無線電子工学および電気工学の百科事典 VHFラジオパワーアンプ。 無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典 1段アンプ(図144)は、周波数範囲146 ... 100 MHzのラジオ局で動作するように設計されています。 その出力電力は、最大 10 W の励起電力で最大 XNUMX W です。 第 2 段階では、強力な 909P25A MOS 電界効果トランジスタが使用され、30 ~ 2,5 dB の電力ゲイン、30 dB 以下のノイズ レベル、および -XNUMX dB 以下の相互変調歪みレベルを提供します。 第9105段階は、バランストランジスタKT9105ACに電力を追加するためのブリッジ回路に従って作成されます。リードインダクタンスの影響は、それらの大部分がXNUMXつのトランジスタに共通しているため、著しく減少します。 また、同じパラメータに従って XNUMX つのトランジスタを選択する必要もありません。 アンプの供給電圧が小さいことと KTXNUMXAC の寸法により、コンパクトな VHF ラジオ局の設計における多くの問題を解決することができます。 アンプは上に構築されています ホイルグラスファイバー製のボード 厚さ 2 mm、サイズ 180x185 mm (図 2)。 詳細は、この周波数範囲のインストール規則に従って、「パッチ」のボードの片側に配置されます。 2P909A トランジスタの場合、基板に直径 11 mm の穴が開けられます; KT9105AC の場合、寸法 10x25 cm の長方形の穴が開けられます. アンプの電源電圧は、スクリーンの導体を介して供給されます. 、ボードの全長に沿ってはんだ付けされています。 アンプのコイルはフレームレスで、銀メッキの銅線が巻かれています。 コイル L1、L2 には、直径 3 mm のワイヤが 0,8 回巻かれています。 ターン間の距離は 2,5 mm、内径は 3 mm、インダクタンスは 0,3 μH です。 コイル L4、L5、L10、L11 には、それぞれ 2 mm のワイヤが 0,8 回巻き、内径 10 mm、巻き間の距離 2,5 ... 3,0 mm、インダクタンス 0,2 μH があります。 コイル L12 には、直径 4 ~ 1,5 mm のワイヤが 1,8 回巻かれています。 コイルの内径は10mm、インダクタンスは0,3μHです。 インダクタ L3 - 2 μH のインダクタンスを持つ統合 HF インダクタ D1。 チョーク L6、L7 には 10 ターンのワイヤ PEV-2 0,33 が含まれています。 それらはフレームレスで、内径は2,5mm、巻き間の距離は1〜1,5mm、インダクタンスは0,4μHです。 チョーク L8、L9 には 10 ターンのワイヤ PEV-2 0,8 があります。 フレームレス巻線、内径6mm、インダクタンス0,6μH。 コンデンサ C1 および C2 - KPK-MN、KPKMN。 残りのトリマー コンデンサ - 空気誘電体 KPV、KPVM を使用。 永久コンデンサ - あらゆるタイプのリードレス。 1 V (15 W) 用の任意のタイプのツェナー ダイオード VD0,5。 ダイオード VD2、VD3 2D212 (A または B) または KD212A、2D215V、KD226A、KD212V、KD208A。 CHIP コンポーネントを使用すると非常に便利です。 製造されたチップ - インダクタンス、0,1 から 1000 μH のインダクタンスを持ち、寸法は 4,5x3,2 mm です。 3,2x2,5mm。 リードレス抵抗器およびコンデンサ (公差 2%) は、フラット パッケージで製造されています。 端子の特別な設計により、部品の組み立てと接続の品質が向上します。 トランジスタ 2P909A の本体からリードのはんだ付けポイントまでの最小距離は 1,0 ~ 1,5 mm です。 はんだ付け温度は +250° C 以下です。はんだ付け時間は 3 秒以下です。 KT9105AC トランジスタの場合、リードの曲げはケースから 3 mm 以内で許可され、はんだ付けは + 1 °C 以下の温度で 265 秒間 4 mm 以内で許可されます。 トランジスタは、フランジをヒートシンクに+ 150°C以下の温度で2分間はんだ付けすることで取り付けることができます。 アンプのヒートシンクには、高さ50 mmのリブ付き表面があり、その総表面積は300平方cm以上です。 トランジスタは、ヒートシンクと確実に熱接触する必要があります。 第2段階では、トランジスタ909P2B、909P510V、または外国のIRF511、IRF520、IRF530、IRF531、IRFXNUMXを使用できます。 VT2 の代わりに、1,7 つのバイポーラ トランジスタを使用して、適切なパラメータに従って選択することができます。 この場合、ヒートシンク面積は約 XNUMX 倍になります。 アンプをセットアップするとき、静止電流は第 50 段階で 70 ~ 7 mA に設定され、第 8 段階では R300 と R320 を選択することにより、同じ静止電流が XNUMX ~ XNUMX mA の範囲内になります。 次に、アンプの回路は、コイルの巻き数を選択してシフトすることにより、144 ... 146 MHzの周波数に調整されます。 その後、増幅器の電力が測定されます。 整合負荷で作業する場合、パワーアンプの供給電圧は 35 ~ 40 V を超えてはなりません。 著者: Gennady Osipov (RV3AK)、モスクワ; 出版物: N. ボルシャコフ、rf.atnn.ru 他の記事も見る セクション RFパワーアンプ. 読み書き 有用な この記事へのコメント. 科学技術の最新ニュース、新しい電子機器: 量子もつれのエントロピー則の存在が証明された
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