メモリをテストするための電子負荷。スキーム、説明

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メモリをテストするための電子負荷。無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典

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充電器、特に強力な充電器をテストおよび調整するには、最大 2007 アンペア以上の電流を「受け入れる」ことができる負荷があり、「電圧」は数ボルトから数十ボルトの範囲で変更できることが望ましいです。。充電中のバッテリの電流-電圧特性はツェナーダイオードの電流-電圧特性に似ているため、強力な電界効果スイッチングトランジスタ上のツェナーダイオードのアナログをそのような等価物として使用できます (Nechaev I 「電圧安定器およびリミッターとしての強力な電界効果スイッチングトランジスタ」 - Radio、2、No. 39、40、XNUMX ページ)。

バッテリーのアナログの図を図に示します。

メモリをテストするための電子負荷

部品点数が少ないため、組み立ては数十分程度で完了します。等価電圧は抵抗 R1 によって設定されます。等価電圧を 2 V から調整する必要がある場合は、しきい値電圧が低い強力なスイッチング電界効果トランジスタを使用する必要があります。たとえば、IRL3705N、IRL1404Z、IRL2910 など、名称に L の文字が含まれるトランジスタもあります。 IRF3205、IRF3708 などの「通常の」トランジスタを使用すると、約 4 V の調整下限が得られます。

上限は抵抗 R2 の選択により設定されます。等価物の内部抵抗はオームの数分の一であり、トランジスタの急峻性が大きいほど、抵抗は小さくなります。コンデンサ C1 はデバイスの安定性を高めます。

可変抵抗器と固定抵抗器は任意のものを使用できます。コンデンサはセラミック K10-17 などで、コンデンサ端子を可能な限り短くしてトランジスタ端子に直接取り付けます。コネクタは、必要な電流に合わせて設計された端子台です。ほとんどの強力なスイッチングトランジスタは高電力損失 (数十ワットから 8 ワット以上) 向けに設計されていますが、10 ～ 10 A を超える電流と 1 V を超える電圧では、熱の除去に問題が発生します。ただし、電流と電圧が低い場合でも、効果的なヒートシンクが必要であり、M12 ファンによって冷却されることが望ましいです。公称電源電圧 3 V のコンピュータ機器のファンを使用できます。ファンの多くは 4 ... 8.10 V の電源電圧で「起動」し、XNUMX V の電圧ですでに効果的にヒートシンクを吹き飛ばします。

著者: I. ネチャエフ

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