バイポーラトランジスタ上のバリアRFジェネレータ。スキーム、説明

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バイポーラトランジスタ上のバリア RF ジェネレーター。無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典

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トランジスタのバリアモード動作は、そのような発生器のLとCの値の幅広い変動が出力RF電圧のレベルの顕著な変化につながらないという重要な特性を提供します（シリコンの場合は0,5〜0,6 V）およびゲルマニウムの場合は 0,2 ～ 0,3 V )。

一見すると、1 V 未満の RF 電圧を生成する利点はそれほど重要ではありませんが、これにより周波数安定性が向上します (短期的および長期的)。さらに、チューニングにバリカルを使用することが可能になり、低 RF 電圧では、発振器周波数の安定性が大幅に低下します。

[1]では、本質的に、差動増幅器のバリア回路が与えられ、[2]では、詳細な分析なしで、トランジスタの動作のバリアモードの簡単な定義が与えられます。この点に関して、バイポーラトランジスタのバリアモード動作のいくつかの重要な特徴を考えてみましょう。この場合、トランジスタのベースは直流によって、またはコレクタへの抵抗が小さい抵抗器を介して短絡されます（図1））。電力は、トランジスタを流れる電流を設定する抵抗を介して回路に供給されます。通常のバイアス回路はありません。

バイポーラトランジスタ上のバリアRFジェネレータ
Pic.1

バリアトランジスタは、電流設定抵抗と直列に接続された一種のダイオードです。順方向にバイアスされた pn 接合のエミッタ - ベース間電圧は約 0,6 です。シリコントランジスタの場合は .0,7V、ゲルマニウムトランジスタの場合は 0,3 ... 0,4 V の場合、コレクタ電位はこの値に等しくなります。約 0,1V の飽和電圧では、シリコントランジスタを使用した回路の出力 RF 電圧の最大振幅は、約 0,5 ～ 0,6 V、ゲルマニウムのものでは約 0,2 ～ 0,3 V になります。

トランジスタを流れる電流は、式I \u0,6d (Upit-(0,7 ... 1 V)) / R、(A)によって概算できます。ここで、Upitは電源電圧、Vです。 R は電流設定抵抗の抵抗値、オームです。図 2 の発生回路では、コイルの他端から RF 電圧を除去することができます。ただし、この回路には重大な欠点があります。LC 回路はその端のいずれもグランドに接続されていないため、可変コンデンサを使用した周波数調整はほとんど不可能です。著者はコンデンサを接地した回路を提案しました（図111）。 C が「グランド」とベースの間に接続されている場合にも生成が発生します (「ベース-エミッタ」接合がオープンで、抵抗が非常に小さい)。著者は、このような方式を単純な FM ラジオマイクのマスター発振器として使用することに成功しました。変調は、KVSXNUMX バリキャップマトリックスを使用して実行されました。

バイポーラトランジスタ上のバリアRFジェネレータ
Pic.2

ただし、安定性を高めた周波数を生成するには、L の一方の端を接地することが望ましいです。これは、図 3 の回路で作成者によって実装されており、RF 電圧も L から除去することができます。

バイポーラトランジスタ上のバリアRFジェネレータ
Pic.3

同じ値の R での電源電圧の変化 (1 V 以上の場合) は、生成される振動の周波数に影響を与えることに注意してください。より高い周波数でトランジスタを確実に動作させるには、Vを下げてトランジスタを流れる電流を増やす必要があります.KT315A、KT361AをUpit = 12 VおよびR = 2200オームで使用すると、上記のすべての回路の安定した動作が少なくとも 110 MHz まで。これらの回路には高抵抗の出力があり、高品質のバッファステージと (または) ターン L の 1/8 ... 1/10 (接地端から数えて) からの RF 電圧の除去が必要です。そうしないと、周波数が不安定になります。負荷抵抗が変化すると避けられません。動作周波数でのリアクタンス Cbl は 1 オーム以下でなければなりません。

文学

1. Titze U.、Shenk K. 半導体回路。 - M .: - ミール; 1982年、p.297
2. スタセンコ V. トランジスタのバリア動作モード - アマチュア無線 1996 年、No. 1、p. 15-17。

著者: Vladislav Artemenko、UT5UDJ、キエフ。出版物: N. ボルシャコフ、rf.atnn.ru

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