KT8156シリーズのトランジスタ。参照データ

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KT8156シリーズのトランジスタ。参照データ

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一体型ダンピングダイオードとベースエミッタ加速ダイオードを備えた強力なシリコン複合 npn トランジスタ KT8156A および KT8156B は、エピタキシャルプレーナ技術を使用して製造されています。これらのデバイスは、小型陰極線管の水平走査出力段や、広く使用されている機器のその他のコンポーネントやブロックで動作するように設計されています。

トランジスタは、硬質プレート錫メッキ端子を備えた標準プラスチックケース KT-28 (TO-220) に収容されています (図 1)。本体の重さはわずか2,5gです。

KT8156シリーズトランジスタ

トランジスタKT8156Aの外来アナログ-BU807。

デバイスの概略図を図 2 に示します。 XNUMX.

KT8156シリーズトランジスタ

主な特徴

コレクタ・エミッタ境界電圧 V 以上 (コレクタ電流 100 mA、ベース電流ゼロ、パルス幅 500 μs 以下、デューティサイクル 100 以上の場合)、KT8156A の場合...... 150
KT8156B ...... 200
逆コレクタ電流、mA、それ以上なし (コレクタ・ベース間電圧 330 V、エミッタ電流ゼロの場合)、KT8156A の場合......0.1
KT8156B ...... 1
逆コレクタ・エミッタ電流、mA、それ以上なし(コレクタ・エミッタ電圧330 V、エミッタ・ベース電圧ゼロの場合)、KT8156Aの場合......0,1
KT8156B ...... 1
逆エミッタ電流、mA、これ以上ありません (エミッタ・ベース間電圧が 6 V、コレクタ電流がゼロの場合)....3
静電流伝達係数以上(コレクタ-エミッタ間電圧1,5V、コレクタ電流5A時)....100
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 V、それ以上 (コレクタ電流 5 A、ベース電流 50 mA の場合)....1.5
ベース・エミッタ間飽和電圧 V、それ以上 (コレクタ電流 5 A、ベース電流 50 mA の場合).................................................2,4
熱抵抗遷移ハウジング、°С/ W、最大...... 2,08
順方向電圧ダンピングダイオード。 B、もう……2
動作温度範囲、°С......-60...+100

限界値

最高コレクタ - ベース間電圧、V ...... 330
最高コレクタ・エミッタ間電圧、KT8156A の場合......150
KT8156B ...... 200
最高エミッタ・ベース間電圧 V …… 6
最大の一定コレクタ電流。あ……8
最大のパルスコレクタ電流。 A (パルス幅が 10 ミリ秒以下、デューティサイクルが少なくとも 100)....15
コレクタの最大の定電力損失。 W (ヒートシンクに取り付け、ケース温度が -60 ～ +25 °C 以内の場合)....60
コレクタの最大の定電力損失。 W (ヒートシンクなし、周囲温度 -60...+25°C 以内)....1,5
最高転移温度、°C ...... 150

XNUMXつのパラメータの極端な値でトランジスタを動作させることは許可されていません。

デバイスのリードを本体から 5 mm 以内で 1,5 回だけ曲げることは許容されます (リードの平面内で曲げることはお勧めできません)。この場合、身体に力が伝わらないような工夫が必要です。曲げ半径は5mm以上です。ハウジングからリード線の錫めっきおよびはんだ付けの場所までの距離は XNUMX mm 以上である必要があります。

トランジスタからヒートシンクへの熱伝達を改善するために、デバイスを取り付ける前に、その金属フランジを熱伝導性潤滑剤の層でコーティングすることをお勧めします (GOST 8 による KTP-19783 など)。図では、図3は、トランジスタのベース電流の静的伝達係数のコレクタ電流に対する依存性を示しています。 4 - コレクタの定散電力のハウジング温度への依存性。 5 - ダンピングダイオード (図 2 の VD2) の直流順電圧と、ダンピングダイオードを流れる順電流の典型的な依存性。

（クリックして拡大）

ベース DC 電流に対するコレクタ - エミッタ間飽和電圧の典型的な依存性を図に示します。図6、およびコレクタ電流から - 図。 7. DC コレクタ電流に対するベース-エミッタ飽和電圧の典型的な依存性を図に示します。 8.

著者: V.Kiselev、ミンスク、ベラルーシ

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