IR53HD420チップをベースにしたミニチュア電子バラスト。スキーム、説明

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電子安定器。 IR53HD420チップをベースにした小型電子安定器。無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典

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警告！ この設計は電気ネットワークに電気的に接続されています。感電の可能性により生命を脅かす可能性があります。したがって、製造、テスト、調整、操作の際には、電気的安全対策を厳守する必要があります。

導体や部品の裸端子との偶発的な接触を避けるように設計する必要があります。構造の動作を確認するときは、部品や回路には手で触れず、電源プラグをコンセントから抜いたときにのみ交換部品のはんだ付けを行ってください。

検討する ミニチュア電子安定器ハイブリッドマイクロサーキットで作られました IR53HD420 (IR51HD420)、パワートランジスタと昇圧ダイオードを内蔵しています。 IR51HD420 ハイブリッドチップをベースにした超小型電子安定器は、単一ランプで最大 0,3 A の電流で動作するように設計されており、コンパクト蛍光ランプで広く使用されています。 IR53HD420/IR51HD420の構造図を図に示します。 3.20。

統合パワートランジスタを備えた IR53Hxxx / IR51Hxxx ファミリには、異なるパラメータを持ついくつかのマイクロ回路が含まれており、その主な特性を表に示します。 3.4.

IR53HD420チップをベースにしたミニチュア電子バラスト
米。 3.20。 IR53HD420/IR51HD420の構造図

表 3.4. チップ特性

IR53HD420チップをベースにしたミニチュア電子バラスト

表に注意してください。 3.4。 HD - 統合ブースターダイオード付き。 H - ダイオードなし。

IR51HD420の主なパラメータはIR2151、IR2153と同様です。 IR51HD420 に統合されている 420 つの n チャネル HEXFET トランジスタ (IRFCXNUMX) には、 次のオプション:

連続最大ドレイン電流I_D -1,2 A;
推奨連続ドレイン電流 I_D - 0,7A;
最大ドレイン-ソース間電圧V_DS -500 V;
最大消費電力 P_D - 2-3 W;
開状態の電源スイッチのチャネル抵抗R_DS-3,0オーム。

小型電子安定器の概略図を図に示します。 3.21。

米。 3.21。 IR53HD420 に基づいて構築された小型電子安定器の概略図 (クリックして拡大)

どのように動作します これは、上ですでに説明した IR2153 の電子安定器に似ています。

電源フィルタインダクタ L1 は、ウィンドウが完全に埋まるまで、20 芯ネットワークワイヤ (または半分に折り畳まれた MGTF) を使用して K12x6x2000 M84110NM フェライトリングに巻かれます。小型サイズと組み合わせた優れたノイズ抑制結果は、特殊な EPCOS フィルタ B14-B-A84110、B5-A-A84110、B10-A-A84110、B20-A-AXNUMX によって提供されます。

電子安定器 L2 のインダクタは、M2000NM フェライトで作られた W 型磁気コアで作られています。コアサイズ Sh5x5 ギャップあり δ = W 型コアの 0,4 つの作業面すべての下に XNUMX mm。この場合のギャップのサイズは、磁気回路の半分の接触面間のガスケットの厚さです。

ギャップを作るには、磁気回路の半分の合わせ面の間に厚さ0,4 mmの非磁性材料（非箔ガラス繊維またはgetinax）で作られたガスケットを置き、エポキシ接着剤で固定する必要があります。

インダクタ (巻数が一定) のインダクタンスの値は、非磁性ギャップの値に依存します。ギャップが減少するとインダクタンスは増加し、増加すると減少します。

L2 を巻く - 直径 180 mm の PEV-2 ワイヤーを 0,25 回巻きます。層間絶縁 - ワニスを塗った布。ワインディング - ターンからターン。

ダイオードブリッジ VD1 - 輸入 RS207、許容直流 2 A、逆電圧 1000 V。適切なパラメータを持つ XNUMX つのダイオードで置き換えることができます。

IR51HD420ハイブリッドチップは、IR53HD420、IR51H420、IR53H420に置き換えることができます。

協議会。 IR51H420、IR53H420 を使用する場合、これらのマイクロ回路には昇圧ダイオード (ピン 1 と 6 の間) が内蔵されていないことを考慮する必要があり、それを取り付ける必要があります。この場合に使用するダイオードは、次のパラメータを持つ超高速クラス (超高速) である必要があります。逆電圧 400 V。許容直流 - 1 A; 逆回復時間 - 35 ns。

11DF4、BYV26B/C/D、HER156、HER157、HER105-HER108、HER205-HER208、SF18、SF28、SF106-SF109に適合。ダイオードはできるだけチップの近くに配置する必要があります。

R3、C5、Sat - 表面実装用の SMD エレメント (6 V の場合は C60)。コンデンサ C1、C2、C7 - K73-17。 C1、C2 - 630 V、C7 - 400 または 630 V; C3 - 少なくとも 10 V の公称電圧用に輸入された電解 (350 つの 4 マイクロファラッドを並列)。 C25 - 8 V 用の電解。 C78 - 2 V 用ポリプロピレン K1000-XNUMX。

EPCOS のバリスタ RU1 - S14K275、S20K275、TVR (FNR) 14431、TVR (FNR) 20431 または国内の CH2-1a-430 V と交換します。

R1 - 2,2 ～ 4,7 W の電力を持つ 1 ～ 2 オームのワイヤ。負の温度係数 (NTC - 負の温度係数) を持つサーミスタ (サーミスタ) - SCK 105 (10 オーム、5 A) または EPCOS からのサーミスタと置き換えることができます。 -B57234-S10-M、B57364-S100-M。

RK2は、IR2153の電子バラストと同じポジスタです。

バラストは、フォイルグラスファイバー製のプリント回路基板上に組み立てられ、アルミニウムのシールドケース内に配置されます。プリント基板と要素の配置を図に示します。 3.22 調整に関する推奨事項は、IR2153 の電子安定器に関するセクションで説明したものと同様です。

IR53HD420チップをベースにしたミニチュア電子バラスト
米。 3.22. プリント基板と素子配置

著者: Koryakin-Chernyak S.L.

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