低電力電界効果トランジスタ KP214A9。参照データ

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低電力電界効果トランジスタ KP214A9。参照データ

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保護逆ダイオードを内蔵した、絶縁ゲートとチャネル強化を備えたシリコン n チャネル電界効果トランジスタ KP214A9 は、エピタキシャルプレーナ技術を使用して製造されています。トランジスタは、トランスレス入力を備えた二次電源、連続およびパルス制御を備えたレギュレータ、スタビライザおよび電圧コンバータ、低電力電気モータ用の制御ユニット、および国民経済と日常生活のためのその他の電子機器で動作するように設計されています。

トランジスタは、表面実装用の平らな錫メッキ端子を備えたプラスチックケース KT-46A (SOT-23) に収容されています (図 1)。

低電力電界効果トランジスタKP214A9

トランジスタKP214A9 - 2N7002LT1の外国のアナログ。

ピン配置と内部接続図を図 1 に示します。 XNUMX。

Tacrav = 25+10°Сでの主な技術的特徴

ドレイン電流 0,25 mA、ゲートとドレインが接続された場合のしきい値電圧 V....1 ...2,5
オープンチャネル抵抗、オーム以下、パルス幅が 300 μs 以下、デューティサイクルが少なくとも 50、ドレイン電流が 0,5 A、ゲート-ソース間電圧が 10 V...... 7,5
オープンチャネル抵抗、オーム以下、パルス幅が 300 μs 以下、デューティサイクルが少なくとも 50、ドレイン電流が 0,05 A、ゲート-ソース間電圧が 5 V......7,5
ドレイン・ソース間電圧が 60 V、ゲート電圧がゼロの場合、残留ドレイン電流 µA 以下......1
ゲート・リーク電流 µA 以下、ドレイン・ソース間電圧ゼロおよびゲート・ソース間電圧 ±20 V....±0,1
電流-電圧特性の傾き、mA/V以上、パルス幅300μs以下、デューティ・サイクル50以上、ドレイン・ソース間電圧7,5V、ドレイン電流0,2A ……80
トランジスタのゲート・ソース間電圧がゼロで、ドレイン端子とソース端子を流れる電流が 115 mA の場合、開放保護ダイオードの一定の順電圧 V はそれ以上ありません......1,5
熱抵抗結晶環境、°С/W、これ以上......625
オン/オフ時間*、いいえ、それ以上、ドレイン・ソース間電圧 25 V、ドレイン電流 0,5 A、信号ソースの出力抵抗 25 オームの場合......30/40
トランジスタ容量*、pF、それ以上、ゲート・ソース間電圧ゼロ、ドレイン・ソース間電圧25V、周波数1MHz時
入力……50
週末……25
チェックポイント......5

※参考パラメータです。

限界値

最高ドレイン - ソース間電圧、V ...... 60
最大ゲート - ソース間電圧、V......±20
パルス幅が 1 秒以下、デューティサイクルが少なくとも 300 ...±40 の最高のゲート-ソースパルス電圧 V
最大定ドレイン電流*、mA、ゲート・ソース間電圧 10 V、周囲温度 25 °C 以下 ....115
最大パルスドレイン電流**、mA、パルス幅300μs以下....800
最大定電力損失***、W、周囲温度 25 °C 以下....0,2
保護ダイオードの最大順方向電流、mA......115
保護ダイオードの最大パルス電流**、mA、パルス幅が 300 μs 以下 .....800
結晶の最高温度、°С...... 150
周囲温度動作範囲、°С -55...+125

※周囲温度が125℃まで上昇した場合

ドレイン電流は、図のグラフに従って (最大消費電力を超えない限り) ゼロまで減らす必要があります。 2.

** 最大消費電力値を超えない場合に限ります。 *** 周囲温度範囲 25 ～ 125°C では、最大消費電力 Pmax は次の式を使用して計算されます。

ここで、RTkp-cp は結晶環境の熱抵抗です。

静電位の許容値は、OST 30 に従って 11073.062 V です。機器にトランジスタを取り付けるためのモードと条件は、OST 11336.907.0 に準拠しています。はんだごてでリード線をはんだ付けするときは、巨大な銅製のジョーが付いた特別なピンセットを使用して熱を除去する必要があります。ピンセットは端子のハウジング近くに取り付けられています。はんだごては接地する必要があります。

低電力電界効果トランジスタKP214A9

KP214A9 トランジスタのパラメータの主な典型的なグラフ依存関係を図に示します。 3-7. 図では、図 3a と図 25b は、結晶温度 Tcr = 10±150°C および 4°C におけるドレイン電流 lc のドレイン-ソース電圧 Usi に対する依存性を示しています。ゲート・ソース間電圧 Uzi に対するドレイン電流の依存性を図に示します。オープンチャネル抵抗 RK ノルムの正規化された温度依存性は図 5 にあります。 XNUMX.

低電力電界効果トランジスタKP214A9
米。図６は、ドレイン・ソース間電圧が変化したときのトランジスタ容量の変化の性質を示している。 6 - オープン保護ダイオードの電流-電圧特性。最大許容定ドレイン電流 lc max の結晶温度への依存性を図に示します。 7.

著者: V.Kiselev、ミンスク、ベラルーシ

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