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Z80 の発信者 ID の改良。 無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典

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無線電子工学と電気工学の百科事典 / テレフォニー

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多くのアマチュア無線家は、80 年前に「Caller ID on the ZXNUMX」と呼ばれる発信者番号通知機能付き電話機というブームが目新しいものを引き起こしたことを覚えています。 時が経ち、以前のものよりもはるかに優れた機能を備えた新しいスーパーフォンが登場しました。 しかし、多くの企業は依然として正常に動作する古き良き AON を所有しており、特にデバイスが手作業で組み立てられている場合には、AON を手放す意味も希望もありません。 しかし、まだ改善が必要です。 これについては、提案された記事で説明します。

このデバイスにはいくつかの「問題点」があります。 そのうちの 80 つは、プロセッサ システムのいわゆる「ハング」です。 これがどのような結果をもたらすか、Z2 上の AON の所有者はよく知っています。 確かに、「フリーズ」が 3 ... XNUMX か月ごとに発生する場合、これはごく普通のことです。 XNUMX 分ごとに「ハング」が発生する場合は、すでに故障とみなされます。 プロセッサが所定の命令シーケンスを実行するとき、わずか XNUMX ビットの読み取りエラーがこのシーケンスの違反につながります。 障害の具体的な原因は、インパルスノイズなど、異なる場合があります。

プロセッサは単独でハング状態を終了することはできません。そのためには、外部リセット信号をプロセッサに適用するか、プロセッサを再起動する必要があります。 AON には 580 つのリセット デバイスがあります。電源投入時の初期リセットと、KR53VIXNUMX タイマーのチャネルの XNUMX つで実行される強制 (再生成) です。 しかし、プロセッサシステムが正常に動作しているとき、つまりリセット信号がまったく必要ないときにのみリセット信号が適切に形成されるため、強制リセットデバイスの動作は信頼できないことが判明しました。

図上。 図 1 は、単純な自動再生ユニットの図を示しています。このユニットを Z80 の AON に接続すると、フリーズを迅速に「リセット」できるだけでなく、主電源がオンになったときにプロセッサが確実にリセットされるようになります。

Z80での発信者IDの改善
(クリックして拡大)

このデバイスの基礎は、要素 DD1.1 および DD1.2 に基づく遅延マルチバイブレーターです。 1.3 つの直列接続されたインバータ DD1.4、DD6.3 はマルチバイブレータの出力に接続され、バッファ アンプとして機能します。 「フリーズ」中は、ほとんどの場合、書き換えパルスが消えます。これは、正常に動作しているデバイスでは、DD1993 エレメントの出力から来ます (記事「Businessman's Phone」-「Radio」、9 年の AON による電話回路によると、いいえ) .33、0,5ページ)。 上書きパルスの持続時間は 8 μs、繰り返し周期は XNUMX μs です。 これらのパルスの欠如は「フリーズ」の信号です。

AON ボードから、パルスは電圧 1 倍になって検出器に到着します (要素 VD2、VD2、C1、R2)。 検出器から、ハイレベルが DD1.1 エレメントのピン 1.4 に送られ、マルチバイブレーターの速度が低下します。 DD4 出力も High になり、VDXNUMX ダイオードが閉じられ、デバイスはプロセッサに影響を与えません。

パルスが消えると、コンデンサ C2 が放電され、電圧が要素 DD1.1 のスイッチングしきい値に達するとすぐに、マルチバイブレータが動作し始めます。 要素 DD1.4 の出力に、持続時間 0,1 ... 0,15 秒の低レベル パルスが表示され、プロセッサがリセットされます。 プロセッサー部分の通常の動作が 1,5 ~ 2 秒以内に回復しない場合、リセット サイクルが繰り返されます。

比較的長い一時停止が必要なのは、プログラムの一部のバージョンでは、デバイスがネットワークに接続されているときに短いメロディーが鳴り、その後初めてインジケーターに情報が表示されるためです。

一時停止時間がBGMより短い場合、電源を入れたときに発信者番号通知を開始できません。 数値を決定するとき、プロセッサーのすべての「力」がこの操作を実行し、表示が停止します。インジケーターの最初の桁に四角形が表示されます。 コンデンサ C2 の放電時間は数決定時間を超える必要があり、そうでない場合は「フリーズ」と認識されます。 図に示されている定格では、放電時間は 3 ~ 5 秒です。

このデバイスは、厚さ 0,75 ~ 1 mm の片面フォイルグラスファイバー製のプリント基板に取り付けられています。 PCB の図面を図に示します。 2. すべての抵抗とダイオード VD1 は垂直に取り付けられています。 ジャンパーは PEV または PEL ワイヤーで作られています。 電話ケースでは、ブロックは任意の便利な場所に取り付けられ、そのためにボード上の空き領域が提供されます。 接続ワイヤの長さは最小限にすることが望ましいです。 AONボードでは、プロセッサ初期起動回路(VD12、VD13、C4、R20)と強制回生接続回路(VD14)の素子を削除する必要があります。

Z80での発信者IDの改善

チップ DD1 は K176LE5 に置き換えることができます。 コンデンサ - 任意の小型サイズ、たとえばタイプ KM。 国内の抵抗器MLT - 0,125は最大3MΩの抵抗で製造されているため、デバイスでは輸入抵抗器が使用されています。 複数の抵抗 MLT - 0,125 を直列に接続して使用することができます。 また、抵抗器 R2 と R3 の抵抗値を比例的に減少させて、より大きなコンデンサ C1 と C3 を使用することによって、適切な時間を取得することもできます。

このデバイスには設定は必要ありませんが、セラミックコンデンサの静電容量は大幅に変化するため、パルスの継続時間、一時停止、およびコンデンサC2の放電時間を確認する必要があります。 公称値よりも大幅に小さいことが判明した場合は、コンデンサ C2 および C3 を選択する必要があります。

経験が示すように、プロセッサーを手動でリセットするための追加の SB ボタンの導入により、デバイスの使用が簡素化されます。その助けを借りて、ためらうことなくほとんどのモードを終了してメインモードに戻ることができます。 VEF ケースに組み立てられたデバイスでは、既存のマイクのミュート ボタンを使用できます。

おそらく、最初は正常に動作していたデバイスが、時間の経過とともに「フリーズ」して失敗することが多くなりました。 このようなトラブルの主な原因は接触不良です。エレクトロニクスは接触の科学であると言われるのも当然です。 接触欠陥は 2 つのグループに分類されます。基板内のビアのめっき不良、品質の悪い (いわゆる「コールド」) はんだ付け、超小型回路が取り付けられているソケットの接触不良です。 最初の欠陥は、デバイスの設置と調整中にほぼ完全に明らかになり、最後の 3 つは時間の経過とともに明らかになります。 10 ~ XNUMX 個の冷はんだ接合部を見つけて取り除くことは実行可能な作業ですが、XNUMX 個以上の接合部がある場合、これに時間を費やすのはほとんど意味がありません。

古いリリースの国内ソケットは、金メッキの接点を備えていても、信頼性の高い接続を提供しません。 そして、そのようなパネルがデバイスに取り付けられている場合は、まずそれらを交換する必要があります。 ROM チップはほとんどの場合ソケットに取り付けられ、プロセッサが取り付けられることも非常に多いです。 経験が示すように、ROM チップは接点の品質に最も敏感であり、そのソケットを最初に交換する必要があります。 コレットコンタクト付きのソケットを使用するのが最善です。

パネルを分解するときの主な作業は、プリント基板を損傷しないようにすることです。損傷しないと、その後の修理が困難になり、時間がかかります。 グループチップ付きのはんだごてやはんだ吸引を使用してソケットを取り外そうとしないでください。これらの方法は損傷がないことを保証するものではありません。 別の方法の方がより信頼性があります。 鋭利なナイフを使ってソケットの側面を慎重に折り取り、コンタクトが機械的に固定されていない状態にします。 その後、はんだごてで取り付け穴を加熱し、ピンセットでコンタクトを基板から XNUMX つずつ取り外します。 これは過度の努力をせずに行う必要があります。そうでないと、ソケットの側面から導体を引きはがすことができます。脚が「機能しない」場合は、取り付け穴のはんだが完全に溶けるまで少し待つことをお勧めします。 コンタクトを取り外し、パネルハウジングを取り外した後、新しいパネルを取り付けるための穴を準備する必要があります。 これを行うには、コンタクトパッドをはんだごてで加熱し、鋭く尖ったマッチを部品の側面から穴に挿入して、穴からはんだの残留物を除去します。 その後、新しいソケットを取り付けてはんだ付けします。 この方法では、プリント基板を損傷することなく、ソケットを素早く分解できます。

抵抗器 R2 の抵抗値はそれほど大きくする必要はありません - 10 kΩ で十分です。 抵抗 R4 の下側出力を DD1.3 素子の出力に切り替えると、マルチバイブレータの動作がより安定します。

著者:D.Turchinsky、モスクワ

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