電界効果トランジスタKR504NTのマルチバイブレータ。スキーム、説明

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電界効果トランジスタKR504NT上のマルチバイブレータ。無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典

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さまざまな目的のための対称および非対称マルチバイブレータは、バイポーラトランジスタだけでなくフィールドトランジスタにも構築できます。この一例は[1]にあります。電界効果トランジスタにはバイポーラトランジスタに比べて多くの利点があり、その主なものは、低周波数または静的モードで動作するときの制御回路の非常に低い電流であるため、従来のXNUMXトランジスタマルチバイブレータと見なすことができます。ただし、電界効果トランジスタの場合のみ、対応するバイポーラ上に組み立てられた同様のノードの前で勝ちの位置になります。

あなたは図で最初のmulvibratorのスキームを見ることができます。 1.その動作は、多くの点でpn-pバイポーラトランジスタのマルチバイブレータの動作と似ています。LEDもウィンクします。違いは、トランジスタVT1.1、VT1.2のそれぞれを閉じるには、正のゲート-ソース間電圧を印加する必要があることです。これは、これらのトランジスタのカットオフ電圧（約4 V）を超えている必要があります。これは、時間設定コンデンサC1、C2が存在するため、マルチバイブレータアームが切り替わるたびに発生します。そのため、バイポーラ電源は必要ありません。

電界効果トランジスタ KR504NT のマルチバイブレータ。 KR504NTのマルチバイブレータの模式図
図。 1

この発生器のトランジスタのスイッチング周波数は 6 秒ごとに 100 回です。高品質の電解コンデンサ（漏れ電流が少ない）を取り付けると、容量が4700 ... XNUMXμFで、数十分の周期でトランジスタのスイッチングを実現できます。これは、ベースの単純なデバイスでは実現できません。バイポーラトランジスタ。

抵抗器 R2 と R3 の抵抗値は数千倍異なる場合があります。たとえば、R2 を 30 MΩ、R3 を 10 kΩ とします。マルチバイブレータは非対称になります。コンデンサの静電容量も同様に変化します。これらの素子を適切に選択すると、トランジスタの 100 つのドレイン出力で非常に短いパルスを取得し、続いて大きなデューティサイクル (10000 ... 1) を得ることができます。図のスキームに従って作成されたデバイスの場合。 36、通常の LED の代わりに、トランジスタの負荷として点滅する LED、たとえば L-2BSRD をオンにすると、それらのいずれかが数回点滅し、隣の LED が点滅している間休止します。マルチバイブレータを可聴周波数で動作させる必要がある場合は、抵抗R3とR10の抵抗を20 ... XNUMX倍に減らし、コンデンサの容量を数百ピコファラッドにする必要があります。

従来の抵抗R2、R3の代わりに、フォトレジスタ（FSK、SF2-x、SFZ-x、FR117など）を取り付けることができます。この場合、トランジスタのスイッチング周波数は照度によって数千倍にもなります。ただし、抵抗 R2、R3 の抵抗値が 3 kΩ 未満の場合、生成に失敗する可能性があります。

図1に示すスキームに従って作成されたマルチバイブレータ。 10、大きな初期ドレイン電流（30 ... 504 mA）の電界効果トランジスタを使用する必要があります。 KR2シリーズにそのようなアセンブリがない場合、図に示すスキームに従って同様のマルチバイブレータを組み立てることができます。 1.ここでは、電界効果トランジスタはより低いドレイン電流で動作し、LEDの十分な輝度を得るために、バイポーラトランジスタVT4、VT1に電流増幅器が取り付けられています。このマルチバイブレータのスイッチング周波数は約1Hzです。トランジスタVT4、VT829の代わりにKT2シリーズの強力な複合トランジスタを取り付けると、白熱灯を負荷として使用できます。この場合、KT6タイプのトランジスタには独自の内蔵抵抗が含まれているため、R829、RXNUMXは取り付けられていません。

このマルチバイブレータが動作を「拒否」する場合は、抵抗器 R3、R7 をより正確に選択する必要があります。図に示すスキームに従って組み立てられたノードでは、図１に示されるように、１０ｍＡを超える初期ドレイン電流を有するＫＲ５０４、（Ｋ５０４、５０４）シリーズの電界効果トランジスタの整合対のマイクロアセンブリを使用することが可能である。 KR1NT504V、KR504NTZV が最適ですが、インデックス A、B で試すことができます。供給電圧の極性を変更して LED を接続する場合、トランジスタアセンブリの代わりに、KP504 の 10 つの別個の電界効果 n チャネルトランジスタを使用できます。、KP504シリーズ。カットオフ電圧が大きい場合は、電源電圧を 4 V まで上げることができます。

電界効果トランジスタ KR504NT のマルチバイブレータ。 KR504NTのマルチバイブレータの模式図
図。 2

ノードのスキームを図に示します。 2、KR504NT1、KR504NT2 の任意の文字インデックスを持つマイクロ回路が適しており、抵抗器 R3、R7 - KR504NTZ、KR504NT4 を選択する場合に適しています。さらに、KP103、KP101 シリーズの多くの電界効果トランジスタもチューニングなしで動作します。無極性コンデンサ、たとえば 73 V 用の小型 K17-63 を使用することをお勧めします。「通常の」LED には、AL307、KIPD21、KIPD35、KIPD40 シリーズのいずれか、および 1-1513、L- 934など点滅 - L-816BRSC-B、L-769BGR、L-56DGD、Т1ВК5410など。

KR504NT (1 ... 4) アセンブリの電界効果トランジスタは最大ソース - ドレイン電圧が 10 V 以下であるため、マルチバイブレータの電源電圧は 10 ... 12 V を超えてはなりません。

文学

A.ブトフ。電界効果トランジスタのマルチバイブレータ。 -ラジオ、2002年、N4、p.53。
超小型回路とその応用。 - M.: ラジオと通信、1984 年、p.73。

出版物: cxem.net

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