電子バラストで使用される BMT の技術パラメータ。スキーム、説明

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個別要素上の電子安定器。電子安定器に使用される BMT の技術パラメータ。回路の基礎。無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典

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効率的なバイポーラパワートランジスタ (BMT) を製造するための技術は、MOTOROLA によって数年前に開発され、 H2BIP (高利得、高周波バイポーラトランジスタ).

ノート。この新しい技術の本質は、同じ半導体構造上に、メインの高電圧BMTに加えて、このトランジスタのアクティブな過飽和回路と、そのコレクタとエミッタの間に統合された逆並列ダイオードが作成されることです。

この技術を使用して作成された BMT は、バイポーラトランジスタの中で静的、動的、およびエネルギー指標の最良の組み合わせを特徴としていますが、分散時間 t の分散はわずか (±0,15 μs 以下) です。_s。 BUL45D2、BUL38D、BUL39D、MJE18004D2、および人気のある MJE13003、MJE13005、MJE13007、MJE13009 などのこのシリーズのデバイスは、電子安定器 (現在有望な大衆市場製品) で使用されています。

BMT タイプ MJE13003、MJE13005、MJE13007、MJE13009 は多くのメーカーによって製造されているため、MJE の代わりに ST、RNE、KSE、HA、MJF などの名称が付いている場合があります。

テーブル内。 3.11 は、電子安定器で最も一般的に使用される BMT の技術パラメータを示しています。

回路の特徴

ハーフブリッジ回路に従って組み立てられ、それぞれ 36 ～ 40 W の電力で 30 ～ 50 kHz のスイッチング周波数で 45 つの蛍光ランプの動作を制御する、典型的な電子安定器の出力キーのモードの比較分析は、MOTOROLA の MJE2 と同様に、BMT タイプ BUL13005D0,5 を使用した場合のキーの合計電力損失のレベルが非常に小さい値 (トランジスタあたり約 XNUMX W) であることを示しています。

これらのユニットでOAO ELEKTRONPRIBOR（ZAO FZMT、Fryazino）製の国産BMTタイプKT8136AおよびKT8181Aを使用した場合、ほぼ同じインジケーターが得られます。電流・電圧が同等の安定器等に使用する場合

表3.11 電子安定器に使用されるBMTの技術パラメータ

電子バラストで使用される BMT の技術パラメータ。回路の基礎

IR の MOSFET タイプ IRF830 または「超高速」IGBT タイプ IRGB410U では、これらの MT の電力損失レベルは 1,5 ～ 2 倍高くなります (トランジスタあたり 0,8 ～ 1,0 W)。

また、BMT は競合するプロトタイプよりも著しく安価です。これは、電子安定器の最終価格を抑えるために基本的に重要です。BMT は、現在ランプの照明工学で使用されている非効率だが安価な電気機械安定器 (スターター付きチョーク) を LL に置き換えることを目的としているためです。。

著者: Koryakin-Chernyak S.L.

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