KP742シリーズの強力な電界効果トランジスタ。参照データ

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KP742シリーズの強力な電界効果トランジスタ。参照データ

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保護逆ダイオードを内蔵した、絶縁ゲート、チャネルエンリッチメントを備えたシリコン n チャネル電界効果トランジスタ KP742A および KP742B は、ピタキシャルプレーナ技術を使用して製造されています。これらのデバイスは、トランスレス入力を備えた二次電源、連続およびパルス制御を備えたレギュレータ、スタビライザおよび電圧コンバータ、電気モータードライブ、および日常生活や産業で使用されるその他の機器で動作するように設計されています。

トランジスタは、堅いスタンプされた錫メッキリードが付いたプラスチック製の長方形のケース KT-43 (TO-218) に収容されています (図 1)。デバイスの重量 - 6 g以下。

KP742シリーズの強力な電界効果トランジスタ

SGS-THOMSON のトランジスタ KP742A - STH75N06、KP742B - STH75N05 の外国類似品。

Тkorp = 25 °С での主な技術的特徴

0,25mAのドレイン電流と接続されたゲートとドレインでのしきい値電圧V......2 ... 4
KP300A の場合、オープンチャネル抵抗はオーム、それ以上、パルス幅は 50 μs 以下、デューティサイクルは少なくとも 40、ドレイン電流は 10 A、ゲート-ソース間電圧は 742 V です。 ..0,014
KP742B ...... 0,012
最大ドレイン・ソース間電圧およびゼロ・ゲート・ソース間電圧での残留ドレイン電流 μA ...... 250
ゲート・ソース間電圧 ±20 V およびゼロ・ドレイン・ソース間電圧でのゲート・リーク電流 (nA) ... ±100
I-V特性の傾き、A/V以上、パルス幅300μs以下、デューティ・サイクル50以上、ドレイン・ソース間電圧10V、ドレイン電流40A。 ....25
最大増幅周波数、MHz、それ以上......1
ターンオン時間*、μs、最大、ドレイン・ソース間電圧 25 V、ドレイン電流 40 A、信号ソース出力インピーダンス 6,2 オーム、ドレイン回路抵抗 50 オーム、ゲート・ソース間電圧 10 V、パルス持続時間 300 μs 以下そしてそれらのデューティサイクルは50 ... 1,57以上です
ターンオフ時間*、μs、最大、ドレイン・ソース間電圧 40 V、ドレイン電流 75 A、信号源出力インピーダンス 50 Ω、ドレイン回路抵抗 50 Ω、ゲート・ソース間電圧 10 V、パルス幅 300 μs 以下の場合KP50A のデューティサイクルは 742 以上です ... 0,97
KP742B ...... 1,08
トランジスタ容量*、pF 以下、ドレイン・ソース間電圧 25 V、ゲート・ソース間電圧ゼロ、周波数 1 MHz 入力時 ...... 5200
週末……2300
チェックポイント......650
クリスタルケースの熱抵抗、С/W、30 以下
オープン保護ダイオードの一定の順方向電圧。 V、それ以上、ゼロのゲート・ソース間電圧、パルス幅が300μs以下、デューティ・サイクルが少なくとも50（KP742Aの場合、ドレイン出力を流れる電流75AおよびKP742B - 80A......1,6）
ダイオード逆回復時間*。KP35A のドレイン-ソース間電圧 100 V、ダイオード電流上昇率 300 A/μs、パルス幅 50 μs 以下、およびデューティサイクル少なくとも 742 の場合ではありません。ドレイン出力を流れる電流 75 A および KP742B - 80 A ...... 130

※参考パラメータです。

限界値

KP742A の最高ドレイン・ソース間電圧 V....60
KP742B ...... 50
最大ゲート - ソース間電圧、V......±20
最大直流ドレイン電流 *、A、KP25A の場合、ケース温度 742 °C 以下の場合 …… 75
KP742B ...... 80
最大パルスドレイン電流 *、A、KP742A の場合......300
KP742B ...... 320
KP742Aの保護ダイオードの最大順電流A....75
KP742B ...... 80
最大連続消費電力**、W、ケース温度25°С...... 200
水晶の最高温度、「C……175
周囲温度の動作範囲、「С......-55...+150

※最大消費電力とクリスタル温度の値を超えない場合に限ります。

** 周囲温度が 25 °C を超える場合は、最大許容電力 Pmax を次の式に従って減らす必要があります。

ここで、Tkp max と Tkorp は、クリスタルの最大許容温度とトランジスタケースの現在の温度の値です。 Rt kr-corps - クリスタルケースの熱抵抗。

静電位の許容値 - OST 500 11 に準拠した 073.062 V。機器にトランジスタを取り付けるためのモードと条件 - OST 11 336.907.0による。

トランジスタKP742AおよびKP742Bのパラメータの典型的な依存関係を図に示します。 2-7.

KP742シリーズの強力な電界効果トランジスタ

図上。図2、aおよびbは、ケース温度の3つの値におけるデバイスの出力特性のファミリーを示しています。 25 - オープンチャネル抵抗の温度依存性 (結晶温度 Tcr = 4 °C の点に関して正規化)。米。図４は、ドレイン電流とゲート・ソース間電圧との関係を示す。

KP742シリーズの強力な電界効果トランジスタ

デバイスの入力、出力、およびスループット容量のドレイン-ソース電圧への依存性を図に示します。 5. ケース温度が上昇すると、図の曲線に従ってドレイン電流が減少する必要があります。 6.

KP742シリーズの強力な電界効果トランジスタ

開いた保護ダイオードの両端の電圧降下は、それを流れる順電流に応じて図に示されています。 7 (ここで Ic はデバイスのドレイン出力を流れる電流です)。

KP742シリーズの強力な電界効果トランジスタ

著者: V.Kiselev、ミンスク、ベラルーシ

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