溶接変圧器の漏れインダクタンスの計算方法。スキーム、説明

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トランスの漏れインダクタンス主に依存します：

巻線の相対位置から。
巻線の構成から;
変圧器の近くにある磁性材料で作られた物体などの外部要因による影響。

溶接変圧器の漏れインダクタンスの計算方法
米。 18.6 ディスク巻線を備えたロッドトランスにおける力磁界の分布パターン

残念ながら、漏れインダクタンスを正確に計算することは事実上不可能です。通常、実際には、実際のサンプルの巻線データや設計データを改良し、逐次近似法によって計算が行われます。ディスク巻線を備えた変圧器の漏れインダクタンスを計算する方法を開発しましょう。

図上。図18.6は、ディスク巻線を備えたロッド変圧器における力磁場の分布パターンを概略的に示しています。これは全磁束 Ф と巻線の漏れ磁束 - Ф の概略図です。_s1 およびF_s2。これらの流れはアンペア風によって発生します。

トランスの巻線によって作成されます。

コアウィンドウでは、変圧器の一次巻線の電流は観察者から離れる方向に向けられ、二次巻線の電流はその逆になります。このため、漏れ磁束に関しては、一次巻線と二次巻線は一種の ギャップソレノイド δと呼ばれる 主散乱チャネル （以下、チャネルと呼びます）。

このチャネルでは、一次巻線と二次巻線の主漏れ磁束が通過します。変圧器の巻線は点に集中しておらず、空間に一定の方法で分布しているため、漏れ磁束の一部は巻線の内部を通過します。巻線の端に移動すると、漏れ磁束は巻線のより小さいアンペアターンによって生成されるため、弱くなります (図 18.6)。

コイル間のチャネルおよびコイル内部の浮遊磁束は合計され、共通の浮遊磁束を生成します。これらのコンポーネントを決定するには、次のようにします。 いくつかの仮定.

仮定1。変圧器のコアの磁気抵抗は非常に小さいため、巻線のすべてのアンペアターンが漏れチャネルに適用されると仮定します。

仮定2。コアの外側に位置するコイルのセクションについても同じ仮定を受け入れます。これは、コイル間のチャネルの外側では、磁束が比較にならないほど大きな断面積を持つ空間を通って閉じ、その結果、抵抗がはるかに小さくなるからです。この仮定により、漏れ磁束の計算値が多少過大評価されることになりますが、これは後で補正係数を導入することで考慮に入れることができます。

漏れチャネルのXNUMX次巻線によって生成される漏れ磁束を決定しましょう δ。作業を単純化するために、変圧器の巻線の巻数が同じであり、変圧比 n=1 であると仮定します。

XNUMX つの巻線の電力線がチャネルの半分を占めると仮定すると、XNUMX つの二次巻線の磁気抵抗が求められます。

ここで、F - 巻線のアンペアターン、A。 Ф - 磁束、Wb; H - 磁場の強さ、A/m。 c - チャネル長、m; S - チャネル面積、m2; B - 磁気誘導、Tl。

張力と磁気誘導は次のように相互接続されています。 物質の絶対透磁率

これは、製品と同じです

どこ - 磁気定数 (真空透過率); μ - 媒体の相対透過性。

空気のためからそのチャネルの面積は、次の式で求めることができます：

ここで、p はチャネルの周囲、m です。

得られた値を式に代入する 磁気抵抗、我々が得る

磁束 XNUMXつの巻線のチャネルでは、次の式で見つけることができます。

ここで、w は巻線の巻数です。 I - 巻線の電流、A.

XNUMXつの巻線とチャネル内の磁束との磁束リンケージ 次の式で見つけることができます：

二次巻線の厚さを通過する流れとの鎖交磁束を計算するには、幅 dx (図 18.6) と巻線ターンの平均長さに等しい長さの出力管を選択します。その磁気抵抗は次の式で求められます。

ハイライト コイル:

このように、 チューブフロー 等しい：

А チューブフラックスリンケージ あります

同様のチューブの一般的なフラックスリンケージ 二次巻線の幅に応じて δ₂ 意志

一般的な巻線磁束リンケージ は、チャネル内の鎖交磁束と巻線の厚さの鎖交磁束を合計することで求められます。

磁束リンケージを電流で割ると、次のようになります。 二次漏れインダクタンス:

一次巻線の漏れインダクタンス、セカンダリに縮小:

総漏れインダクタンス、二次巻線に還元：

コアの外側に位置するコイルのセクションでは、漏れ磁束が空間を通過するため、実際の漏れインダクタンスは計算値よりも約 30% 小さくなります。

著者: Koryakin-Chernyak S.L.

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