KT6116およびKT6117シリーズの無料トランジスタ。参照データ

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KT6116およびKT6117シリーズの無料トランジスタ。参照データ

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KT6116A および KT6116B は、幅広い用途に使用できる中出力のシリコン PNP トランジスタで、プレーナエピタキシャル技術を使用して製造されています。これらは、供給電圧が増加した信号増幅器、周波数変換器、その他のデバイスで動作するように設計されています。

トランジスタは、硬質錫メッキリードを備えた標準的な KT-26 プラスチックパッケージ (Western 分類による TO-92) にパッケージされています (図 1)。外国の類似品 - KT6116A - 2N5401: KT6116B - 2N5400。

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図上。図２は、ＫＴ６１１６シリーズのトランジスタのエミッタ接合における電圧に対するエミッタ電流の依存性を示す。

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図のオン。 3 - 増幅周波数とコレクタ電流からベースの静電流伝達係数を制限します。

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コレクタ電流の関数としてのコレクタ-エミッタおよびベース-エミッタの飽和電圧を図に示します。 4.

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トランジスタのコレクタ接合容量の DC コレクタ - ベース電圧に対する典型的な依存性を図に示します。 5、および安全な動作の領域 - 図。 6.

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幅広い用途の中出力のシリコン npn トランジスタ KT6117A および KT6117B も、プレーナエピタキシャル技術を使用して製造されています。これらは、供給電圧が増加した信号増幅器、周波数変換器、その他のデバイスで動作するように設計されています。

トランジスタは、硬質錫メッキリード付きの標準的な KT-26 (TO-92) プラスチックケースにパッケージされています (図 1 を参照)。外国の類似品 - KT6117A - 2N5551; KT6117B-2N5550。

トランジスタ KT6117A、KT6117B および KT6116A、KT6116B は相補ペアで選択できます。

KT6117シリーズのトランジスタのベース・エミッタ間電圧に対するエミッタ電流の典型的な依存性を図に示します。 7、および典型的な出力特性を図に示します。 8.

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コレクタ電流に対するコレクタ・エミッタおよびベース・エミッタのカットオフ周波数と飽和電圧、およびDCコレクタ・ベース電圧に対するコレクタ接合の静電容量の典型的な依存性を図に示します。それぞれ9〜11。

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KT6117シリーズのトランジスタの安全動作領域は、KT6116シリーズのトランジスタの安全動作領域と同じです（図6を参照）。

結論として、両方のシリーズのトランジスタに共通するいくつかのヒントがあります。全温度範囲で制御されていない逆電流に見合った低電流でトランジスタを動作させることはお勧めできません。また、電気パラメータの XNUMX つの制限値でデバイスを動作させることも許可されていません。

通電されている電気回路内のトランジスタをオンにするときは、ベース端子を最初に接続し、最後に切断する必要があります。

トランジスタのリード線は、ケースから 2 mm 以内の距離で 1.5 回だけ曲げることができます。曲げ半径 - XNUMX mm 以上。曲げる際には体に力が伝わらないような工夫が必要です。

本体から出力のはんだ付け（錫メッキ）箇所までの距離は3mm以上あります。取り付け中、使用できるはんだ付けリードは 265 本のみです。はんだ付け温度 - 4'С以下、はんだ付け時間 - XNUMX秒以下。

あらゆる気候条件で動作するように設計された機器では、従来の気候改良型トランジスタを使用できますが、同時に設置後に 231 層または 6 層のワニス UR-21 (TU14-730-20824) または EP でコーティングする必要があります。 -XNUMX (GOST XNUMX) とその後の乾燥。

Tacr avg =25°C での主な特性

コレクタ・エミッタ間電圧 5 V、コレクタ電流 10 mA におけるベースの静電流伝達係数
KT6P6A ...... 60 ... 240
KT6116B ...... 40 ... 180
コレクタ逆電流、μA以下、KT6116Aの場合（コレクタ・ベース間電圧120V時）......005
KT6P6V(100V)……0.1
逆エミッタ電流、μA。エミッタ・ベース間電圧が 3 V、コレクタ電流がゼロの場合、これ以上......0.05
コレクタ - エミッタ電流を逆にします。 mA、それ以上、KT6116A のベース無効時 (コレクタ・エミッタ間電圧 150 V 時)......1
KT61165(120V)……1
コレクタ-エミッタ飽和電圧。 V.これ以上、コレクタ電流で
50mAでベース電流5mA……0.5
ベース・エミッタ間の飽和電圧 V 以下、コレクタ電流 50 mA、ベース電流 5 mA のとき....1
電流伝達係数の制限周波数、MHz。コレクタ・エミッタ間電圧10V、コレクタ電流10mAのとき……100以上
コレクタ接合容量。 pF。コレクタ・ベース間電圧が 10 V、周波数 10 MHz でエミッタ電流がゼロの場合は、これ以上ありません ...... 6
コレクタ-エミッタ間電圧が 3 V、コレクタ電流が 200 μA、ベース回路の抵抗が 3 kOhm の場合の雑音指数 (dB)。 KT1A の場合、周波数 6116 kHz で......8
KT6116B ...... 10
熱抵抗接合 - 環境。 °С/W、200 以下

限界値

最高電圧のコレクタ - ベース。 B、KT6116A用……160
KT6116B ...... 130
KT6P6Aのコレクタ・エミッタ間電圧の最高値V……150
KT6116B ...... 120
最高のベース・エミッタ間電圧、V …… 5
最大DCコレクタ電流A......0.6
コレクタの最大一定消費電力W......0,625
静電位の許容値 (OST 11073.062 に準拠した IV 剛性)、V ...... 500
最高転移温度、°C ...... 150
周囲動作温度の制限値、°С......-45 ... + 100
Tacr.av = 25°C での主な特性
KT5A のコレクタ・エミッタ間電圧 10 V、コレクタ電流 6117 mA における静的ベース電流伝達係数 ...... 80 ... 250
KT6117B ...... 60 ... 250
コレクタ逆電流 μA以下 KT6117Aの場合（コレクタ・ベース間電圧120V時）……0,05
KT6117B(100V)……0,1
エミッタ・ベース間電圧 3 V、コレクタ電流ゼロの場合の逆エミッタ電流 μA 以下 ...... 0,05
コレクタ - エミッタ電流を逆にします。 mA、それ以上、KT6117A のベース無効時 (コレクタ・エミッタ間電圧 160 V 時)......1
KT61175(140V)……1
KT50A のコレクタ電流 5 mA、ベース電流 6117 mA におけるコレクタ・エミッタ間飽和電圧 V. なし ...... 0.2
KT6117B ...... 0.25
ベース・エミッタ間の飽和電圧。 KT50Aのコレクタ電流5mAとベース電流6117mAの場合……1
KT6117B ...... 1,2
電流伝達率のカットオフ周波数。 MHz以上、コレクタ・エミッタ間電圧10V、コレクタ電流10mAにおいて……100
コレクタ・ベース間電圧 10 V、周波数 10 MHz でのエミッタ電流ゼロにおけるコレクタ接合容量、pF 以上 ...... 6
KT5A の場合、コレクタ-エミッタ間電圧 200 V、コレクタ電流 2 μA、ベース回路の抵抗 1 kOhm、周波数 6117 kHz における雑音指数、dB、それ以上.... 8
KT6117B ...... 10
熱抵抗遷移-環境、'С/W、これ以上...... 200

限界値

KT6117A の最高コレクタ・ベース間電圧 V....180
KT6117B ...... 160
KT6117A の最高コレクタ・エミッタ間電圧 V....160
KT6117B ...... 140
最高のベース・エミッタ間電圧、V …… 6
最大DCコレクタ電流A......0.6
コレクターの最大の一定電力損失。 W ...... 0,625
静電位の許容値 (OST 11073.062 に準拠した IV 剛性)、V ...... 500
最高転移温度、°C ...... 150
周囲動作温度の制限値、°С......-45 ... + 100

著者：V.Kiselev

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