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真空中の音。 ランプサウンド技術。 無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典

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無線電子工学と電気工学の百科事典 / チューブパワーアンプ

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最近、チューブサウンドテクノロジーの設計がますます一般的になっています。 この記事では、仕事を始めるときに知っておくべきことをお話しします。

1. 解剖学

電子ランプの動作原理は、静電界内の荷電粒子 (電子) の動きに基づいています。 ラジオ管のデバイスを考えてみましょう。 この図は、間接白熱の単純なランプ (ダイオード) の設計図を示しています。

真空中の音。 ランプサウンドテクノロジー。 ラジオ管の構造

実際には、ランプは高真空 (10-5 ~ 10-7 torr) が生成されるガラス容器です。 古典的なランプでは、電極の形状は類似しており、同心の「円柱」です。 重要なのは、陰極が加熱されると電子が励起されて陰極から出ていくということです。 直接フィラメント陰極は、通常の照明ランプと同様に、単なるタングステン フィラメントです。 このようなカソードは、カソードに特別なレジームを作成する必要がない場合に使用されます。 ほとんどのランプは間接フィラメント陰極を使用しています。 この場合、フィラメントは金属管の中に入れられます。 カソードから少し離れたところに、電子の流れの「最終停止点」であるアノード、つまり電極があります。

カソードからアノードへの電子の移動速度を制御するには、追加の電極が使用されます。 グリッドは3種類に分かれます。 制御、スクリーン、保護 (対ダイナトロン)。 メッシュは、金属ポスト (トラバース) にワイヤーを螺旋状に巻き付けたもので、XNUMX つのマイカ フランジの間に挟まれています。 同じフランジがアノードとカソードのトラバースを保持します。 いくつかの電極システムを含むランプもあります。 このようなランプはコンビネーションランプと呼ばれます。 ランプの出力に応じて、電極と本体はさまざまな材料で作ることができます。 通過する電流が増加すると、消費電力も増加します。

2. モラル

ランプの種類ごとに独自のパラメーターと特性があることは明らかです。 まず、ランプの動作モードを調べましょう。 通常の電子の流れを生成するために、ランプの電極間スペースに特殊な静電ポテンシャルが生成されます。 これらの電位は、電極に作用する電圧によって決まります。 主な動作モードを検討してください。
1. 最大許容アノード電圧 (Ua max)。 アノードとカソード間の電圧を超えると、ブレークダウンが発生します。 冷陰極では、この電圧は大きくなります。 同じことがグリッド電圧にも当てはまります。

2. 最大許容アノード電流 (Ia max)。 アノード回路の電流の最大許容値。 本質的に、ランプを通過する電流から、グリッドの電位によって「引き伸ばされた」小さな部分を差し引いたものです。

3.加熱電圧(Un)。 カソードが熱電子放出に必要な温度に達すると同時に、ランプが宣言された耐久性パラメーターを維持するフィラメント (ヒーター) に適用される典型的な電圧。

4. 加熱電流 (In)。 フィラメントに流れる電流。

このランプに組み立てられたアセンブリのパラメータに影響を与えるランプの設計に起因する多くの特性もあります。

1. 特性 (S) の傾き。 制御グリッドの電圧増分に対する陽極電流増分の比率。 それらの。 制御電圧が 1V 変化したときにアノード電流がどれだけ変化するかを判断できます。

2. ランプの内部抵抗 (Ri)。 対応するアノード電流増分に対するアノード電圧増分の比率。 ある意味で、これはトランジスタの電流伝達係数と比較することができます。 制御(正)電圧が増加すると、アノード電流が増加します。 外見上、これは抵抗の減少のように見えます。 当然、ランプ自体には能動抵抗はありません。 これは電極間静電容量によって決定され、本質的に反応性があります。

3. 静的ゲイン (µ)。 陽極電流の同じ増分を引き起こす制御の増分に対する陽極電圧の増分の比率。 それらの。 実際、これは、制御電圧を 1 V 増加させると、アノード電圧を同様に増加させるよりも何倍効果的かを示しています。

3.名前

ランプのいくつかのパラメーターと設計上の特徴は、それらのマーキングによって認識できます。

第 1 要素 - 丸められたフィラメント電圧を示す図

2 番目の要素は、ランプの種類を示す文字です。
A - XNUMX つの制御グリッドを備えた周波数変換ランプ。
B - 五極管ダイオード
B - 二次放射を伴うランプ
G - ダイオード三極管
D - ダイオード (ダンパーダイオードを含む)
E - 電子ライトインジケーター
F - 短い特性を持つ高周波五極管。 デュアル制御五極管を含む
そして - 三極管 - 六極管、三極管 - 七極管、三極管 - 八極管。
K - 拡張特性を持つ五極管。
L - 集束ビームを備えたランプ。
H - 二重三極管。
P - 出力五極管、ビーム四極管
P - 二重四極管 (梁を含む) および二重五極管。
C - 三極管
F - 三極管・五極管
X - ケノトロンを含むダブル ダイオード
C - 受信増幅ランプのカテゴリに属する​​ケノトロン。 (専用整流器には特別なマーキングがあります)
E - 四極管

3 番目の要素は、デバイス タイプのシリアル番号 (つまり、このシリーズのランプ開発のシリアル番号) を示す番号です。たとえば、1 ボルトのフィンガー型双三極管シリーズの最初に開発されたランプは 6N6P です。 )。

4番目の要素 - ランプのデザインを特徴付ける文字:

A - 直径8mmまでのガラスケース入り。
B - 超小型、直径 10,2 mm までのガラスケース入り
G - 超小型、直径10,2 mmを超えるガラスと金属のケース
D - ディスクはんだを備えた金属ガラスケース内 (主にマイクロ波技術で使用される)
K - セラミックケース入り
H - 超小型、セラミック メタル ケース (nuvistor)
P - ガラスケース入りミニチュア(指)
P - 直径5 mmまでのガラスケースに入った超小型。
C - 直径22,5 mmを超えるガラスケース内。
金属ケース内の直径が22,5mmを超えるオクタルランプの場合、4番目のマーキング要素はありません。

4. 労働条件

ランプは半導体デバイスよりも設置が難しいという先入観があります。 実際、EVP の動作条件は、半導体デバイスによって課される条件とそれほど変わりません。 さらに、ランプは半導体ほど熱的条件が要求されません。 したがって、最大20Wの電力を持つ真空管アンプの出力段は、半導体アンプのように強制冷却する必要がありません。 ほとんどのランプは、特別な種類のコネクタ、つまりランプ ソケットに取り付けられます。 一部のランプには電球の上部に端子があります。 ほとんどの場合、これらはアノードまたはスクリーン グリッドの端子であり、比較的高い電圧が印加されます。 これは、他の電極の端子との間の絶縁破壊を避けるために行われます。 動作中にランプが非常に高温になる場合は、ランプをできるだけ離すことをお勧めします。 最近、ランプ技術の構築に特別な傾向が現れています。 ランプと変圧器はデバイスの上部パネルに配置され、残りの部品はシャーシの地下に取り付けられます。 このようなデバイスはよりよく冷却されるため、ランプの上部に高電圧による損傷の恐れがあるアノード端子がない場合、このアプローチは非常に合理的であると考えられます。 ランプは厳密に垂直に配置する必要はありません。 グリッドが加熱してたわみ、それによって電極間短絡が発生する危険がなければ、地平線に対する任意の傾斜角が許容されます。

5. キックとスラップ

著者は、記事に関する質問や批判的なコメントを喜んで受け入れます。

フィードバックに基づいて、ガス放電および電子ビーム EWP に関する同様の記事を書く可能性が検討されます。

著者: Pavel A. Ulitin、電子メール: Overlord7[bug]yandex.ru、ICQ #: 323-026-295; 出版物: cxem.net

他の記事も見る セクション チューブパワーアンプ.

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ウラジミール
素晴らしい記事です! 温度と制御電流/電圧からの直線性の違いに関して、ランプとトランジスタの十分な比較はありません。


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