KP727シリーズの電界効果トランジスタ。参照データ

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KP727シリーズの電界効果トランジスタ。参照データ

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Nチャネルを豊富に含む絶縁ゲートと逆接続保護ダイオードを内蔵した強力なシリコン電界効果トランジスタKP727AおよびKP727Bは、プレーナ・エピタキシャル技術を使用して製造されています。これらは、二次電源、レギュレータ、スタビライザ、連続およびパルス制御を備えた電圧および電流コンバータ、電気モータ駆動ユニット、および幅広い用途の機器のその他のデバイスで動作するように設計されています。

トランジスタは、打ち抜きされた硬質錫メッキリードと取り付け穴付きの熱除去金属フランジを備えたプラスチックケース KT-28 (TO-220) に収容されています (図 1)。デバイスの質量は2,5 g以下ですトランジスタの外国の類似物：KP727A - BUZ71、KP727B - IRFZ34。

KP727シリーズの電界効果トランジスタ

Tacr.av = 25°C での主な特性

KP0,25A のドレイン電流 727 mA および同じゲート・ソース電圧およびドレイン・ソース電圧におけるしきい値ゲート・ソース電圧 V....2,1...4
KP727B ...... 2 ... 4
KP300A (ドレイン・ソース電圧 50V) のゲート・ソース間電圧 10 V で、パルス幅 727 μs 未満、デューティ・サイクル 2 以上のドレイン・パルス電流 A.... .14
KP727B(1,8V)……30
KP300A (ドレイン電流 50 A) のゲート・ソース間電圧 10 V における、パルス幅 727 μs 未満、デューティ・サイクル 9 を超えるオープン・トランジスタのドレイン・ソース抵抗は、オーム以下です。 ……0,1
KP727B(18A)……0,05
最大ドレイン・ソース間電圧およびゼロ・ゲート・ソース間電圧での残留ドレイン電流 µA ...... 25
ゲート・ソース間電圧 +20 V、ドレイン・ソース間電圧ゼロの場合、ゲート・リーク電流 µA 以下 ... ± 0,1
KP300A (ドレイン電流 50 A) のドレイン-ソース間電圧 25 V における、パルス幅 727 μs 未満、デューティサイクル 9 以上の特性の傾き A/V。 ....4
KP727B(18A)……9,3
KP300A のゲート-ソース間電圧がゼロの場合、オープン保護ダイオードの一定順電圧 V 以下、パルス幅 50 μs 未満、デューティサイクル 727 以上。 (ダイオードを流れる電流は 28 A)。 ....1,8
KP727B(30A)……1,6
熱抵抗遷移ハウジング、最大 °C/W、KP727A の場合......3,1
KP727B ...... 1,7
熱抵抗遷移-環境、°C / W、これ以上...... 62
ターンオン時間*、μs、それ以上、ドレイン・ソース間電圧 30 V、ドレイン電流 30 A、測定信号源の出力抵抗 9,1 オーム....0,14
ターンオフ時間*、μs、それ以上、ドレイン・ソース間電圧 30 V、ドレイン電流 30 A、測定信号源の出力抵抗 9,1 オーム ...... 0,12
入力容量*、pF、それ以上、ゲート・ソース間電圧ゼロ、ドレイン・ソース間電圧25V、周波数1MHzで……1600
出力容量*、pF、それ以上、ゲート・ソース間電圧ゼロ、ドレイン・ソース間電圧25V、周波数1MHzで……800
周波数 25 MHz、ゲート・ソース間電圧 1、ドレイン・ソース間電圧 195 V における静電容量 * (pF) ..... XNUMX

※参考パラメータです。

動作制限

KP727A の最高ドレイン・ソース間電圧 V....50
KP727B ...... 60
最大ゲート - ソース間電圧、V......±20
KP25A のケース温度 727 °C における最大直流ドレイン電流 A …… 14
KP727B ...... 30
KP25A のケース温度 727 °C における最大パルスドレイン電流 A ...... 56
KP727B ...... 120
KP25A のケース温度 727 °C での最大一定消費電力 W...40
KP727B ...... 88
静的電位の最大値V.....200 **
動作温度範囲、°С......-55...+150

**OST11073.062に準拠したIII度の剛性。

パラメータの制限値が70つ以上あるトランジスタの動作は禁止されています。デバイスの信頼性を向上させるために、パラメータの値は最大許容値の XNUMX% を超えてはなりません。

リードの 5 回の曲げは、本体から 1,5 mm 以内で、少なくとも XNUMX mm の曲げ半径で行うことができ、曲げ線はリードの平面内になければなりません。曲げるときは、体に力が伝わらないように対策を講じる必要があります。結論を曲げることはできません。

本体からはんだ付けおよび錫メッキの場所までの距離は 5 mm 以上である必要があります。はんだ付け温度 - 265°C 以下、はんだ付け時間 - 4 秒以下、錫めっき - 2 秒。

トランジスタケースとヒートシンクの熱抵抗を下げるには、GOST 8 に準拠した KPT-19783 などの特別なペーストを使用することをお勧めします。絶縁ガスケットをケースの下に置く必要がある場合は、その熱抵抗を考慮する必要があります。考慮に入れてください。

図上。図２のａおよびｂは、通常の温度におけるトランジスタのドレイン電流のドレイン・ソース電圧に対する典型的な依存性を示している。 2、aおよびb - 接合温度の3つの値でのゲート-ソース電圧から。

KP727シリーズの電界効果トランジスタ

図上。図4は、オープントランジスタのドレイン・ソース間抵抗の正規化された温度依存性を示しています(Rsi.t25は、接合温度25℃におけるドレイン・ソース間抵抗の電流値とこの抵抗の値の比です)。図の。 5 - ドレイン-ソース間パルス電圧に対するトランジスタの入力 (C11i)、出力 (C22i)、およびスループット (C12i) 容量の典型的な依存性。

KP727シリーズの電界効果トランジスタ

米。図６ａおよび６ｂは、保護ダイオードに対して順方向に流れる、これらの端子を通る電流に対するトランジスタチャネルの端子における電圧の依存性を示す。この電圧の主な成分は、オープン保護ダイオードの両端の電圧降下です。

KP727シリーズの電界効果トランジスタ

著者：V.Kiselev

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