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光信号を制御および操作する新しい方法 05.05.2024

現代の科学技術は急速に発展しており、日々新しい手法や技術が登場し、さまざまな分野で新たな可能性を切り開いています。そのような革新の 1 つは、ドイツの科学者による光信号を制御する新しい方法の開発であり、これはフォトニクス分野での大きな進歩につながる可能性があります。最近の研究により、ドイツの科学者は石英ガラス導波管内に調整可能な波長板を作成することができました。液晶層の使用に基づくこの方法により、導波路を通過する光の偏光を効果的に変化させることができる。この技術的進歩により、大量のデータを処理できるコンパクトで効率的なフォトニックデバイスの開発に新たな展望が開かれます。新しい方法によって提供される偏光の電気光学制御は、新しいクラスの集積フォトニックデバイスの基礎を提供する可能性があります。これにより、次のような大きな機会が開かれます ... >>

プレミアムセネカキーボード 05.05.2024

キーボードは、私たちの毎日のコンピューター作業に不可欠な部分です。ただし、ユーザーが直面する主な問題の 1 つは、特にプレミアムモデルの場合、騒音です。しかし、Norbauer & Co の新しい Seneca キーボードでは、状況が変わるかもしれません。 Seneca は単なるキーボードではなく、完璧なデバイスを作成するための 5 年間の開発作業の成果です。このキーボードは、音響特性から機械的特性に至るまで、あらゆる側面が慎重に考慮され、バランスがとられています。 Seneca の重要な機能の 1 つは、多くのキーボードに共通するノイズの問題を解決するサイレントスタビライザーです。さらに、キーボードはさまざまなキー幅をサポートしているため、あらゆるユーザーにとって便利です。 Seneca はまだ購入できませんが、夏の終わりにリリースされる予定です。 Norbauer & Co の Seneca は、キーボード設計の新しい標準を表します。彼女 ... >>

世界一高い天文台がオープン 04.05.2024

宇宙とその謎の探索は、世界中の天文学者の注目を集める課題です。都会の光害から遠く離れた高山の新鮮な空気の中で、星や惑星はその秘密をより鮮明に明らかにします。世界最高峰の天文台、東京大学アタカマ天文台の開設により、天文学の歴史に新たなページが開かれています。アタカマ天文台は海抜 5640 メートルに位置し、天文学者に宇宙研究の新たな機会をもたらします。この場所は地上望遠鏡の最高地点となり、研究者に宇宙の赤外線を研究するためのユニークなツールを提供します。高地にあるため空はより澄み、大気からの干渉も少なくなりますが、高山に天文台を建設することは多大な困難と課題を伴います。しかし、困難にもかかわらず、新しい天文台は天文学者に研究のための広い展望をもたらします。 ... >>

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三次元トランジスタ 18.12.2012

パデュー大学とハーバード大学で開発された新しいタイプのトランジスタは、電子機器のさらなる小型化の問題を XNUMX 年以内に解決することを約束します。研究者は、従来のトランジスタのようなシリコンではなく、インジウムガリウムヒ素でできた XNUMX つの小さなナノワイヤからトランジスタを作成しました。 XNUMX本のナノワイヤがクリスマスツリーに似た円錐形を作り、エレクトロニクスメーカーはこの「新年の贈り物」を長い間待ち望んでいました.

今年登場した最新世代のシリコンチップには、通常のフラットなデザインではなく、縦型の 3D 構造を持つトランジスタが含まれています。しかし、シリコンでは電子移動度が制限されており、さらなる進歩には、電子の流れをより速く移動できる材料が必要です。これにより、コンピューターの速度とエネルギー効率が大幅に向上します。

インジウムガリウムヒ素は、シリコンに取って代わる有望な半導体の XNUMX つです。このような材料は、周期表の第 XNUMX 族と第 XNUMX 族の元素を組み合わせているため、半導体 III-V と呼ばれます。

トランジスタにはゲートと呼ばれる、電気の流れを制御することでオンオフを切り替える重要な部分があります。ゲートが小さいほど、トランジスタは高速になり、したがってコンピューターも高速になります。最新のトランジスタのゲートの長さは約 22 ナノメートルです。エンジニアは 14nm ゲートトランジスタに取り組んでおり、2015 年までに、10 年までに 2018nm が完成する予定です。

残念ながら、計算によると、10 nm 未満のシリコンベースのサイズは達成不可能であり、将来の電子機器は導体と誘電体の新しい材料を探す必要があります。新しいタイプのトランジスタのナノワイヤは、さまざまな種類の複合絶縁体でコーティングされています。アルミン酸ランタンの 4nm 層と、アルミナの 0,5nm の極薄層です。新しい極薄誘電体により、科学者は 10 nm のマイルストーンを超える可能性のあるインジウムガリウムヒ素ベースのトランジスタを作成できるようになりました。これまでのところ、新しいトランジスタのプロトタイプには 20nm のゲートがあり、それ自体が現在の技術よりも優れています。新しいトランジスタは、シリコンよりも 2,5 倍高速に動作し、わずか 0,5 V の低電圧で動作します。

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