電界効果トランジスタ。代表的なアプリケーション。参照データ

無線電子工学および電気工学の百科事典
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電界効果トランジスタ。代表的なアプリケーション。参照データ

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トランジスタ	任命
2P101	高入力インピーダンスの低周波および DC アンプの入力段での動作用
KP102	高入力インピーダンスの低周波および DC アンプの入力段での動作用
2P103 2P103-9	高入力インピーダンスの低周波および DC アンプの入力段での動作用
2PS104	高入力インピーダンスを備えた低周波および直流の差動低ノイズアンプの入力段での動作用
2P201	高入力インピーダンスの低周波および DC アンプの入力段での動作用
2PS202	高入力インピーダンスを備えた低周波および直流の差動低ノイズアンプの入力段での動作用
KPS203	高入力インピーダンスを備えた低周波および直流の差動低ノイズアンプの入力段での動作用
KP301	低ノイズアンプおよび高入力インピーダンスの非線形小信号回路のフロントエンドでの使用向け
KP302	最大 150 MHz の周波数範囲の広帯域アンプ、およびスイッチングおよびスイッチングデバイスでの使用向け
KP303	高入力インピーダンスを備えた高周波 (D、E、I) および低周波 (A、B、C、G) のアンプの入力段で使用するために設計されています。 KP303G トランジスタは、電荷に敏感なアンプやその他の核分光分析回路で使用するために設計されています。
KP304	高入力インピーダンスのスイッチングおよび増幅回路で使用するために設計されています
2P305	高入力インピーダンスの高周波および低周波増幅段で使用するように設計されています。
KP306	高入力インピーダンスを備えた高周波および低周波のコンバータおよび増幅段で使用するために設計されています。
KP307	高入力インピーダンスを備えた高周波および低周波アンプの入力段で使用するために設計されています。 KP307Zh トランジスタは、電荷感知増幅器およびその他の核分光分析回路で使用するために設計されています。
2P308-9	低周波および直流アンプの入力段 (A、B、C)、スイッチング回路および高入力インピーダンスのスイッチ回路 (G、D) で使用するために設計されています。
KP310	マイクロ波トランシーバー用
KP312	マイクロ波範囲のアンプおよびコンバータの入力段で使用するために設計されています。
KP313	高入力インピーダンスの高周波および低周波増幅段で使用するように設計されています。
KP314	核分光分析装置のプリアンプの冷却カスケードでの使用向け
KPS315	高入力インピーダンスを備えた低周波および直流の差動低ノイズアンプの入力段での動作用
KPS316	差動アンプの入力段、高入力インピーダンスの各種バランス回路に使用
3P320-2	8 GHzの周波数で正規化された雑音指数を備えたマイクロ波増幅デバイス用のショットキー障壁を備えたヒ素ガリウム電界効果トランジスタ
3P321-2	8 GHzの周波数で正規化された雑音指数を備えたマイクロ波増幅デバイス用のショットキー障壁を備えたヒ素ガリウム電界効果トランジスタ
KP322	最大 400 MHz の周波数で増幅および混合ステージを実現する pn 接合に基づく四極管
KP323-2	低周波数および高周波数（最大 400 MHz）の低ノイズプリアンプ用の p-n 接合トランジスタ
3P324-2	12 GHzの周波数で正規化された雑音指数を備えたマイクロ波増幅デバイス用のショットキー障壁を備えたヒ素ガリウム電界効果トランジスタ
3P325-2	低レベルのノイズを備えたマイクロ波デバイスおよび低レベルの固有ノイズを備えた光検出器用の、周波数 8 GHz での正規化雑音指数を備えたショットキー障壁を備えたヒ素ガリウム電界効果トランジスタ
3P326-2	フロントエンドおよびダウンストリームの低ノイズアンプで使用する17.4 GHzショットキーバリアFET
KP327	VHF および UHF TV チャンネルセレクター用の N チャンネルおよびダイオード保護ゲートを備えた MOS 四極管
3P328-2	低雑音増幅器の入力段および後続段で使用する、周波数 8 GHz での正規化雑音指数を持つショットキー障壁を備えたヒ素ガリウム電界効果トランジスタ
KP329	低周波数および高周波数（最大200 MHz）のアンプの入力段、スイッチングデバイスおよび高入力インピーダンスのスイッチでの使用向け
3P330-2	25 GHz (3P330A-2、3P330B-2) および 17.4 GHz (3P330V-2) の周波数で正規化雑音指数を備えたショットキー障壁を備えたガリウムヒ素電界効果トランジスタで、低雑音アンプの入力段および後続段で使用されます。
3P331-2	低ノイズで拡張されたダイナミックレンジのアンプアプリケーション向けに、定格雑音指数が 10 GHz のショットキーバリアを備えたヒ素ガリウム電界効果トランジスタ
2P332	スイッチングおよび増幅デバイス用のpチャネル電界効果トランジスタ
2P333	低周波数および高周波数（最大200 MHz）の増幅器の入力段、スイッチングデバイスおよび高入力抵抗のスイッチに使用される電界効果nチャネルトランジスタ
2P335-2	増幅装置用
2P336-1	スイッチングおよび増幅デバイス用
2P337-R	電気的パラメータに従ってペアで選択されたトランジスタは、最大 400 MHz の周波数で高入力インピーダンスを備えたバランスアンプ、差動アンプで使用するために設計されています。
2P338-R1	電気的パラメータに従ってペアで選択されたトランジスタは、高入力インピーダンスを持つバランスアンプ、差動アンプで使用するために設計されています。
3P339-2	8 GHz および 17.4 GHz のノイズ定格ショットキー FET で、低ノイズ、拡張ダイナミックレンジ、広帯域アンプに使用
2P341	周波数範囲 20 Hz ～ 500 MHz の低ノイズアンプの入力段用の pn 接合を備えたトランジスタ
KP342	スイッチングデバイス用
3P343-2	フロントエンドおよびダウンストリームの低ノイズアンプで使用する12 GHzショットキーバリアFET
3P344-2	フロントエンドおよびダウンストリームの低ノイズアンプで使用する4 GHzショットキーバリアFET
3P345-2	低レベルの固有ノイズを備えた光検出器用のショットキー障壁を備えたガリウムヒ素電界効果トランジスタ
KP346-9	TV受信機チャンネルセレクター用のダイオード保護されたゲートを備えたMOS nチャネルダブルゲートトランジスタ(A、B - デシメートル波用、C - メートル波用)
2P347-2	ラジオ受信機の入力段用のnチャネルダブルゲートトランジスタ
KP350	超高周波 (最大 700 MHz) のカスケードの増幅、生成、変換に使用するように設計されています。
KP351	3 つのゲート (351P2A-3) および 351 つのゲート (1P2AXNUMX-XNUMX) を備えたショットキー障壁を備えたトランジスタで、センチメートル範囲の低ノイズアンプ、ミキサー、その他のデバイスでの使用向けに設計されています。
KP365A	BF410C nチャネルトランジスタ
KP382A	BF960 ダブルゲート FET チャネルセレクター DH
KP501A	アナログ通信のキーとして使用されるZVN2120高耐圧MOSFET
KP601 2P601-9	拡散ゲートとnチャネルを備えた電界効果トランジスタで、増幅器および周波数変換器の入力段および出力段で動作します。
AP602-2	ショットキーバリアとnチャネルを備えたヒ素ガリウム電界効果トランジスタは、3～12 GHzの周波数範囲のパワーアンプ、自己発振器、周波数コンバータで動作します。
3P603-2	ショットキーバリアとnチャネルを備えたヒ素ガリウム電界効果トランジスタは、最大12 GHzの周波数範囲のパワーアンプ、自己発振器、周波数コンバータで動作します。
3P604-2	ショットキーバリアとnチャネルを備えたヒ素ガリウム電界効果トランジスタは、3～18 GHzの周波数範囲のパワーアンプ、自己発振器、周波数コンバータで動作します。
3P605-2	ショットキーバリアとNチャネルを備えたガリウムヒ素電界効果トランジスタは、低ノイズアンプや拡張ダイナミックアンプで動作します。範囲
3P606-2	ショットキーバリアとnチャネルを備えたヒ素ガリウム電界効果トランジスタは、最大12 GHzの周波数範囲のパワーアンプ、自己発振器、周波数コンバータで動作します。
3P607-2	最大10 GHzの周波数範囲でパワーアンプ、発電機、周波数変換器で動作するnチャネルのヒ素ガリウム電界効果トランジスタ
3P608-2	増幅器および発電機の出力段で動作するショットキー障壁とnチャネルを備えたヒ素ガリウム電界効果トランジスタ
KP701	二次電源、スイッチング周波数が最大 1 MHz のスイッチングデバイス用の絶縁ゲート電界効果トランジスタ
KP702	二次電源、スイッチングおよびパルスデバイス、主要な安定化装置および電圧コンバータ、増幅器、発電機用の絶縁ゲートおよびnチャネルを備えた電界効果トランジスタ
KP703	二次電源用の絶縁ゲートとpチャネルを備えた電界効果トランジスタ、スイッチングおよびパルスデバイス、主要な安定化装置および電圧コンバータ、増幅器、発電機
KP704	マルチカラーグラフィックディスプレイのターミナルビデオアンプの出力段、二次電源、電気回路用スイッチングデバイスで使用される、絶縁ゲートとnチャネルを備えた電界効果トランジスタ
KP705	スイッチング電源、スイッチングおよびスイッチングデバイスに使用されるnチャネル絶縁ゲート電界効果トランジスタ
KP706	スイッチング電源、スイッチングおよびスイッチングデバイスに使用されるnチャネル絶縁ゲート電界効果トランジスタ
KP709	第 90 世代および第 90 世代の TV 受信機用のスイッチング電源、無線電子機器のスイッチングおよびインパルスデバイス、および電気駆動デバイスに使用される、絶縁ゲートおよび n チャネルを備えた電界効果トランジスタ。 BUZXNUMX、BUZXNUMXA シーメンスと同様。
KP712	パルスデバイスで動作するための絶縁ゲートとpチャネルを備えた電界効果トランジスタ
KP717B	IRF350 MOSFET、400V、0.3Ω
KP718A	BUZ45 MOSFET、500 V、0.6 オーム
KP718E1	IRF453 MOSFET、500V、0.6Ω
KP722A	BUZ36 MOSFET、200 V、0.12 オーム
KP723A	IRF44 MOSFET、60V、0.028Ω
KP723B	IRF44 MOSFET、60V、0.028Ω
KP723V	IRF45 MOSFET、60V、0.028Ω
KP724G	IRF42 MOSFET、60V、0.028Ω
KP724A	MTP6N60 MOSFET、600V、1.2Ω
KP724B	IRF842 MOSFET、600V、1.2Ω
KP725A	TPF450 MOSFET、500V、0.4Ω
KP726A	BUZ90 MOSFET、600 V、1.2 オーム
KP728A	800V、3.0ΩのMOSFET
KP801	音響再生機器のアンプ出力段に使用されるpn接合を有する電界効果トランジスタ
KP802	電界効果トランジスタのpn接合は、DC-DCコンバータの主要回路で高速スイッチとして機能します。
KP803	二次電源、スイッチングおよびパルスデバイス、ならびに主要な安定化装置および電圧コンバータ、増幅器および発電機用の絶縁ゲート電界効果トランジスタ
KP804	高速スイッチング回路用のnチャネル絶縁ゲート電界効果トランジスタ
KP805	周波数 50 Hz、電圧 220 V の産業用 AC ネットワークから動作するトランスレス入力を備えた二次電源の構築や、電気エネルギーを変換するその他のデバイス向けの、絶縁ゲートと n チャネルを備えた電界効果トランジスタ
KP809	トランスレス入力を備えたスイッチング電源、レギュレータ、スタビライザ、およびコンバータにおいて、最大 3 MHz 以上の周波数で動作する MOS トランジスタ
KP810	トランスレス入力を備えた高周波電源、主要なパワーアンプの回路に使用される静電誘導を備えたデバイス
KP812	スイッチング電源、レギュレータ、オーディオ周波数アンプ用の絶縁ゲートおよびNチャネルを備えた電界効果トランジスタ
KP813	トランスレス入力を備えたスイッチング電源、レギュレータ、スタビライザ、およびコンバータにおいて、最大 3 MHz 以上の周波数で動作する MOS トランジスタ
KP814	スイッチング電源用の絶縁ゲートおよびnチャネルFET
KP901	絶縁ゲートを備えた電界効果トランジスタは、短波長および超短波長（最大 100 MHz）の範囲の増幅段および生成段で使用するために設計されています。
KP902	最大400 MHzの周波数範囲の受信および送信デバイスに使用する絶縁ゲート付き電界効果トランジスタ
KP903	最大30 MHzの周波数範囲の送受信およびスイッチングデバイスに使用されるpn接合を備えた電界効果トランジスタ
KP904	絶縁ゲートを備えた電界効果トランジスタは、短波長および超短波長の範囲の増幅、変換、および発生器段で使用するために設計されています。
KP905	最大1500 MHzの周波数範囲で信号を増幅および生成する絶縁ゲート電界効果トランジスタ
KP907	最大 1500 MHz の信号を増幅および生成し、ナノ秒範囲の高速スイッチングアプリケーション向けの絶縁ゲート電界効果トランジスタ
KP908	最大 2.25 GHz の周波数範囲で信号を増幅および生成する絶縁ゲート電界効果トランジスタ
KP909	最大400 MHzの周波数で連続モードおよびパルスモードで増幅および発電機デバイスで動作するための絶縁ゲートを備えた電界効果トランジスタ
AP910-2	ショットキーバリアとnチャネルを備えたヒ素ガリウム電界効果トランジスタで、パワーアンプや発電機で最大8 GHzの周波数範囲で動作します。
KP911	増幅および発生器デバイスで動作するための絶縁ゲートを備えた電界効果トランジスタ
KP912	主要な電圧安定化装置およびコンバータ、パルスデバイス、増幅器および発電機で使用される絶縁ゲート電界効果トランジスタ
KP913	最大400 Vの電源電圧で最大45 MHzの周波数範囲の信号を増幅および生成する絶縁ゲート電界効果トランジスタ
2P914	pn 接合を備えた電界効果トランジスタ d は、増幅器、コンバータ、高周波発生器、およびスイッチングデバイスで使用されます。
3P915-2	ショットキーバリアとnチャネルを備えたヒ素ガリウム電界効果トランジスタで、パワーアンプや発電機で最大8 GHzの周波数範囲で動作します。
KP918	最大 1 GHz の信号の増幅と生成、および高速スイッチングデバイス用の絶縁ゲート電界効果トランジスタ
KP920	最大 400 MHz の信号を増幅および生成し、高速スイッチングアプリケーションに使用する絶縁ゲート電界効果トランジスタ
KP921	高速スイッチング用途向けに設計された絶縁ゲート電界効果トランジスタ
2P922 2P922-1	絶縁ゲートとnチャネルを備えた電界効果トランジスタで、二次電源、高速スイッチングおよびパルスデバイス、安定化装置および電圧コンバータでの使用向けに設計されています。
KP923	最大 1 GHz の周波数での線形増幅デバイスの増幅および生成デバイスで動作するための絶縁ゲートを備えた電界効果トランジスタ
3P925-2	ショットキー障壁と n チャネルを備えたガリウムヒ素電界効果トランジスタで、特性インピーダンス 3.7 Ω のパスで 4.2 ～ 3 GHz (925P4.3A) および 4.8 ～ 3 GHz (925P50B) の周波数範囲の広帯域パワーアンプで動作し、内部整合回路を備えています。
2P926	二次電源、スイッチングおよびパルスデバイス、ならびにキーおよびリニアデバイス用の電界効果トランジスタ
3P927	1～18 GHzの周波数範囲でパワーアンプ、自励発振器、周波数コンバータで動作するnチャネルのショットキー障壁を備えたヒ素ガリウム電界効果トランジスタ
2P928	nチャネルおよび共通ソースを備えたXNUMXつのMOSトランジスタ、ジェネレータ、パワーアンプおよびジェネレータで使用するために設計
3P930	5.7～6.3 GHzの周波数範囲で動作するショットキー障壁とnチャネルを備えたヒ素ガリウム電界効果トランジスタ
KP932	カラーディスプレイビデオアンプのカスケードで動作するための高電圧トランジスタ
KP933	高い周波数安定性を備えた線形広帯域増幅デバイスおよび自己発振器で動作するための、n チャネルと共通ソースを備えた 1 つの MIS トランジスタ (最大 XNUMX GHz の周波数の信号を増幅および生成するため)
KP934	二次電源および高電圧キーデバイスで使用するために設計された静電誘導およびNチャネルを備えたトランジスタ
KP937	二次電源、電圧コンバータ、電気駆動システム、エレクトロスパーク処理複合体のパルス発生器で使用する、pn 接合と n チャネルを備えたスイッチング電界効果トランジスタ
KP938	pn接合とnチャネルを備えたスイッチング高電圧電界効果トランジスタで、二次電源、DCおよびACモーターへの電力供給、強力なスイッチ、低周波アンプでの使用に使用されます。
2P941	400 V の電源電圧で最大 600 ～ 12 MHz の動作周波数を持つ電子回路での信号の生成と電力の増幅に使用されます。
KP944	磁気ディスク上のコンピュータ記憶装置の制御回路で動作する、p チャネルを備えた MIS トランジスタ
KP944	磁気ディスク上のコンピュータ記憶装置の制御回路で動作するための、n チャネルを備えた MIS トランジスタ
KP946	トランスレス入力を備えた高周波電源、主要なパワーアンプの回路に使用される静電誘導を備えたデバイス
KP948	トランスレス入力を備えた高周波電源、主要なパワーアンプの回路に使用される静電誘導を備えたデバイス
KP953	トランスレス入力を備えた高周波電源、主要なパワーアンプの回路に使用される静電誘導を備えたデバイス
KP955	トランスレス入力を備えた高周波電源、主要なパワーアンプの回路に使用される静電誘導を備えたデバイス

出版物: cxem.net

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庭の花の間引き機 02.05.2024

現代の農業では、植物の世話プロセスの効率を高めることを目的とした技術進歩が進んでいます。収穫段階を最適化するように設計された革新的な Florix 摘花機がイタリアで発表されました。このツールには可動アームが装備されているため、庭のニーズに簡単に適応できます。オペレーターは、ジョイスティックを使用してトラクターの運転台から細いワイヤーを制御することで、細いワイヤーの速度を調整できます。このアプローチにより、花の間引きプロセスの効率が大幅に向上し、庭の特定の条件や、そこで栽培される果物の種類や種類に合わせて個別に調整できる可能性が得られます。 2 年間にわたりさまざまな種類の果物で Florix マシンをテストした結果、非常に有望な結果が得られました。フロリックス機械を数年間使用しているフィリベルト・モンタナリ氏のような農家は、花を摘むのに必要な時間と労力が大幅に削減されたと報告しています。 ... >>

最先端の赤外線顕微鏡 02.05.2024

顕微鏡は科学研究において重要な役割を果たしており、科学者は目に見えない構造やプロセスを詳しく調べることができます。ただし、さまざまな顕微鏡法には限界があり、その中には赤外領域を使用する場合の解像度の限界がありました。しかし、東京大学の日本人研究者らの最新の成果は、ミクロ世界の研究に新たな展望をもたらした。東京大学の科学者らは、赤外顕微鏡の機能に革命をもたらす新しい顕微鏡を発表した。この高度な機器を使用すると、生きた細菌の内部構造をナノメートルスケールで驚くほど鮮明に見ることができます。通常、中赤外顕微鏡は解像度が低いという制限がありますが、日本の研究者による最新の開発はこれらの制限を克服します。科学者によると、開発された顕微鏡では、従来の顕微鏡の解像度の 120 倍である最大 30 ナノメートルの解像度の画像を作成できます。 ... >>

昆虫用エアトラップ 01.05.2024

農業は経済の重要な分野の 1 つであり、害虫駆除はこのプロセスに不可欠な部分です。インド農業研究評議会 - 中央ジャガイモ研究所 (ICAR-CPRI) シムラーの科学者チームは、この問題に対する革新的な解決策、つまり風力発電の昆虫エアトラップを考案しました。このデバイスは、リアルタイムの昆虫個体数データを提供することで、従来の害虫駆除方法の欠点に対処します。このトラップは風力エネルギーのみで駆動されるため、電力を必要としない環境に優しいソリューションです。そのユニークな設計により、有害な昆虫と有益な昆虫の両方を監視することができ、あらゆる農業地域の個体群の完全な概要を提供します。「対象となる害虫を適切なタイミングで評価することで、害虫と病気の両方を制御するために必要な措置を講じることができます」とカピル氏は言います。 ... >>

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通常のバッテリーを搭載したスマートフォンの充電速度は XNUMX 倍です 24.08.2014

カリフォルニアを拠点とするスタートアップ Qnovo は、スマートフォンの充電時間を 4 倍に短縮できる技術を開発しました。 Technology Review によると、最新の携帯電話を 15 分間充電すると、約 1,5 時間のバッテリー通話時間が得られますが、Qnovo テクノロジーはこの時間を 6 時間に延長できます。

原則として、バッテリーの容量を増やしたり、充電時間を短縮したりするために、メーカーはその構造に新しい材料を使用しています。 Qnovo テクノロジーはこれを必要としません。この技術の本質は、充電中にバッテリーの動作パラメーターを監視し、バッテリー接点に印加される電圧を変更することで充電速度を調整することです。

同社はより具体的な詳細を開示していませんが、この技術がXNUMXつの問題を同時に解決することを保証しています.バッテリーの充電が遅いことと、時間の経過とともに劣化することです. 「従来の方法では、バッテリーを速く充電するほどバッテリーの寿命が短くなります」と Qnovo は言い、彼らの技術にはこの欠点がないと主張しています。

このスタートアップは、その開発に関する 5 つの特許を取得しており、現在、モバイルデバイスの新しいモデルでの使用について、いくつかのスマートフォンメーカーと交渉中です。 Qnovo の CEO である Nadim Maluf 氏は、最初のスマートフォンが 2015 年に利用可能になると予想しています。この技術は、あらゆるリチウムイオン電池で動作する、と彼は付け加えました。

マルーフ氏によると、Qnovo テクノロジーが機能するには、モバイルデバイスのオペレーティングシステムにプログラムコードを配置し、デバイスに Qnovo チップを搭載する必要があります。チップのサイズは小さく、占有面積はわずか 9 mm2 です。したがって、同社は、どのベンダーもその統合に問題を抱えることはないと考えています。

このチップは、AC アダプターとバッテリーの間の電気回路にあります。これにより、バッテリーのパラメーターを確認し、電圧を毎秒 1 回調整することができます。さらに、このチップを使用すると、Qualcomm チップセットによってインストールされるバッテリー充電パラメーターのブロックを回避できます。これは、モバイルエレクトロニクスでは非常に一般的です。

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