分周器発生器 KR512PS10。参照データ

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分周器発生器 KR512PS10。参照データ

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KR512PS10 マイクロ回路は、タイマー、タイムリレー、低周波および超低周波パルス発生器として使用することを目的としています。この超小型回路は、RC 発振器と、切り替え可能な分周係数を備えた制御された分周器であり、設定入力にハイレベル信号を供給することで切り替えられる複数のカウンタで構成されます。除算係数の最大値は一意です - 235 このマイクロ回路は、自己整合トランジスタゲートと局所酸化絶縁体を備えた CMOS テクノロジーを使用して製造されています。ハウジング - プラスチック 929-600 (図 2104.16)。

分周器ジェネレータKR512PS10

重量 - 1,2g以下。

マイクロ回路の回路図の指定を図2に示します。 XNUMX。

分周器ジェネレータKR512PS10

マイクロ回路のピン配置: ピン。 1 - 分周比を設定するための信号入力 26: ピン。 2 - カウンタリセット信号入力。ヴィヴ。 3 - カウンタ停止信号入力。高い4 - アンプフォーマーの入力。 RC 発生回路を接続するための出力。ヴィヴ。 5 - アンプフォーマーの直接出力。発電機コンデンサを接続するための端子。ヴィヴ。 6 - アンプフォーマーの反転出力。発電機抵抗を接続する端子。ヴィヴ。 7 - 無料。ヴィヴ。 8 - 一般; マイナス電源端子。ヴィヴ。 9 - 分周器のオープンドレインを備えた出力。ヴィヴ。 10 - 通常の分周器出力。高い11 - 出力信号の位相をピンで制御するための入力信号。 9; ヴィヴ。 12 - 分周率 60 を設定するための信号入力。ヴィヴ。 13 - 分周係数 3 を設定するための信号入力。ヴィヴ。 14 - 分周率 10 を設定するための信号入力。ヴィヴ。 15 - 分周係数 30 を設定するための信号入力。ヴィヴ。 16 - 正の電力出力。

Tacr の主な技術的特徴。 Cp= -10...+70°С

定格供給電圧、V ...... 5
静的モードでの電源電圧 6 V での消費電流 (µA 以下)......20
40 kHz の周波数でダイナミック......1000
低レベル出力電圧 V、それ以上、電源電圧 4 V、ピン 5 と 6 で測定 (出力電流 1.6 mA)....0,4
9（5,2mA）……0,8
ハイレベル出力電圧 V 以上、電源電圧 4 V、出力電流 1 mA、ピン 5 および 6 で測定......3,6
低レベル入力電流 (µA 以下、電源電圧 6 V 時、出力回路 4 で測定)....0.1
電源電圧 4 V でのハイレベル入力電流 (µA 以下)。ピン回路 4 で測定 (入力電圧 4 V で)....0,1
1-3, 11-15(6 В)......50

動作制限

供給電圧、V......4...6
最大クロック周波数、kHz......200
周囲温度、°С......-10 ... + 70
最高静電容量、V ...... 30
10秒間の電源電圧の制限値、V……10
全動作期間における最大供給電圧での合計動作時間、h....1

ピン 4 で動作する入力信号の分周係数は、設定入力 26、60、3、10、30 の電圧レベルによって異なります (表を参照)。指定されたすべての入力が低論理レベルの場合、分周係数は 211=2048 になります。ユニットまたはその他の設定入力にハイレベルを適用する場合、指定された係数を入力の重み値に乗算する必要があります。ハイレベルは、入力 26、60 と入力 3、10、30 の 3 つに同時に適用できます。グループ 10、30、XNUMX の XNUMX つまたは XNUMX つの入力にハイレベルが適用されると、カウンタの動作はブロックされます。

IN 入力はオープンドレイン出力の位相を制御します。この入力のレベルがローの場合、ピン 9 の信号はピン 10 の信号に対して逆位相になり、ハイの場合は同位相になります。

入力 R0 にハイレベルを印加すると (ゼロ化)、マイクロ回路のすべてのカウンタ分周器がゼロ状態に設定され、これはピン 10 のローレベルに対応します。カウンタの動作は、この入力でローレベルが受信された瞬間から始まります。。 ST (停止) 入力のハイレベルはすべてのカウンタを停止し、ピン 10 は停止信号が与えられる前のレベルを保持します。カウンタは、この入力が Low レベルになった瞬間に停止した状態から動作を再開します。これらの信号の供給によってクロックジェネレーターは停止しません。

どの分周比でも、出力信号のデューティサイクルは 2 (「方形波」) になります。チップには、RC 入力を除くすべての入力に Low 論理レベルを提供する抵抗が含まれています。空いている場合に備えて。

チップの構造により、図に示すように外部抵抗とコンデンサを接続してクロックジェネレータを構築できます。 3.

分周器ジェネレータKR512PS10

図では、図４～１３は、動作温度範囲における供給電圧、出力電流、および周波数に対するパラメータの典型的な依存性を示している。マイクロ回路の 4% のパラメータが変化する領域は網掛けで表示されます。図では、図13と図95は、それぞれ出力CとRのハイレベル出力電圧の電源電圧に対する依存性を示しています。 4 と 5 - 低レベル。

図では、図8にオープンドレイン出力の出力電圧が低い場合の負荷特性を示します。米。図９および図１０は、それぞれ低入力電圧レベルおよび高入力電圧レベルにおけるＲＣ入力リーク電流の電源電圧への依存性の性質を示している。

ダイナミックモードでの消費量の周波数依存性を図に示します。十一。

（クリックして拡大）

著者: S. Biryukov、モスクワ

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