ランプ機器用のパルス調整可能な電源。スキーム、説明

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ランプ器具用のパルス調整可能な電源です。無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典

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提案されたランプ器具用スイッチング電源は、共通部品から簡単なスキームに従って組み立てられ、50 ～ 250 V 以内に調整された安定化電圧を生成します。最大負荷電流は 0,3 A。リップルレベルは数十分の XNUMX を超えません。ボルトの。

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図に提案装置の図を示します。これには、ネットワークトランス T1、アノード電圧整流ブリッジ VD1、コンデンサ 01 および C6、キートランジスタ VT1、蓄積インダクタ L1、ダイオード / 04、出力コンデンサ C8 および C9、DA2 チップ上の出力電圧レギュレータ、光カプラ U1、トランジスタ VT2、および相補型キー電界効果トランジスタ VT3 のアセンブリ。

装置は次のように動作します。主電源電圧が変圧器 T1 に印加されると、コンデンサ C1 ～ C7 が充電されます。フォトカプラ U1 のフォトトランジスタが閉じられ、それによって制御されるトランジスタ VT2 も閉じられます。 3 V の電圧が抵抗 R5 を介して VT12 アセンブリの上部トランジスタのゲートに供給され、トランジスタが開きます。トランジスタVT1のソースに対して同じ電圧がゲートに供給され、その結果VT1が開き、インダクタL1を流れる電流が直線的に増加し、出力コンデンサC8およびC9を充電します。それらの電圧が増加すると、分圧器 R7 ～ R9 を流れる電流が増加します。抵抗器 R9 の両端の電圧降下が 2,5 V を超えると、DA2 チップが開き、抵抗器 R1 によって制限された電流がフォトカプラ U1 の発光ダイオードを通って流れます。フォトカプラ U1 のフォトトランジスタが開き、トランジスタ VT2 も開き、回路の上側にある VT3 アセンブリのトランジスタが閉じ、回路の下側にあるこのアセンブリのトランジスタが開き、ゲートとソースがシャントされます。トランジスタ VT1 を閉じます。

トランジスタアセンブリ VT3 が使用されるのは、キートランジスタ VT1 が数千ピコファラッドという大きな入力容量を持っているためです。高速再充電のために、VT3 トランジスタアセンブリが使用されており、その素子の開状態でのチャネル抵抗が低くなります。抵抗 R6 はサージ電流を安全なレベルに制限し、デバイスの信頼性を高めます。トランジスタ VT1 が閉じると、インダクタ L1 の磁界に蓄積されたエネルギーがダイオード VD4 を介して出力コンデンサ C8 および C9 に転送されます。コンデンサは負荷に放電され、コンデンサの両端の電圧が減少します。抵抗 R9 の両端の電圧が 2,5 V を下回ると、DA2 チップが閉じ、フォトカプラ U1 の発光ダイオードがオフになり、このフォトカプラのフォトトランジスタが閉じます。その後、説明したプロセスが繰り返されます。

トランスフォーマー - TAN57-220-50。それがない場合は、ランプ白黒テレビから PL 磁気回路上の TS160-TS200 ネットワークトランスを使用できます。変圧器が分解され、フィラメント巻線がコイルから巻かれ（最も太いワイヤで作られています）、巻き数を数えます。次に、二次巻線が別のスプールに巻かれます。通常、直径0,7 ... 0,8 mmのワイヤーで作られます。フィラメント巻線の巻数に 20 を掛けると、各コイルのアノード巻線の巻数が得られます。変圧器を組み立てた後、これらの巻線を同相で直列に接続する必要があります。ダイオードブリッジ VD2 と VD3 に接続される巻線の巻数は、フィラメント巻線の 0,31 倍にする必要があります。これらの巻線は、既存のワイヤ (PEL XNUMX も使用可能) を使用して別のコイルに巻かれます。フィラメント巻線 (図には示されていません) には、事前に取り外したワイヤが巻かれています。これらは、受電装置のランプのフィラメント回路に電力を供給するために使用されます。

トランスを組み立てるときは、粉砕してふるいにかけたフェライト粉末にBF-2接着剤を混ぜたフェライトペーストを磁気回路の端に塗布する必要があります。

トランジスタ VT1 は、内部ダイオード、絶縁ゲート、誘導 n 型チャネルを備えた強力なフィールドスイッチングトランジスタで、最大許容ドレイン-ソース間電圧は少なくとも 400 V、ドレイン電流は少なくとも 2 A です。輸入品 IRF710-IRF740、IRF810-IRF840、国産 KP707 任意の文字インデックス付き。トランジスタ VT2 - ベース電流伝達係数が 100 を超える低電力シリコン、たとえば、任意の文字インデックスを持つ KT342 または KT3102。オプトカプラ U1 - 輸入 4N25 ～ 4N35、PC811 ～ PC817、M008011、MOS8012、または任意の文字インデックス付きの国産 AOT128。ダイオードブリッジ VD1 - 少なくとも 1 A の中程度の整流電流と少なくとも 400 V の逆電圧用。たとえば、DB107、W10M、または別個の KD226D ダイオードから組み立てられます。ダイオードブリッジ VD2 および VD3 は、少なくとも 0,1 A の整流電流と少なくとも 30 V の逆電圧向けに設計する必要があり、適切なパラメータを備えた個別のダイオードから組み立てることができます。ダイオード VD4 - 少なくとも 1 A の許容順電流と少なくとも 400 V の逆電圧でパルス化されます (FR30-7、FR207 など)。

積分スタビライザ DA1 は、出力電圧が 12 V、電流が少なくとも 0,1 A のものであればどれでも使用できます (例: 7812、78M12、78L12)。チップDA2は国産のK142EN19かもしれません。酸化物コンデンサは、図に示されている定格電圧以上のものが輸入されています。コンデンサ C6 および C9 - 定格電圧 73 V の K17-400。これらはコンデンサ C1 および C8 の動作を大幅に容易にします。コンデンサ C5 および C7 - KM-5a または K10-17。固定抵抗 - MLT および S2-23。可変抵抗器R8は輸入品ですが、200V以上の電圧に耐えられる国産品に交換可能です。

インダクタ L1 は、M0,46NM6 フェライトからフレームサイズ Sh6x2000 が満たされるまで、直径 1 mm の PEL ワイヤを巻き付けます。磁気回路は0,2 mmのギャップで組み立てられ、完成したインダクタには笛吹きを防ぐためにパラフィンが含浸されています。

このデバイスは、表面実装によってユニバーサルブレッドボード上に組み立てられ、ラジオ編集テーブルに組み込まれます。

著者: K.モロズ

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