KR1125KP2およびKR1125KPZシリーズのサイリスタスイッチ。参照データ

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KR1125KP2およびKR1125KPZシリーズのサイリスタスイッチ。参照データ

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マイクロ回路KR1125KPZA - KR1125KPZVは、同じハウジング内に設計されたディニスターのトランジスタ類似体の相補的なペアです。これらは、交流電力およびその他のパルスデバイス（高出力ガス放電ランプ用の点火ユニット、自己生成のこぎり波パルスなど）の位相制御用の機器で動作するように設計されています。外国の同等品 - BR100/03。

このデバイスは、p-n 接合絶縁を備えた平面拡散技術を使用して 1,2x1,2 mm の結晶上に製造されています。ハウジング - プラスチック、KT-26 (図 1)。重量 - 0,3 g 以下スイッチのオープンフレーム設計の設計オプションも提供されています。

KR1125KP2およびKR1125KPZシリーズのサイリスタスイッチ

スイッチ回路とそのピン配置を図 2 に示します。 XNUMX.

KR1125KP2およびKR1125KPZシリーズのサイリスタスイッチ

このデバイスは、ディニスターの 1 つの同一のトランジスタアナログで構成されており、背中合わせの直列に接続され、共通のハウジングに取り付けられています。ツェナーダイオード回路 VD3 ～ VD5 および VD7 ～ VD1125 は、ダイニスタの開放電圧を設定します。したがって、スイッチKR1125KPZAでは、これらの回路にツェナーダイオードが1125つ、KRXNUMXKPZBではXNUMXつ、KRXNUMXKPZVではXNUMXつ接続されています。

デバイスの電流電圧特性を図に示します。 3. ゼロ座標を中心に対称であることが簡単にわかります。回路 VD4R3 および VD8R7 は、デバイスにアノード電流が流れることを保証し、逆電圧が印加されたときに対応するジニスターのアナログをバイパスします。抵抗 R3、R4 および R7、R8 を使用すると、電流制限抵抗を追加せずに、ダイニスターの類似品を使用できます。

KR1125KP2およびKR1125KPZシリーズのサイリスタスイッチ

主な技術的特徴*

スイッチング (開放) 電圧 V、温度 -60、25、および 85°C (KR1125KPZA の場合)......8,5±1
KR1125KPZB……15±1
KR1125KPZV……21±2
スイッチング電圧温度係数、mV/°C、最大......2
順電流 50 mA、温度 25°C でのオープンダイニスター両端の定電圧 V .....1,2...3,5**
25°Cの温度でのスイッチング電圧Vの肩の非対称性......1
25および85°Cの温度でのスイッチング電流、mA、それ以上...... 0,15
-10...+85°C の温度で、ディニスターをオープン状態に維持する電流 (mA)...1
ターンオン時間、いいえ、それ以上、電流制限抵抗の抵抗値 1 kΩ、温度 25°C の場合......80

動作制限

-60...+85°C ... .0,1 の温度における、閉じたディニスター全体の電圧上昇率 V/μs (それ以上)
オープンダイニスタの繰り返しパルス電流 A、パルス繰り返し率は 50 Hz 以下、アノード回路の蓄積コンデンサ容量は 1 μF 以下、測定抵抗の抵抗は 1 オーム、温度は-60...+85℃....0,6...3
開放ダイニスタの最大電力損失、W、温度 -60...+50°C....250
+85°С....20
最高許容静電圧kV......2
動作温度範囲、°С......-60...+85

デバイスの両方のディニスターは、ペアで使用することも、互いに独立して使用することもできます。この場合、オープンダイニスタの繰り返しパルス電流の値は0,25...1,2Aに減らす必要があり、スイッチング電圧はKR1125KPZAの場合は7...9Vに、KR1125KZBの場合は13,5...に低下します。 15,5 V、KR1125KPZV の場合 - 最大 18,5 ～ 22,5 V。各ディニスタの逆電圧は 1,5 V、逆電流は 10 mA です。

KR1125KPZ シリーズの Dynistor スイッチは、指定された動作条件に従ってパルス形成器として動作できます。パルス繰り返し率は、アノード電圧の許容上昇率によって決まります。

マイクロ回路を -60 ～ +60°C の温度範囲で動作させると、閉じたダイニスタの電圧上昇率を 1 V/µs まで高めることができます。

この超小型回路は、グループはんだ付けを使用してプリント基板に実装するのに適しています。手動で取り付ける場合、はんだごての温度は 265°C を超えてはならず、はんだ付け時間は 4 秒を超えてはなりません。再はんだ付けの許容回数は 2 回です。はんだ付け位置はケース端から 3 mm 以内にしてください。リードは 90 度までの角度で 2,2 回曲げることができ、曲げ半径は少なくとも XNUMX mm です。屈曲点は本体から XNUMX mm 以内にある必要があります。曲げ力がハウジングに伝わらないようにしてください。

図では、図４、５、および６は、それぞれ、開放状態でのダイニスター保持電流、スイッチング電流、およびスイッチング電流に対する保持電流の比の典型的な温度依存性を示す。

KR1125KP2およびKR1125KPZシリーズのサイリスタスイッチ

サイリスタ制御ユニットにKR1125KPZシリーズの超小型回路を備えた位相電力レギュレータの図を図に示します。 7。

KR1125KP2およびKR1125KPZシリーズのサイリスタスイッチ

このデバイスは、VS2 ディニスタスイッチのアームを 1 つだけ使用します。コンデンサ C3 は蓄積コンデンサ、抵抗 R2 は電力制御ユニットです。抵抗器 R3 は、抵抗器 R1 スライダの上部位置で制御回路を流れる電流を制限します。抵抗 R1 はモード抵抗で、ケースの高温でもサイリスタ VS2 がスムーズに動作するように設計されています。 VS1 ディニスタースイッチはトリガー要素の役割を果たします。ダイオード VD50 は、100 ～ XNUMX% の電力制御制限を提供します。

図では、図 8 は、トライアック VS1 に組み込まれた同様の電力レギュレータの図を示しています。ここでは、ディニスタスイッチ VS2 がバイポーラ制御パルスを生成します。両方のスイッチアームが使用されます。

KR1125KP2およびKR1125KPZシリーズのサイリスタスイッチ

KR1125KP2 マイクロ回路は、主にダブルアームスイッチではなくシングルアームスイッチであるという点で KR1125KPZ と異なります。ケースは同じですが、ピン配置が異なります (図 9)。重量 - 0,3 g以下外国の類似体 - 4E20-28。

KR1125KP2およびKR1125KPZシリーズのサイリスタスイッチ

KR1125KP2 スイッチにはダイニスターアナログが 10 つしかないため、その電流電圧特性は非対称です (図 XNUMX)。

KR1125KP2およびKR1125KPZシリーズのサイリスタスイッチ

主な技術的特徴

スイッチング (開放) 電圧、V、温度 -60、25、および 85°C....21 ±3
スイッチング電圧温度係数、mV/°C、最大......2
順電流 50 mA、温度 25°C におけるオープンダイニスタ両端の定電圧 V....1,2...3,5*
25および85°Cの温度でのスイッチング電流、mA、それ以上...... 0,13
温度 25°C で、ディニスタを開いた状態に維持する電流 (mA)....3
85°С......0,5
ターンオン時間、いいえ、それ以上、電流制限抵抗の抵抗値 1 kΩ、温度 25°C の場合......80

* 内部抵抗を除く - 1 V 以下。

動作制限

-60...+85°C ... .0,1 の温度における、閉じたディニスター全体の電圧上昇率 V/μs (それ以上)
パルス繰り返し率 50 Hz 以下、蓄積コンデンサ容量 1 μF、測定抵抗抵抗 1 オーム、温度 -60 ～ +85 °C における、オープンダイニスタの繰り返しパルス電流 A ....0,25.-1,2
開放ダイニスタの最大電力損失、W、温度 -60...+50°C....250
+85°С....20
動作温度範囲、°С......-60...+85

図では、図 11 は、ダイニスタスイッチング電流の典型的な温度依存性を示しています。 12 - スイッチング電流に対する保持電流の比率。

KR1125KP2およびKR1125KPZシリーズのサイリスタスイッチ

KR1125KP2 マイクロ回路をサイリスタ電力レギュレータに接続するための一般的な回路は、図に示すものと同様です。 7. 図では、図１３は、高輝度ガス放電街路光源用のパルス点火装置の図を示す。

KR1125KP2およびKR1125KPZシリーズのサイリスタスイッチ

ここで、L1 と T1 は標準のバラストチョークとパルストランスです。

著者: A.ネフェドフ、モスクワ

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