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スイッチングスタビライザー - 閉ループで動作し、IP の出力パラメータを調整するスイッチング回路。彼女の例を一つ見てみましょう。

強力なスイッチング電源の開発というトピックは依然として重要です。図上。 1.35は、XNUMXつの一次巻線を備えた最新の素子ベースに実装されたハーフブリッジ電圧コンバータの図を示しています。

入力整流回路は、コンバータの出力電力によって決定されます。

最大 100 W の出力電力を備えた DB107 は、ダイオードブリッジとして使用できます。パワーが増加すると、BR310 タイプ以降のより強力なブリッジが使用できるようになります。パルストランスの二次巻線の整流器は、パラメータと負荷の性質に応じて、任意の方式に従って作成できます。

スイッチングスタビライザー
米。 1.35。ハーフブリッジ電圧変換器の電気回路図

同調抵抗器 R4 は、発振器の周波数を広範囲に変更するように設計されています。

2153 つの IR2151 チップが発振器として使用されます (IR2152D、IR2155D、IR21531D、IRXNUMXD のマイクロ回路のいずれかを使用できます)。インデックス「D」が付いた検討中のマイクロ回路とインデックスのないマイクロ回路の特徴は、最初のケースでは、出力トランジスタスイッチの制御回路に電力を供給するために高電圧ダイオードが発振器にすでに組み込まれていることです。

典型的なSMPSの外観を図1.36に示します。 XNUMX。

スイッチングスタビライザー
米。 1.36典型的なSMPSの外観

IR2153 発振器には、外部周波数制御 (R4)、1,2 μs の固定ポーズ、小型 DIP-8 パッケージが備わっています。

発振器には15,6Vのツェナーダイオードが内蔵されており、主電源回路から電流制限抵抗R2を介して受ける電源電圧を安定させます。

IRFBC40 などの保護ダイオードが内蔵された強力な MOSFET トランジスタを出力スイッチとして使用する必要があります。

220 V の主電源から電力が供給される場合、MOSFET トランジスタの許容ドレイン-ソース電圧は少なくとも 400 V である必要があります。その電流の値は、コンバータの必要な電力によって決まります。

実際、出力電力は使用される出力トランジスタによってのみ決まります (MOSFET トランジスタの選択は膨大で、電流範囲は単位から数百アンペアまであります)。ドライバ - IR2103 は IRFZ46 トランジスタに「かろうじて対処できます」。単純に、より強力なトランジスタをポンピングできない可能性があります。

理想的な代替品は IR2183 チップです。特性、ピン配置、パッケージタイプの点で完全に類似していますが、出力電流は最大 1,7 A です。基板を変更することなく、IR2103 の代わりにハンダ付けするだけです。この場合、コンデンサC5の静電容量を数倍（少なくとも1μF）増やすことが望ましく、それはフィルムでなければなりません。

ゲート回路の電流制限抵抗 R5 および R6 は、MOSFET トランジスタの入力容量が過充電されたときに出力制御電流を制限するように設計されています。

出力が50W以上になると、ラジエーターに強力なMOSFETトランジスタを取り付ける必要があります。

発振器の動作周波数は、XNUMX つの RC 回路によって設定されます。

抵抗値が 5 kΩ 以上の抵抗を使用することを推奨します。生成頻度は次の式で決定されます。

F \u1d 1,38 / 1 x (R75 + 1) xCXNUMX。

ここで、R1 はオーム、C1 はファラッドです。

基板を組み立てる際には、MOSFET トランジスタの静電気保護を行う必要があります。最後に基板にはんだ付けする必要があります。

動作周波数の選択と出力トランスの計算については、アマチュア無線向けの文献で何度も説明されています。

パルス間の休止時間を広範囲に調整するには、IR2156 または IR21571 自己発振器マイクロ回路が適しています。

著者：Kashkarov A. P.、Koldunov A. S.

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