KT8115、KT8116シリーズの補完的な強力なトランジスタ。 参照データ
無線電子工学と電気工学の百科事典 / 参考資料
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シリコン高出力複合トランジスタ KT8115A ~ KTV115V (p-n-p 構造) および KT8116A ~ KT8116V (n-p-n) は、エピタキシャル プレーナ技術を使用して製造されており、3Ch アンプの最終段、電圧コンバータおよびその他の幅広い機器での動作を目的としています。アプリケーション。 デバイスは、硬質スタンプされた錫メッキリードを備えたプラスチックケース KT-28 (TO-220) に収容されています (図 1)。 デバイスの重量はわずか2,5gです。
外国のアナログ: KT8115A - TIP127、KT8115B - TIP126、KT8115B - TIP125、KT8116A - TIP122、KT8116B - TIP121、KT8116B - TIP120。
Tacr.av = 25°C での主な特性
- KT100A、KT8115A のコレクタ電流 8116 mA、ベース電流ゼロの場合のコレクタ・エミッタ境界電圧 V 以上....100
- KT8115B、KT8116B……80台
- KT8115V、KT8116V……60台
- コレクタ・ベース間電圧が最大でエミッタ電流がゼロの場合、逆コレクタ電流 (mA) はこれ以上ありません....0,2
- 逆コレクタ・エミッタ電流 mA、これ以上なし、KT8115A、KT8116A (コレクタ・エミッタ間電圧 50 V 時)、KT8115B、KT8116B (40 V)、KT8115V、KT8116V (30 V) の場合 .....0.5
- ベース・エミッタ間電圧が 5 V でコレクタ電流がゼロの場合、エミッタ逆電流 (mA) はこれ以上ありません....2
- コレクタ・エミッタ間電圧 3 V、エミッタ電流 0,5 A および FOR......1000 における静的ベース電流伝達係数以上
- コレクタ・エミッタ間飽和電圧 V、コレクタ電流 3 A、ベース電流 12 mA でそれ以上......2
- それぞれ5Aと20mA......4
- ベース・エミッタ間飽和電圧 V、コレクタ電流 3 A、ベース電流 12 mA でそれ以上...... 2,5
- コレクタ - エミッタ間電圧 4 V、コレクタ電流 3 A、周波数 1 MHz におけるベース電流伝達係数以上のモジュール....4
- 熱抵抗遷移ハウジング、°С/ W、最大...... 1,92
限界値
- KT8115A、KT8116A の最高コレクタ・ベース電圧 V....100
- KT8115B、KT8116B.....80
- KT8115V、KT8116V……60台
- KT8115A、KT8116A の最高コレクタ・エミッタ間電圧 V....100
- KT8115B、KT8116B……80台
- KT8115V、KT8116V……60台
- 最高エミッタ・ベース間電圧 V …… 5
- 最大DCコレクタ電流A......5
- 最高のコレクターパルス電流、A ...... 8
- ベースの直流電流の最高値、A……0,12
- ヒートシンクを使用した場合のコレクタの最大定電力損失 W......65
- 最高転移温度、°C ...... 150
- 周囲温度動作範囲、°С -60...+125
静電位の許容値は 2000 V (OST 11073.062 に基づく VI 硬度) です。 70 つ以上のパラメータの制限値でのトランジスタの使用は許可されません。 信頼性を高めるために、最大許容値の XNUMX% 以下のパラメータ値でデバイスを動作させることをお勧めします。
電圧がかかっているデバイスにトランジスタを取り付ける場合は、最初にベース端子をはんだ付けし、分解する場合は最後に接続を外す必要があります。 動作温度範囲全体にわたって、制御されていない遷移時の逆電流に匹敵する動作電流でトランジスタを動作させることはお勧めできません。
リードの曲げは 5 回のみ許可されます。 曲げ点は本体から 1,5 mm より近くにあってはならず、曲げ半径は少なくとも XNUMX mm である必要があります。 曲げる際には体に力が伝わらないように工夫する必要があります。
図では、 図 2 は、トランジスタのベースの静電流伝達係数の典型的な依存性を示しています。 3 - コレクタ電流に対するコレクタ-エミッタおよびベース-エミッタ飽和電圧の典型的な依存性。
トランジスタ本体の温度が +25°C を超えて上昇すると、コレクタで消費される電力は、図に示す曲線に従って低減する必要があります。 4.
米。 5は、静的モードおよびパルスモードでのトランジスタの安全な動作の領域を定義します。
著者: V.Kiselev、ミンスク
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