KT133シリーズのユニジャンクショントランジスタ。参照データ

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KT133シリーズのユニジャンクショントランジスタ。参照データ

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NベースKT133AおよびKT133Bを備えたシリコンユニジャンクショントランジスタは、リレー特性を持つ素子が必要とされる時間遅延ユニット、電圧コンバータ、電気発振発生器、サイリスタ制御デバイスなどで動作するように設計されています。

このデバイスは、エピタキシャルプレーナ技術を使用して製造されています。それらはプラスチックケースKT-26（図1）に収容されており、デバイスの重量は0,3秒以下です。トランジスタ KT133A、KT133B の外国類似品は、それぞれ 2N4870、2N4871 です。

KT133シリーズのユニジャンクショントランジスタ

Tacr avg = 25°С での主な電気的特性

エミッタ・ベース間逆電圧2 30 V、ベース電流ゼロの場合、エミッタ接合の漏れ電流、μA以上1......1
ベース 1-ベース 2 電圧 20 V、エミッタ回路の抵抗値 100 オーム、パルス幅 6 μs 以下、デューティサイクル 50 での谷電流 mA 以上。
KT133A……2
KT133B ...... 4
KT1A の電圧 Base2-Base10 133 V における透過係数....0,56...0,75
KT133B ...... 0,75 ... 0,85
生成される最高周波数Hz......220
ターンオン電流*、μA、これ以上、ベース 1-ベース 2 電圧 25 V で......5
変調電流*、mA、ベース1-ベース2電圧10 V、エミッタ電流50 mA....15...65
残留電圧*、V、ベース 1-ベース 2 電圧 3 V、エミッタ電流 50 mA....0,7...2,5
ベース間抵抗*、kOhm、ベース 1 ベース 2 電圧 3 V、エミッタ電流ゼロの場合 .....4...9,1
ベース間抵抗の温度係数*、%/°С、これ以上、ベース 1-ベース 2 電圧 3 V、エミッタ電流ゼロ、周囲温度 -60...+125°С 以内で .0,1...0,9
ベース1*のパルス電圧、V、これ以上、回路内の抵抗器の抵抗値baey1 20オーム、ベース2 - 100オーム、エミッタ - 10 kオーム、エミッタ回路のコンデンサの静電容量0,2 μF、電圧base1-base2 20 V KT133A用.....3
KT133B........5
熱抵抗遷移-環境、°С/ W、これ以上...... 333

※参考パラメータです。

限界値

最高電圧 base1-base2 (ベース間電圧)、V ...... 35
最大逆電圧エミッタ - ベース 2、V......30
オープントランジスタのエミッタの最大直流、mA ...... 50
エミッタの最大パルス電流 A. パルス幅が 10 μs 以下、デューティサイクルが少なくとも 100....1,5
最大一定消費電力、mW......300
最高転移温度、°C ...... 135
動作周囲温度の限界、°C.... -60...+125

ユニジャンクショントランジスタの入力電流-電圧特性を図に示します。 2. デバイスのスイッチング電流 Ion は、通常、閉状態から開状態への遷移が発生するエミッタ電流の値と呼ばれます。谷電流 Id は、電圧が最小で微分抵抗がゼロの電流電圧特性の点に対応するエミッタ電流の値です。

エミッタ接合の漏れ電流 Iebo は、ベース 2 に対して逆バイアスされたエミッタ接合を流れる電流です。ベース間抵抗 RB1B2 - 所定のベース間電圧におけるトランジスタのベース間の抵抗。伝達係数 r] は、印加されたベース間電圧に対する、可能な最大エミッタ電圧から pn 接合での電圧降下を引いた比率です。

残留電圧 UBEnas は、特定のエミッタ電流とベース間電圧におけるエミッタの順方向電圧です。最大許容ベース間電圧 UБ1Б2max は、規定の信頼性が保証される、任意の形状および周波数のベース間電圧の最大値です。

エミッタ・ベース 2 間の最大許容逆電圧 UEB2 は、ベース 2 に対するエミッタ接合の逆電圧の最大値です。変調電流 Imod は、所定のベース間電圧とエミッタ電流におけるベース 2 回路の最小電流です。

KT133 シリーズのトランジスタは KT6113 シリーズ (上記参照) と同じ筐体内で製造されているため、取り付け特性は同じです。

KT133シリーズのユニジャンクショントランジスタ

周囲温度に対するトランジスタKT133A、KT133Bのパラメータの主なグラフの典型的な依存性を図に示します。 3-5

著者: V.Kiselev、ミンスク、ベラルーシ

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