高電圧トランジスタをテストするためのデバイス。スキーム、説明

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高電圧トランジスタをテストするための装置。無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典

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半導体デバイス、特にラジオ市場から購入したデバイスをチェックすることは、製造上の欠陥や偽物のある部品を購入する可能性があるため、望ましいだけでなく、必要でもあります。著者が提案したデバイスは、デジタルまたはアナログデバイスに取り付ける形で作成されており、半導体接合部での最大許容逆電圧を迅速に決定できます。

アナログまたはデジタルマルチメータを使用して半導体デバイスをテストしても、テストが行われる電圧が低いため、その実用性が完全に保証されないことが知られています。低電圧トランジスタをテストするためのプローブ (KT315B、KT815A など) が強力な高電圧デバイスのテストには適していないことは明らかです。

テスト対象のトランジスタの逆コレクタ電流が参考書に示されている電流よりも大幅に高い場合、これは単なる低品質のコピーではなく、同じパッケージ内のXNUMXつのトランジスタを装って別のものが販売されている偽物（いわゆる「グラインド」）である可能性があることに留意する必要があります。

提案されたデバイスは、50 ～ 600 V の電圧であらゆる構造のバイポーラトランジスタの逆電流を測定するように設計されています。また、整流ダイオード、サイリスタ、トライアックの逆電流をチェックし、ガス放電ランプ、高電圧ツェナーダイオード、バリスタの動作電圧を決定することもできます。

デバイスの概略図を図に示します。

（クリックして拡大）

AC 電圧 220 V は、電源スイッチ SB1 と抵抗 R1、R2 を介して、電圧を 1 倍にしてダイオード VD2、VD2 の半波整流器に供給されます。抵抗器 R1 のスライダーが図に従って上の位置にある場合、コンデンサ C2、C300 のそれぞれは、主電源電圧の振幅値に近い電圧、つまり 8 V を少し超える電圧まで充電されます。この場合、図に従って抵抗器 R9、R600 の左端子にかかる調整可能な定電圧は XNUMX V に達する可能性があります。

抵抗 R3、R4 は、電源がオフになった後、コンデンサ C1、C2 の放電を促進するように設計されています。ネオンランプ HL1 は 100 V 以上の電圧で点灯します。6 V に校正された目盛りを備えた単純な電圧計は、抵抗 R7、R1 と微小電流計 RA600 で構成されています。抵抗 R8、R9 は負荷の短絡電流を 6 mA に制限します。最大 3,6 ワットの電力を消費します。

HL2 LED は、p-n 接合の逆電流の増加を示し、100 μA の電流でほとんど目立たない程度に発光し始めます (低電流で最大の光束が得られる LED を選択することをお勧めします)。シリコンダイオード VD3 は、接続された微小電流計を過負荷から保護します。

このデバイスは、適切な電力の一定の MLT 抵抗を使用します。可変抵抗器 R2 - SP-1 1 W のリニア特性（グループ A）。一部の固定抵抗器の電力が増加するのは、高電圧で動作するためです。

コンデンサ C1、C2 - 酸化物、タイプ K50-7、K50-27 または少なくとも 350 V の電圧用の同様のもの。73 V あたり 17 マイクロファラッドの容量を持つ無極性 K2,2-400 または同様のものを使用できます。

ダイオード VD1 ～ VD3 は、許容逆電圧が少なくとも 700 V の他の低電力シリコンダイオードに置き換えることができます。

ネオンランプ HL1 - 250 μA 以下の電流で十分な明るさを備えたタイプ。電源スイッチ SB1 - 動作電圧が少なくとも 250 V の押しボタン (ラッチなし!)。

リールテープレコーダー「サターン1C-4761」のレベルインジケーターのフレーム抵抗が1 kΩの微小電流計PA202タイプM2。矢印の全偏向電流が50 ... 300 μAの他のもの（たとえば、M68501、M4260、M4204）に置き換えることができます。このような交換では、抵抗器 R6、R7 の抵抗値を大幅に調整する必要がある場合があります。

構造的には、デバイスは100x150x30 mmの寸法のプラスチックケースに入れることができます。抵抗器R2の軸には必ずプラスチックハンドルを取り付けてください。頻繁に使用する場合、このデバイスには「npn」および「pnp」構造のトランジスタをテストするための極性スイッチを装備できます。

測定中の感電を避けるために、電源回路の電流は制限されており、オペレーターの手は多忙です。電源ボタンを押しながら負荷の電圧を調整する必要があります。したがって、電圧がかかっているコネクタの端子またはクランプに半導体デバイスの端子を固定する設計になっています。

半導体デバイスの最大電圧をテストする前に、従来の抵抗計を使用して主要パラメータをチェックし、テストの最初の段階で欠陥のあるものを除外する必要があります。

サイリスタを検査する場合は、np-p構造のトランジスタの端子にサイリスタを接続し、ベースの端子に制御電極を接続します。トライアックは、制御電極を未接続のままにして、入力電圧の極性に関する 1 つのオプションでチェックされます。任意の設計の微小電流計がソケット X2、X4 に接続されます。デジタルマルチメーターを使用すると特に便利です。追加の電圧計を接点 ХЗ、ХXNUMX に接続できます。

測定器や LED の表示で逆電流の増加を監視しながら、テスト電圧を徐々に増加させる必要があります。

トランジスタパッケージのタイプはさまざまであるため、デバイスへの接続について単一の推奨事項を与えることは困難です。ワイヤーをトランジスタの端子にはんだ付けするだけです。遵守する必要がある基本要件は XNUMX つだけです。デバイスへのすべての接続は電源をオフにして (デバイスは主電源から絶縁されていません!)、もう XNUMX つは完全に放電したフィルタコンデンサを使用することです。

場合によっては、室温で逆電流を測定するだけでは不十分な場合があるため、トランジスタまたはその他の半導体デバイスを電気ヘアドライヤーで加熱することができます。

テスト結果は、十分な電圧マージンを備えた半導体デバイスのより慎重な使用につながる可能性があります。

測定回路とネットワークのガルバニック接続を排除するには、絶縁変圧器を介してデバイスを接続することをお勧めします。

著者: A.Butov、ヤロスラヴリ地方クルバ村

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