AOU115シリーズのフォトカプラ。参照データ

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AOU115シリーズのフォトカプラ。参照データ

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サイリスタフォトカプラ AOU115A、AOU115B、AOU115V、AOU115G、AOU115D は、ガリウムヒ素 IR エミッタと光検出器 (光学的に透明な塊によって互いに分離されたシリコンフォトジニスタ) で構成されています。デバイスはハイブリッド技術を使用して製造されています。

フォトカプラは、硬質プレートリード線を備えたプラスチックケース内で製造されます (図 1)。デバイスの質量はわずか 0,8 g フォトカプラのピン配置を決定する鍵となるのは、図のケース上部の 45 度の角度で面取りされている点です。

AOU115シリーズフォトカプラ

Tacr.av = 25°C での主な特性

ターンオン電流 (エミッタ電流)、mA 以上、閉じたフォトディニスタの電圧 10 V で...20
入力電圧 (エミッタ両端の電圧降下)、V 以下、入力電流 20 mA 時....2
フォトディニスタの最大許容電圧における漏れ電流（閉じたフォトディニスタを通る）、μA、それ以上... 5
出力残留電圧 (オープンフォトディニスタ上)。 V、それ以上、負荷電流 100 mA で......2,5
出力保持電流 (フォトディスタがまだ開いている最小負荷電流)、mA、以下 ...... 10
ターンオン時間、μs、それ以上......10
ターンオフ時間、µs ...... 200
入出力間の絶縁抵抗 GΩ以上、電圧500Vにて……100
通過容量、pF、これ以上……8

動作制限

最大入力直流電流、mA......30
最大入力パルス電流、mA、パルス幅 1 ms、デューティサイクル 10 ... 60
最高入力逆電圧V......2
最大入力干渉電圧¹、V ...... 0,6
AOU115A の閉じたフォトディニスタの最大直接出力電圧 V ...... 50
AOU115B、AOU115V……200
AOU115G、AOU115D……400
最大逆 DC 電圧² フォトディニスタ、V、AOU115V 用....200
AOU115D……400
周囲温度+25℃以下における最大出力直流電流 mA......100
+55°С....20
最大出力平均順方向電流。 mA、導通角で³ 90℃、周囲温度+25℃以下……15
+55°С....5
導通角180度、周囲温度+25℃以下における最大出力平均順電流mA……50
+55°С....10
クローズドフォトディニスタでの最小の直接出力電圧⁴、V ...... 10
臨界出力電圧スルーレート、V/µs......0.75
入力と出力の間の絶縁電圧、kV......1,5
周囲温度の動作範囲、°C......-45...+55

AOU115シリーズのフォトカプラの入力電流-電圧特性を図に示します。 2.

AOU115シリーズフォトカプラ

フォトサイリスタの出力残留電圧の出力電流に対する依存性を図に示します。 3 (技術普及のゾーンは網掛けで表示されます)

AOU115シリーズフォトカプラ

図上。図４は、直流電流およびさまざまな導通角の周囲温度の関数としての最大出力電流を示しています。

AOU115シリーズフォトカプラ

印加電圧に対する絶縁抵抗の依存性を図に示します。 5.

AOU115シリーズフォトカプラ

パラメータの点では、AOU115 シリーズのフォトカプラは同様のデバイス AOU103A ～ AOU103V、ZOU10ZA ～ ZOU103D に近く、ほとんどのアプリケーションで低コストで置き換えることができます。

注釈

最大入力干渉電圧は、フォトカプラの入力における最大の直流電圧であり、この電圧ではフォトカプラが閉から開に切り替わりません。
フォトカプラ AOU115A、AOU115B、AOU115G の場合、逆電圧の供給は許可されていません。
導通角 (以前は燃焼角という用語が使用されていました) - 角度で表したサイリスタの正弦波電流の周期の一部で、その間デバイスが開いている、つまり負荷電流が流れています。
閉じたフォトディニスタの最小出力電圧は、まだ開くことができる最小電圧です。

著者: S. Biryukov、モスクワ

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