動的歪みが少なく、熱安定性が高いアンプ。スキーム、説明

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動的歪みが低く、熱安定性が高いアンプ。無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典

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アンプの動的歪みの減少は、オリジナルの (共通 OOS なしの) アンプの帯域幅を拡大し、線形化されたローカル OOS を使用し、カスケードの振幅周波数特性のカットオフ周波数を適切に選択することによって達成されました。高い熱安定性は、局所的な環境保護、各ケースの熱抵抗が同じである前段カスケードでのトランジスタの使用、および最終カスケードのトランジスタの比較的大きな静止電流 (約 250 mA) によって保証されます。

動的歪みが少なく、熱安定性が向上したアンプ

Основныепараметры：

定格周波数範囲、Hz ......... 20 ... 20 000
定格出力電力 (定格周波数範囲内)、高調波係数 8%、抵抗 0,5 オームの負荷での W......20
高調波係数が 4% の 0,8 オームの抵抗を持つ負荷で ....25
抵抗 8 オームの負荷での定格入力電圧 (出力電力 20 W の場合) ........................ 1
OOS なしのカットオフ周波数 (出力電力 1 W 時)、kHz........30
OOS 深度、dB.......20
ノイズとバックグラウンドの相対レベル、dB........-70

アンプは1段です。第 2 段はトランジスタ V21、V250 の差動であり、静電流伝達係数 h13e とエミッタ - ベース電圧に従って選択されます。十分に高い入力抵抗、低ノイズレベルを実現し、遷移の自己発熱を防ぐために、これらのトランジスタのコレクタ電流は 2 μA に選択されます。トランジスタの合計エミッタ電流はツェナーダイオード V2 によって安定化されます。第 3 段のローカル OOS は、トランジスタ VI、VXNUMX のエミッタ回路に抵抗 RXNUMX、RXNUMX を含めることによって作成されます。

4 番目のステージは複合トランジスタ V5V10 上に組み立てられます。ここでは、ローカル OOS が、トランジスタ V5 のコレクタをトランジスタ V4 のエミッタに接続する抵抗器 R6 を通じて実行されます。カスケードの負荷は、トランジスタ V8、V16 の電流発生器、抵抗 R9、およびトランジスタ V10、V16 のカスケードの入力抵抗です。複合トランジスタ、電流発生器、および抵抗 R100 は、出力段の等価信号電圧源を形成します。結果として得られる XNUMX% の電圧フィードバックにより、電流伝達係数の非線形性が排除され、カスケードのカットオフ周波数が増加します。

出力段はトランジスタ V9 ～ V12 で構成されます。高い熱安定性を確保するために、前段には同じ熱抵抗を持つ P701A および P303A トランジスタが使用されました。トランジスタ V11 および V12 の高い静止電流により、ステップ型歪みが低減され、出力信号レベルの急激な低下時の熱ショックによるメイン OOS ループ (R15、R14、R4、C6) の過渡プロセスが排除されます。静止電流の熱安定化は、トランジスタ V7 によって実行されます。バイアス回路のダイオード V15、V16 は、最終段のトランジスタの 2 つのヒートシンク上に配置されます。アンプの周波数応答はコンデンサ C8 と CXNUMX * によって補正されます。

負荷の短絡や過電流から、アンプはヒューズ F1 ～ F3、トランジスタ V3、ダイオード V14 によって保護されます。いずれかのヒューズが切れた場合、トランジスタ V3 は複合トランジスタの電流を 9 ～ 55 mA に制限し、ヒューズ F60 が切れた場合、ダイオード V14 はトランジスタ V2 のベースの負電圧を 0,7 V に制限します。

トランジスタ V5、V8 は、厚さ 1 mm の銅板を曲げた U 字形のヒートシンクに取り付けられています。各ヒートシンクのベースの寸法は 23 x 23 mm、シェルフは 10 x 23 mm です。このようなヒートシンクの熱抵抗は約 35 °C/W です。トランジスタ V11、V12 のヒートシンクは、厚さ 2 mm の銅シートから曲げられています。

それぞれは 80 つの U 字型の部品で構成され、ベースの角に銅のリベットで固定されています。ベースの寸法 - 80 X 25 mm、棚 - 80 x 3,6 mm。熱抵抗 - 15℃/W。ダイオード V16、V11 は、トランジスタ VXNUMX のヒートシンクの穴に接着されています。

コイル L1 は、抵抗器 R2 (MLT-0,5) のハウジングが満たされるまで、ワイヤー PEV-25 で 2 回転巻かれます。 R24 と R25 を除く、図に示されているすべての抵抗の値からの抵抗の偏差は ± 5% を超えてはなりません。

まず、± 30 V の電圧源によって電力供給されるアンプの部分を調整します。これを行うには、ヒューズ F1 ～ F3 を取り外し、トランジスタ V5 のエミッタとトランジスタ V9 のベースの接続も切断します。トランジスタV8のコレクタとトランジスタV10のベースとして接続されます。トランジスタＶ５のエミッタはトランジスタＶ８のコレクタに一時的に接続され、抵抗Ｒ１４とＲ１５の接続点は共通の配線に接続される。抵抗器 R5 * を選択することにより (8 オームから開始して減少方向に)、トランジスタ V14 のコレクタでゼロ電圧が達成されます。この電圧は、電源投入直後およびトランジスタの 15 分間のウォームアップ後の両方で ±7 V を超えてはなりません。

信号制限の対称性は、アンプの入力に 100 mV の交流正弦波電圧を印加することでオシロスコープを使用してチェックされます。トランジスタ V8 のコレクタでの電圧振幅は少なくとも ± 24 V でなければならず、カットオフ周波数は次の条件を満たす必要があります。少なくとも 200 kHz である必要があります。最初の 5 つの段の過渡応答をチェックするには、トランジスタ V4 のエミッタを抵抗 RJ15、R0,5 の接続点に接続し、振幅 1 V、周波数 8 kHz の方形パルスを入力に加えます。オシロスコープ画面上のパルスは、急峻な (スパイクがない) 立ち上がりと立ち下がりを持つ必要があります。必要に応じて、コンデンサ CXNUMX * を選択します。

その後、図に従ってすべての接続が復元され、ヒューズF3〜F1が所定の位置に配置され、コイルL14が短絡され、静電容量15...消費電力5...10Wのコンデンサが接続されます。電源を入れて、アンプの出力の DC 電圧 (±8 mV を超えないこと)、バックグラウンドレベル (周波数 25 Hz のリップルの許容範囲 - 30 mV 以下)、および振幅を測定します。歪みのない出力信号（抵抗が 100 オームの負荷、少なくとも 100 V の場合）。トランジスタ V300、V8 の静止電流 (20 mA) は、抵抗 R11 * を選択することによって設定されます (12 ～ 250 kOhm から開始して減少方向)。その後、抵抗 R18、R5 を共通配線で接続しているコンデンサを取り外し、調整は完了したとみなします。

他の記事も見る セクショントランジスタパワーアンプ.

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