PEL ワイヤ - 0,6 ターン目からのタップ付き 510、巻線 II - 2 X 70 ターンの PEL ワイヤ - 1,5 が含まれています。 インダクタL1はΦ10板(設定厚さ10mm)の磁心に巻かれています。 その巻線には、約 1000 ターンの PEL ワイヤ (0,17) が含まれています。 スピーカーはバスレフ型で、ハウジング(外形寸法 320 X 240 X 500 mm)は厚さ 20 mm のチップボードで作られています。 ウーファーヘッドはフロントパネルの内側から取り付けられ、その他はすべて外側に取り付けられます。 ウーファーヘッド用の穴は、底壁から 130 mm の距離にあるパネルの垂直対称軸上にあり、ミッドレンジおよびトレブルヘッド用の穴はこの軸に対して対称です (各ペアは同じレベルにあります)。 )同じ壁からそれぞれ 310 mm と 420 mm、互いから 130 mm と 165 mm の距離にあります。 ミッドレンジヘッドは、厚さ130 mmのジュラルミンで作られた直径0,5 mmの半円筒形のキャップによって、ハウジングの残りの部分から隔離されています。 フードのハーフベースは厚さ15mmのシートフォームで作られています。 バスレフトンネル (内径 1,5、長さ 45 mm の薄肉 150 mm ボール紙管) 用の穴は、HF ヘッド間のフロント パネルの上部にあります。 バスレフ同調周波数は 30 Hz です。 ハウジング内のすべての接続は粘土でシールされています。 正面を除く壁には、プラスチックメッシュで押し付けられた綿ウールの圧縮された(厚さ30 mm)層で裏打ちされています。 前壁と本体の間には微多孔質ゴムを配置。 まずはフィルターユニットを取り付けます。 抵抗器 R2、R12、R24、および R23 (図 1) のスライダーを上部 (図に従って) の位置に配置すると、200 mV の交流電圧が 200、2、および 000 Hz の周波数で入力に印加されます。そしてブロックの出力の電圧が測定されます。 これらの電圧が 10 mV 未満であることが判明した場合、トランジスタ VI および V000 は、より高い傾きを持つ他のトランジスタに置き換えられます。 パワーアンプの設置は、1Aの保護応答電流で実行されます。トランジスタV13、V14の静止電流(約100mA)は、抵抗R14、出力の最小定電圧(許容値±0,1mA)を選択することによって設定されます。 ...0,2 V) - 抵抗 R3* を選択します。 中周波数帯域および高周波数帯域のアンプの出力に定電圧が存在しないことは、抵抗 R11 および R12 を構築することによって実現されます。 この後、周波数 100 Hz で 200 mV の電圧がフィルター ブロックの入力に印加され、抵抗 R7* を選択することで、LF アンプの負荷相当に 10,5 V の電圧が設定されます。 2 kHz と 10 kHz の周波数では、抵抗 R2* と R4* を選択することにより、電圧はミッドレンジ アンプの電圧と同等の負荷で 10,5 V、RF アンプの等価負荷 - 9V で設定されます。 最後に、POS の深さを選択します。 スピーカーを接続し、抵抗器R12とR23、R24(図1)のスライダーを下側(図に従って)に設定すると、低音を主体とした音楽信号が入力に供給されます。 抵抗器 R12 のスライダーを徐々に上に移動させることで、より低いオーディオ周波数の最も心地よいサウンドを実現します。 他の記事も見る セクション トランジスタパワーアンプ. 読み書き 有用な この記事へのコメント. 科学技術の最新ニュース、新しい電子機器: タッチエミュレーション用人工皮革
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