KP723シリーズの電界効果トランジスタ。参照データ

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KP723シリーズの電界効果トランジスタ。参照データ

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絶縁ゲート、チャネルエンリッチメント、保護逆ダイオードを内蔵した強力なシリコン電界効果 n チャネルトランジスタ KP723A ～ KP723G は、プレーナエピタキシャル技術を使用して製造されています。これらは、連続およびパルス制御を備えた二次電源、電力レギュレータ、スタビライザおよび電圧コンバータ、パーソナルコンピュータ用の無停電電源装置、電気モータ駆動装置およびその他のユニットや機器ブロックで動作するように設計されており、幅広い用途に対応しています。

デバイスは、ハードスタンプされた錫メッキリードを備えたプラスチックケース KT-28 (外国の分類 - TO-220 による) で設計されています。デバイスの重量 - 2,5 g 以下。

トランジスタKP723A - IRFZ44、KP723B - IRFZ45、KP723V - IRFZ40、KP723G - IRLZ44の外国機能類似体。

KP723シリーズとKP727シリーズのトランジスタは、ケース設計、内部接続の電気回路、ピン配置が似ています。

Tamb.av=25°Cでの主な技術的特性

KP0,25A - KP723V のドレイン電流 723 mA および接続されたゲートとドレインにおけるしきい値電圧 V ...... 2...4
KP723G……1……2
KP300AおよびKP50Vのドレイン・ソース間電圧723V、ゲート・ソース間電圧723Vで、パルス幅1,75μs以下、デューティ・サイクル10以上のドレイン電流A以上。 KP723B の場合、ドレイン・ソース間電圧 2,25 V、ゲート・ソース間電圧 10 V、KP723G の場合、ドレイン・ソース間電圧 1,75 V、ゲート・ソース間電圧 5 V …… 50
KP300A、KP50V のオープントランジスタのチャネル抵抗、オーム、それ以上、パルス幅 31 μs 以下、デューティサイクル 723 以上、ドレイン電流 723 A (KP10A、KP0,028V の場合) (ゲート-ソース間電圧 XNUMX の場合) V)……XNUMX
KP723B(10V)……0,035
KP723G（5V）……0,028
最大許容ドレイン・ソース間電圧およびゼロ・ゲート・ソース間電圧における残留ドレイン電流 μA ...... 250
ゲート・リーク電流 nA 以下、パルス幅 300 μs 以下、デューティ・サイクル 50 以上、ドレイン・ソース間電圧ゼロ (KP723A - KP723V、ゲート・ソース間電圧 ±20 V、KP723G の場合)ゲート・ソース間電圧±10Vのとき……100
KP300Aの場合、特性の傾きA/V、パルス幅50μs以下、デューティ・サイクル少なくとも25、ドレイン・ソース間電圧31V、ドレイン電流723A- KP723V……15
KP723G……23
熱抵抗、°C/W、それ以上、遷移 - ケース......1
移行 - 環境 ...... 62
KP30A-KP51Vのドレイン・ソース間電圧723V、ドレイン電流723Aでのターンオン時間、いいえ、それ以上です（信号源の出力抵抗9,1Ω、ゲート・ソース間電圧10Ωの場合） Ⅴ)……130
KP723G (4,6 オーム、5 V)......247
KP30A-KP51Vのドレイン・ソース間電圧723V、ドレイン電流723Aでのターンオフ時間、いいえ、それ以上ではありません（信号源の出力インピーダンスが9,1オーム、ゲート・ソース間電圧が10Ωの場合） V)……150
KP723G (4,6 オーム、5 V)......152
入力容量*、pF、これ以上、KP25A-KP1V のゲート・ソース間電圧ゼロ、ドレイン・ソース間電圧 723 V、周波数 723 MHz の場合......2500
KP723G……4300
出力容量*、pF、これ以上、ゲート・ソース間電圧ゼロ、ドレイン・ソース間電圧 25 V、周波数 1 MHz (KP723A-KP723V の場合)......1200
KP723G……1600
静電容量*、pF、それ以上、ゲート・ソース間電圧ゼロ、ドレイン・ソース間電圧25 V、周波数1 MHzの場合 ...... 290
保護ダイオードの順電圧 V 以下、パルス幅 300 μs 以下、デューティサイクル 50 以上、ゲート・ソース間電圧およびドレイン電流がゼロ ** 51 A....2,5

限界値

最大ドレイン・ソース間電圧 V (KP723A、KP723B、KP723G の場合) ..... 60
KP723V……50
KP723A-KP723V の最大ゲート-ソース間電圧 V......±20
KP723G……±10
ケース温度 25 °C での最大直接ドレイン電流 A ...... 50
ケース温度 25 °C での最大パルスドレイン電流 A ...... 200
最大連続消費電力 W、ヒートシンクあり、ケース温度 25°C の場合......150
最高転移温度、°C ...... 175
周囲温度動作範囲、°С -60...+125

静電位の許容値 - 200 V (OSP 1073.062 に準拠した剛性の III)。

機器にトランジスタを実装するための動作モードおよび条件は、OSP 1336.907.0 に準拠する必要があります。パラメータの最大許容値を 70 つ以上指定した操作は許可されません。信頼性と耐久性を向上させるには、パラメーター値が制限値の XNUMX% を超えないモードでトランジスタを使用することをお勧めします。

取り付け中、少なくとも 1,5 mm の曲率半径でのリードの 5 回の曲げは、本体から XNUMX mm 以内の距離で、リードの平面に垂直で曲げに沿った平面内でのみ許可されます。鉛。リードをねじることは禁止されています。

本体から錫メッキおよびはんだ付けの場所までの距離は 5 mm 以上である必要があります。はんだ付け温度 - 265°С 以下。錫めっき時間は 2 秒、はんだ付け時間は 4 秒を超えてはなりません。

トランジスタのフランジからヒートシンクへの熱伝達を改善するには、GOST 8 に準拠した KPT-19783 などの熱伝導性潤滑剤およびペーストを使用することをお勧めします。トランジスタの下に絶縁ガスケットを取り付ける必要がある場合は、その熱抵抗を考慮する必要があります。

図上。図 1 ～ 8 は、KP723 シリーズのトランジスタのパラメータの典型的なグラフ依存性を示しています。ケース温度の 1 つの値におけるデバイスの出力特性のファミリーを図に示します。 2と3、そして図にあります。 4 と XNUMX - それらの伝達特性。

KP723シリーズの電界効果トランジスタ

オープンチャネル抵抗の接合温度に対する正規化された依存性を図 5 と 6 に示します。 7、および図。 XNUMX - ドレイン-ソース電圧に対する入力、出力、およびスループット容量の依存性。米。図７のａおよびｂは、チャネル出力に極性で印加された電圧からトランジスタのドレイン出力を流れる電流の変化を示しており、これによりデバイスの保護ダイオードが開く。

図に図８は、制限ドレイン電流の温度依存性を示している。

著者: V. Kiselev、ミンスク、ベラルーシ

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