安定した高周波アンプ。スキーム、説明

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安定した高周波アンプ。無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典

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図1に示すUHF回路図は、大きくて安定したゲインKu（数千）と、消費量が少なく、特性の安定性が高いことが特徴です[1]。

直流の場合、トランジスタVT1はダイオードによってオンになります（ベースとコレクタはインダクタL1を介して閉じられます）。 DC回路全体は、深い電流フィードバックを備えた改良されたウィルソン電流発生器です。したがって、すべてのトランジスタの動作モードは安定しており、温度や電源電圧に依存しません (2 V 以上の場合) コレクタ電流 VT2 と VT3 は同じで、抵抗 R1 によって設定されます。式によって決定されます：R1 \u2d（Upit-0.7Ube）/ Ik、シリコントランジスタの場合、Ube = 2 V。 Ik - 必要なコレクタ電流 VT3、VTXNUMX。

交流的には、この回路はOE-OE-OEアンプであり、XNUMXトランジスタアンプの他のトランジスタスイッチング回路と比較して最も高い係数を持っています。

最初の増幅段はトランジスタVT1で作成され、L1はバイアスを提供します。 VT1の動作の特徴は、このトランジスタのコレクタベース電圧がゼロに等しいことです。ただし、これは増幅特性に影響を与えません。これは、コレクタ-エミッタ間電圧Uke = 0.7 Vであり、低電力シリコントランジスタの場合、飽和電圧である0.1〜0.2Vよりもはるかに高いためです。

安定した高周波増幅器

C1、C2 = 0.033 μF、L1、L2 = 40 μH、R1 = 5.1 kΩ

このような低電圧Ukeでは、アクティブモードVT1は、コレクターの交流電圧の振幅が200mVを超えない限り維持されます。ただし、このアンプでは、VT2、VT3の後続ステージのゲインが高いため、これを大きくすることはできません。

VT2の1番目の増幅ステージもOEスキームに従って作成され、増幅された信号はR2に割り当てられます。コレクタVT3から、信号はベースVT2に送られ、そのエミッタはブロッキングコンデンサC3を介して高周波で接地されます。増幅されたVT1出力信号は負荷ZXNUMXに割り当てられます。並列発振回路（共振増幅器付き）または抵抗器（広帯域のもの付き）として使用できます。

アンプは高く安定したゲインを持ち、要素の設置と配置には重要ではありません。図1に示されている定格では、VT1-VT3 KT368AM、Upit \u12d 1V、およびZ0として1k0.1mの抵抗器を使用すると、アンプの周波数帯域は20〜3000 MHzおよびKu \u1.5d 12になります。広い範囲でKuを調整する必要がある場合（たとえばAGC用）、電源のプラスから切り離すことにより、上部端子R1に+XNUMX ... XNUMX Vの制御電圧を加えることができます。

安定した高周波増幅器

検討対象のUHFをMW範囲の直接増幅受信機で使用する例を図2に示します。磁気アンテナWA1はロッド400NN0 mmで作られています。L8には1ターンのPELSHO90ワイヤーが含まれ、L0.1〜2ターンの同じワイヤーが含まれています。チョークには抵抗R3、R2が含まれています。 UHF入力からUpit=2VでKu=3。検出器はダイオードVD6000〜VD6で作られています。これはゲルマニウムでなければなりません。電圧が1Vに低下しても、レシーバーは動作し続けます。

文学

1.G.ウトチキン。 I.ゴンチャレンコ。高周波増幅器。ソ連第 4649488/09 号の申請、23.11.89 年 XNUMX 月 XNUMX 日付の著者証明書の発行に関する VNIIGPE の決定

著者：G。Utochkin、Ryazan、I。Goncharenko（RC2AV）、ミンスク; 出版物：N。ボルシャコフ、rf.atnn.ru

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