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電話機の会話ノード。 無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典

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電話機の操作が消費者に合わない場合があります。音声や聞き取りやすさ、騒音などが問題になります。提案された会話ノードを組み立てることによって、デバイスの特性を改善できます。

デバイスの図を図に示します。

電話セットの会話ノード
(クリックして拡大)

クワッドオペアンプDA1は、トランジスタVT5、VT6上のユニポーラカスケードから生成されたバイポーラ電圧によって電力供給されます。 オペアンプDA1.1とトランジスタVT1にはマイクアンプが組み込まれ、DA1.2とVT2、VT3にはラインからのオーディオ信号アンプが組み込まれます。 アンチローカル システムを動作させるために、DA1.2 の逆相オーディオ信号は、最も単純な会話ノードの多くで行われているように、出力トランジスタ VT1 から取得されるのではなく、DA1.3 の別個のアンプによって生成されます。 これにより、アンチローカル システムの優れた品質が実現されます。

オペアンプ DA1.4、ダイオード VD2、VD3、およびトランジスタ VT4 のカスケードは、ゲイン DA1.2 を制御するように設計されています。 マイクから十分なレベルの信号を受信すると、DA1.2 オペアンプのゲインが低下し、人の声がさらに抑制されます。

オペアンプ DA1.1 の非反転入力の信号レベルが非常に高い場合、DA1.1 と DA1.3 の線形性が低下し、自分の声の抑圧の深さが減少します。 この影響を補償するには、オペアンプ DD1.2 のアンプの感度を下げる必要があります。 これにより、電界効果トランジスタVT4が形成される。 ソース・ドレインチャネルの抵抗は大幅に増加し、オペアンプDA4のゲインは抵抗R1.2とR25の抵抗値の比によってのみ決まります。

スイッチ SA1 は、マイクアンプの感度を下げるように設計されています。 スイッチ SA2 は、ハンドセットの信号の音量を下げることができます。

エレクトレット マイク VM1 - MKE-389、MKE-332、MKE-377、M34LOR HM1003 など。 ダイオード VD2、VD3、VD6 - 低電力ゲルマニウムまたはシリコン、VD4 および VD5 - 低電力シリコン。 ツェナー ダイオード VD1 - 任意の低電力電圧 15 ~ 30 V。

トランジスタ VT1 には、ベース電流伝達係数が 815 ~ 817 の KT961、KT608、KT630、KT150、KT200 シリーズのいずれかを使用できます。 VT4 電界効果トランジスタは KP302、KP303、KP307 シリーズのいずれかですが、カットオフ電圧が 1 V 以下であることを確認する必要があります。

干渉を減らすには、通話ノードを備えたボードをハンドセット内に配置し、銅箔シールドを使用することをお勧めします。

ノードを確立するには、特定のパラメータに影響を与えるいくつかの抵抗を選択する必要があります。 これらの抵抗器のタグとそれらが影響するパラメータ、およびパラメータの定格を以下に示します。

type="ディスク">
  • R3 - 自分の声の抑圧の深さ;
  • R7 - マイクアンプの感度;
  • R9 - マイクアンプの感度を下げる;
  • R12 - 電話増幅器感度低減システムの応答しきい値。
  • R14 - 会話ノードの供給電圧 (8 ... 11 V);
  • R21 - 電話アンプの感度が低下したボリューム。
  • R27-着信音声信号の音量。
  • R29-バイポーラ電圧源のアームの対称性。
  • R31 - 強制的に音量を下げました。
  • 著者: A.Butov、ヤロスラヴリ地方クルバ村

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