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広帯域非周期RFアンプ。 無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典

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読者の注目を集めた高周波増幅器は、最も広い用途を見つけることができます。 ラジオ受信機用のアンテナアンプ、オシロスコープ用の増幅アタッチメントで、垂直偏移チャネルの感度が低く、非周期的なIFアンプ、測定アンプです。

アンプの入力と出力は、75オームの特性インピーダンスを持つラインに含めるように設計されています。 増幅器の動作周波数帯域は35kHz〜150 MHzで、3dBの範囲のエッジに不均一性があります。 歪みのない最大出力電圧は1V、ゲイン(75オームの負荷)は43 dB、周波数100MHzでの雑音指数は-4,7dBです。 アンプは12,6Vの電源から給電され、消費電流は40mAです。

広帯域非周期RF増幅器

アンプの概略図を図に示します。 これは、直列に接続された1つの増幅セルで構成され、各セルでは、トランジスタN3、T2の抵抗性増幅ステージが、トランジスタT4、T20のエミッタフォロワにロードされます。 ダイナミックレンジを拡大するために、最後のエミッタフォロワを流れる電流は約4mAになるように選択されています。 増幅器の振幅および周波数特性は、周波数依存フィードバック回路R2C10、R5C1の要素と、単純な高周波補正Dr2およびDrXNUMXのチョークによって形成されます。

構造的には、アンプはホイルグラスファイバー製のプリント回路基板上に作られ、銀メッキされた真ちゅう製のケースに入れられています。

コネクタは高周波コネクタ SR-75-166 F です。高周波チョーク Dr1 と Dr2 はフレームレスです。 それらの巻線には10ターンのワイヤPEV-1 0,25が含まれており、巻線の直径は5 mmです。

43 dBのゲインが大きすぎる場合は、1つの増幅セルのみを使用できます。目的に応じて、+ 2 Vの電源電圧のトランジスタT5、T3、または電源電圧のトランジスタT4、T12,6のいずれかで使用できます。 + 400V。最初の場合、ノイズの数値は低くなりますが、最大出力電圧も低くなります(約75mV)。 1番目のケースでは、雑音指数はやや高くなりますが、21オームの負荷での最大電圧は22 Vです。両方の増幅セルのゲインは、示された動作範囲全体でほぼ同じ(30〜170 dB)です。周波数、および3つのセルを使用する場合、周波数帯域はさらに広くなります(XNUMXdBのエッジバンディングでXNUMXkHzからXNUMXMHzまで)。

結論として、アンプを組み立てるときは、デシメートル範囲での設置要件を厳密に遵守する必要があることに注意してください。

著者: N. ドンツォフ、ハリコフ; 出版物:N。ボルシャコフ、rf.atnn.ru

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