フォトトランジスタ。参照データ

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フォトトランジスタ。参照データ

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フォトトランジスタ - バイポーラ pn-p または n-p-n トランジスタと構造が類似した感光性半導体放射線検出器。フォトダイオードとは異なり、光放射を電気信号に変換するだけでなく、その増幅も行います。デバイスへの電源電圧は、コレクタ接合が閉じ、エミッタ接合が開くように印加されます。ほとんどの場合、基地は無効のままになります。

構造的には、フォトトランジスタは、入力窓から入る光束全体がベースに吸収され、その中に光生成された電流キャリアのペアが形成されるように作られています。その結果、フォトトランジスタに電圧が印加されると、コレクタ電流がフォトトランジスタを流れ始めます。

デバイスの動作はキャリア拡散に基づいているため、フォトトランジスタの動作周波数は通常、数十キロヘルツを超えません。

現在、シリコンフォトトランジスタが主に商業的に生産されている。しかし、ゲルマニウムに基づいて作られたデバイスにはいくつかの種類があります。

フォトトランジスタは感度が高く、比較的低コストであるため、最高速度を必要としない制御および自動化システム、さまざまな光センサー、火災、セキュリティなどのフォトリレー、機器などでこれらのデバイスを広く使用することができます。液体および気体の光学特性の分析に使用されます。パッケージレスフォトトランジスタは、フォトカプラやハイブリッドマイクロ回路でガルバニック絶縁の要素として使用されます。

以下のすべてのフォトトランジスタは、放射の赤外線 (IR) 領域で動作します。

KTF102A、KTF102A1

感光素子面積が102 mm102のシリコンプレナリーnpnフォトトランジスタKTF1AおよびKTF0,64A2は、硬質錫メッキリード線を備えたプラスチックケース内で製造されています（それぞれ図1および2）。

フォトトランジスター

重量 KTF102A - 0,2 g 以下。 KTF102A1 - 0,1 g. KTF102A1 デバイスの場合、エミッタ出力には色付きのドットが付いています。

フォトトランジスタは、ビデオレコーダーやその他の家庭用無線電子機器で動作するように設計されています。

Tacr.av=25°Сでの主な技術的特徴

コレクタ光電流。 mA以上、コレクタ・エミッタ間電圧5 V、波長0,85 μmの照度値で 0,5 mW / cm2 ...... 0,95
0,1mW/cm2……0,2
コレクタ - エミッタ間電圧 5 8、周囲温度 +25°C における暗コレクタ電流 μA 以上 ...1
代表値……0,1
+55°С....10
飽和電圧。 V.はもうありません、波長0,85μmの照度値0,5mW / cm2、コレクタ光電流0,25mA......0,15
0,06mW/cm2（0,2mA）……0,5
... ...0,06
代表値……0,2
スペクトル光感度領域、µm.....0,73...1,05
分光光感度が最大となる波長 µm......0,87

動作制限

最高のコレクタ光電流。 mA、周囲温度 -19...+35°С....40
+ 36 ...+55°С......5
周囲温度 -10...+35°С....10 における最高コレクタ - エミッタ間電圧 V
+ 36 ...+55°С......6
最高の放熱能力。 mW。周囲温度 -10...+35°С....30
+ 36 ...+55°С......10
周囲温度の動作範囲、°C......-10...+55

さまざまな照明条件下でのフォトトランジスタのボルトアンペア特性を図に示します。 3、そして典型的な軽いもの - 図。 4. 機器の相対スペクトル感度を図に示します。 5 - 最大感度波長での光電流に対する放射波長の電流値でのコレクタ光電流の比)。

図上。図６は、暗コレクタ電流の温度依存性を示す。

フォトトランジスター

KTF104A-KTF104V

シリコンプレーナ npn フォトトランジスタ KTF104A、KTF104B。感光素子面積104mm0,64のKTF2Vは、KTF102Aと同様にプラスチックケースで製造されています（図1参照）。端子も硬質錫メッキですが、取り付け部分の長さは2,9mmです。 10,1mmではありません。重量 - 0,2g以下。

フォトトランジスタは家庭用電子機器で使用するために設計されています。

Tacr.av=25°Сでの主な技術的特徴

KTF8,5A のコレクタ-エミッタ間電圧 5 V、照度 104 ルクスにおけるコレクタ光電流、mA 以上 ...... 0,15
KTF104B ...... 0.1
KTF104V……0,05
KTF8.5Aのコレクタ・エミッタ間電圧104Vにおける暗コレクタ電流μA以上……1
代表値……0,1
KTF104B、KTF104V……5
代表値……0,5
KTF8,5A のコレクタ・エミッタ間電圧 55 V、周囲温度 +104 °C での暗コレクタ電流 μA 以上...10
最大スペクトル感光性の面積、µm ...... 0,67..0,77
故障間の最小保証時間、h....15
賞味期限、年……8

フォトトランジスタの主なパラメータ (定義):

積分電流感度 - 出力電流の変化を引き起こした放射線束の変化に対するフォトトランジスタの出力における電流の変化の比。
単色電流感度 - フォトトランジスタの出力における電流の変化と、特定の波長の放射線束の変化の比。
コレクタ光電流 - 放射線束の影響により、指定されたコレクタ電圧でフォトトランジスタを流れる電流。
ダークコレクタ電流 - 放射線束がない場合に指定されたコレクタ電圧でフォトトランジスタを流れる電流。
光応答パルスの立ち上がり時間または立ち下がり時間 - 光電流が定常値からそれぞれ 0,1 から 0,9 または 0,9 から 0,1 に変化する時間間隔。

動作制限

最高のコレクタ - エミッタ電圧。で 12
周囲温度動作範囲°C......-10... + 55

KTF104A ～ KTF104V フォトトランジスタの相対分光光感度を図に示します。 7。

フォトトランジスター

KTF108A

選択的感光性を備えたシリコンプレナリー npn フォトトランジスタ KTF108A は、硬質錫メッキリードを備えたプラスチックケース内で製造されています (図 8)。デバイスの重量 - 1 g 以下。

フォトトランジスター

フォトトランジスタは、家庭用ビデオカメラやその他の無線電子機器のヒッチハイクシステムで動作するように設計されています。

Tacr.av=25°Сでの主な技術的特徴

コレクタ光電流。コレクタ飽和電圧0,4 Vおよび波長20μmでの0.85 mW / cmgの照度でmA以上......0,4
代表値……5
コレクタ暗電流 μA 以下、コレクタ - エミッタ間電圧 10 V、周囲温度 +25°C で ...... 0,025
代表値……0,01
+70°С....1
コレクタの飽和電圧。 V、それ以上、波長20μmで2mW / cm0,85の照明で......0,4
最大スペクトル感光性の面積、µm ..... 0,76 ... 0.96
故障間の最小保証時間、h....25
賞味期限、年……10
動作制限
最高の一定のコレクタ-エミッタ間電圧、V ...... 15
最大消費電力、mW、周囲温度 +35°С....60
+70°С....25
周囲温度の動作範囲、°C......-10...+70

図上。図９は、ＫＴＦ１０８Ａフォトトランジスタの暗電流のコレクタ－エミッタ電圧に対する典型的な依存性を示している。 9 - 温度について（技術普及のゾーンは網掛けで表示されます）。

フォトトランジスタの分光特性を図11に示します。

フォトトランジスター

KTF109A

シリコンプレーナ npn フォトトランジスタ KTF109A は、硬質錫メッキリードを備えたプラスチックケース内で製造されます (図 12)。重量 - 0,15 g以下。

フォトトランジスター

これらのデバイスは、テープレコーダーやその他の家庭用機器のヒッチハイクユニット、および盗難警報システム、遠隔制御および自動化、タコメーターで使用するために設計されています。

Tacr.av=25°Сでの主な技術的特徴

コレクタ光電流。ママ。コレクタ・エミッタ間電圧5 V、照射電力0,3 mWの場合……0,08以上
代表値……0.4
最大値......1
単色電流感度、A / W、コレクタ-エミッタ間電圧5 V、波長0.83 μmの照射時……0,25
コレクタ暗電流。コレクタ・エミッタ間電圧 5 V、周囲温度 +25°С の場合、μA 以上....0,5
+55°С....2
照射時の光応答パルスの立ち上がり時間、μs、以下……15
照射が取り除かれたときの光熱パルスの減衰時間、μs、せいぜい......5
分光光感度が最大となる波長 µm......1,08
故障までの最小保証時間、h ...... 20

動作制限

最高の一定のコレクタ-エミッタ間電圧、V ...... 10
最大消費電力、mW......10
周囲温度の動作範囲、°C......-60...+55

KTF109Aフォトトランジスタのコレクタの光電流の照射パワーへの依存性を図に示します。暗電流の温度依存性を図13に示します。 14 (技術的普及ゾーンは網掛けで示されています)。

フォトトランジスター

COF224A、COF224B

シリコングライダー npn フォトトランジスタ KOF224A、KOF224B は、硬質プレートの錫メッキリードを備えたプラスチックケース内で製造されます (図 15)。重量 - 0,8g以下。

フォトトランジスター

このデバイスは赤外線受光器として幅広い電子機器に使用されています。

Tacr.av=25°Сでの主な技術的特徴
積分電流感度、コレクタ - エミッタ間電圧 5 V で µA/lx 以上....0.7
コレクタ暗電流。 μA以下、KOF224Aの場合……1
COF224B ...... 0,1
照射の適用または除去時の光応答出力パルスの立ち上がりまたは立ち下がり時間、μs、それ以上、KOF224A の場合 ...... 80
COF224B ...... 20
分光光感度が最大となる波長 µm......0,95
故障間の最小保証時間、h....10
賞味期限、年……8

動作制限

最高の一定のコレクタ-エミッタ間電圧、V ...... 5
周囲温度の動作範囲、°C......-60...+55

FT-1K、FT-1K-01、FT-L K-02、FT-2K

シリコンプレナリーnpnフォトトランジスタFT-1K gr.1。 FT-1K gr.2。 FT-1K-01、FT-1K-02。 FT-2KグラムA、円形の感光素子（直径 2 mm）を備えた FT-1,8K gr.B は、フレキシブルな錫メッキリードを備えた円筒形の金属ガラスケースで製造されています（図 16）。入口の窓はフラットです。重量 - 0,9g以下。

フォトトランジスター

コレクターアウトレットが延長されているか、カラーマークが付いています。

これらのデバイスは、産業用および特殊な目的の電子機器の赤外線検出器として機能するように設計されています。

Tacr.av=25°Сでの主な技術的特徴

積分電流感度、μA/lx 以上、FT-1K gr。 1.FT-2K gr.A……0,4
FT-1K gr.2。 FT-2K gr.B……0,2
FT-1K-01……0.5
FT-Zh-02 ...... 2
FT-5K gr.1.FT-1K gr.A......2 のコレクタ・エミッタ間電圧 3 V でコレクタ暗電流 μA 以下
FT-1K gr.2。 FT-2K gr.B……1
ФТ-1К-01. ФТ-1К-02......0,2
照射の適用または除去時の光応答パルスの立ち上がりまたは立ち下がり時間、μs、以下....80
スペクトル感光領域、µm .... 0,5 ...1,1
分光光感度が最大となる波長 µm......0,85
故障間の最小保証時間、h、FT-1K gr.1、FT-1K gr.2。 FT-1K-01、FT-1K-02……2000
FT-2K gr.A、FT-2K gr.B……3500
有効期限、年、FT-1K gr.1、FT-1K gr.2 FT-1K-01、FT-1K-02......11
FT-2K gr.A、FT-2K gr.B……6

動作制限

最高のDCコレクター-エミッター電圧。 5時に
最高の作業照明（10時間以内）。 lx ...... 1500
周囲温度の動作範囲。 ℃......-60...+75

図上。 FT-17K、FT-1Kシリーズのフォトトランジスタの受光感度の分光特性を図2に示します。

フォトトランジスター

FT-7B、FT-7B-01

円形の感光素子（直径 1,1 mm）を備えたシリコンプレーナ n-p-n フォトトランジスタは、レンズ付きの円筒形プラスチックケース内で製造されます（図 18）。結論 - 錫メッキされた硬質ワイヤ。重量 - 0,5g以下。

フォトトランジスター

フォトトランジスタは、光束を制御するための光絶縁ノードや信号システムに使用されます。

Tacr.av=25°Сでの主な技術的特徴

積分電流感度、μA/lm以上、FT-7Bの場合......0,04
FT-7B-01……0.35
コレクタ光電流。 mA以上照度1000ルクス時 FT-7B……0,2
FT-7B-01……2
公称コレクター-エミッターDC電圧。 20年で
コレクタの暗電流。 uA。 20 V のコレクタ - エミッタ間電圧で ...... 0,005
照射の適用または除去時の光応答パルスの立ち上がりまたは立ち下がり時間、μs、以下....1,5
スペクトル光感度領域、µm.....0,4...1,1
分光光感度が最大となる波長 µm......0,85
賞味期限、年……10

動作制限

許容電圧コレクタ-エミッタの制限、V ...... 2 ... 30
許容作業照度の限界、ルクス..... 1...100 000
周囲温度の動作範囲、°C......-15...+45

FT-8

感光素子面積8 mm0,5のシリコンプレナリーnpnフォトトランジスタFT-2は、硬質プレートの錫メッキリードを備えたプラスチックケース内で製造されます（図19）。重量 - 0,9g以下。

さまざまな電子機器の赤外線の受信器として使用されます。

フォトトランジスター

Tacr.av=25°Сでの主な技術的特徴

積分電流感度、µA / lx、それ以上...... 2
コレクタ暗電流。うあ。これ以上、コレクタ - エミッタ間電圧 5 V、周囲温度 +25 °С の場合 ...... 0,1
+75°С....20
光応答出力パルス立ち上がり時間、波長0,9μm照射時、コレクタ・エミッタ間電圧5V、負荷抵抗2kΩ、μs……20
スペクトル光感度領域、µm......0,5...1,1
分光光感度が最大となる波長 µm......0,9..0.95
故障間の最小保証時間、h......4000

著者：V.ユシン。モスクワ市

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