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経頭蓋磁気刺激は短期言語記憶を改善した

04.10.2021

単語記憶中に左背外側前頭前皮質に適用される XNUMX ヘルツの周波数での経頭蓋磁気刺激は、改善された言語記憶と関連しています。 さらに、この効果は、記憶形成のよく知られた生理学的相関関係、つまり後部皮質で観察されるベータ波の減少と関連しています。

左背外側前頭前皮質は、言語記憶の形成に重要な役割を果たします。この領域が単語、テキスト、またはその一節を記憶しているときに刺激されると、後で記憶された記憶を再現しようとすると、記憶パフォーマンスが低下します。が見つかります。 さらに、このようなパフォーマンスの低下は、主に、振動周波数が 20 ヘルツの興奮性経頭蓋磁気刺激 (TMS) を使用した場合に観察されます。 このように、左背外側前頭前皮質の活動は、記憶能力と反比例の関係にあるようです。

したがって、左背外側前頭前皮質の活動を抑えることで、記憶力を高めることができると考えられます。 また、ゆっくりとした (XNUMX ヘルツの周波数で) 反復 TMS を適用すると、運動野に抑制効果があるという事実は、影響の方法を示唆しています。

研究の最初の実験では 40 人の健康な参加者が、24 回目の実験では 10 人がシリーズごとに 12 語のリストを XNUMX つ調べ、合計 XNUMX のシリーズがありました.参加者は、両方のリストを覚えるか、またはどちらかのタスクに直面しました。唯一。 同時に、各実験では、XNUMX 番目のリストを記憶しながら、参加者の半数が左背外側前頭前皮質の XNUMX ヘルツの周波数で反復 TMS を受け、対照群となった残りの半数が XNUMX 番目のリストでそれを受けました。以前の研究によると、これらの領域の刺激は、ほとんどの実験課題に関与する現在の脳プロセスへの影響が比較的小さいためです。

自由想起では、対照群と比較して、実験群の参加者は有意に多くの単語を覚えていましたが、記憶中に背外側前頭前皮質の刺激を受けたリストの単語のみを覚えていました。 最初の実験で同時に記録された EEG データは、XNUMX ヘルツの TMS が、記憶形成に有益であることが知られている状態であるベータ波のその後の減少と関連していることを示しました。 この減少は、誤って知覚されたものやまったく知覚されなかったものを正しく思い出すことが不可能であるため、記憶にとって重要な情報知覚のプロセスに関与する頭頂部と後頭部で見られました。

TMS が記憶に及ぼす影響に加えて、科学者が短期記憶から長期記憶への途中で記憶を傍受するのを助けてきました。 そしてこれは、記憶形成のメカニズムや、作業記憶から長期保存への情報の伝達を研究する上で重要です。

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ミニエアコン ソニー レオンポケット5 09.05.2024

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強力なバッテリーを作成する新しい方法 08.05.2024

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温かいビールのアルコール度数 07.05.2024

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インテル LTE モデム 26.08.2013

インテルは今月、LTE モデムの最初の出荷を開始します。 TSMC がリリースする新しいデバイスは、15 の周波数帯域をサポートします。 同時に、Intel が自社製品でこれらのモデムを使いこなすには 2 ~ 3 年かかります。

理論的には、Cat 3 LTE モデムの最大スループットは 100 Mbps です。

IV四半期に。 帯域幅が 4 Mbps で、VoLTE (Voice over LTE) ネットワークでの音声伝送技術をサポートする Cat 150 デバイスの登場が予想されます。

インテルは来年上半期に、キャリア アグリゲーションをサポートするチップの出荷を開始します。キャリア アグリゲーションでは、複数のチャネルを使用して帯域幅を増やし、データ レートを LTE Advanced 規格で提供される 1 Gb/s まで上げます。

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