ESL信号変換増幅器。スキーム、説明

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ESL信号変換アンプ。無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典

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読者の注意を引くために提供されたデバイスは、ESL 信号を増幅および変換するように設計されています。設計前に、レンジと出力信号の一定成分を独立して調整するというタスクが設定されており、最大レンジでも正と負の両方のパルスを取得できる可能性がありました。

アンプ内の両方のレギュレータは RF 信号電圧下にないため、ユーザーにとって便利なように、互いにある程度の距離を置くことができます。 ESL 信号発生器と併せて、パワーアンプはデジタルおよびアナログデバイスの確立と研究に使用されました。

主な技術的特徴

ECL 入力信号論理レベル、V high ......-0,8
低.......-1,6
入力インピーダンス、kOhm 以上 .....0,6
出力インピーダンス、オーム........50
出力電圧振幅、V、抵抗 50 Ω の負荷でそれ以上 ..... 2,5
出力パルスの立ち上がりおよび立ち下がり時間、ns、それ以上....10
力積の水平上部からの偏差、%、それ以上....5

米。 1（クリックで拡大）

増幅回路を図に示します。アンプの入力段は差動で、トランジスタ VT1 と VT2 に組み立てられ、トランジスタ VT4 に電流発生器が付いています。ダイオード VD2 と VD3 は基準電圧 (-1,2 V) を設定します。 ESL ロジックレベルと基準電圧の差は少なくとも 200 mV であり、これは差動段の完全なスイッチングには十分です [1]。

トランジスタ VT3 のエミッタフォロワは、調整可能な差動段電源の機能を実行します。出力電圧の上位 (正) レベルは、抵抗 R3 によって設定された電圧によって決まります。

トランジスタ VT4 のベースの電圧が変化すると、差動段の電流が変化します。出力電圧範囲はこの電流に依存し、VT3 トランジスタに基づいて電圧によって設定される上位 (正) レベルは実質的に変化せず、下位 (負) レベルは VT4 トランジスタの電流に依存します。生成された方形パルスは、エミッタ回路内の電流源ＶＴ７とともにトランジスタＶＴ５で作られたエミッタフォロアに供給される。

トランジスタ VT6 は、抵抗 R15 および R16 とともにツェナーダイオードの類似物を形成し、多極出力電圧を得るために必要な定数成分のレベルをシフトするように設計されています。

LED HL1 の両端の電圧降下は、トランジスタ VT7 の電流源の基準として使用されます。

出力段は、エミッタフォロワとしてのトランジスタ VT8 とその電流源としての VT9 上に構築されています。電流は約80mAです。インダクタ L1 は、エミッタ回路のインピーダンスを増加させることにより、高周波での電流源の出力インピーダンスを増加させます。ツェナーダイオード VD5 は、トランジスタ VT8 によって消費される電力を低減します。抵抗 R22 はアンプの出力インピーダンスを決定し、負荷と整合させます。

トランジスタ VT1、VT3、VT4、VT5、VT8、VT9 のベース回路内の抵抗は、アンプの寄生自励励起の発生を防止します。

アンプの入力論理レベルは、トランジスタ VT2 に基づいて基準電圧を適切に選択することで変更できますが、差動段のトランジスタが飽和していないことを確認する必要があります。

私はアンプのプリント基板を設計したわけではありません。導電層とリード線を取り外した MLT-0,25 抵抗器で作られたラックに組み立て、グラスファイバーの板にはんだ付けしました。

トランジスタを選択するときは、VT3、VT6、VT7 を除き、すべてのベース電流伝達係数のカットオフ周波数が少なくとも 900 MHz である必要があることに注意してください。トランジスタ VT7 の許容消費電力 - 200 mW 以上。熱レジームを促進するには、直径 0,5 ～ 1 mm の銅線または真鍮線をリング状に巻いたスパイラルの形でヒートシンクを本体に取り付ける必要があります [2]。

チョークL1-DM-0,6、L2およびL3-DPM-1,2。

トランジスタ VT6 のツェナーダイオードアナログの安定化電圧は約 5 V である必要があり、抵抗 R15 を選択することによって設定されます。トランジスタ VT6 の代わりに、スタビライザ KR142EN19 (TL431) を使用できます。制御出力はトランジスタのベースとして接続され、カソードはコレクタとして、アノードはエミッタとして接続されます。この場合、抵抗 R16 ではなく、抵抗 R15 を選択する必要があります。最適値は R15-R16 の比率に対応する必要があります。

出力トランジスタ VT8 および VT9 は、使用可能な面積が少なくとも 50 cm2 のヒートシンクに取り付ける必要があります。

アンプを調整するには、可変抵抗器 R2 と R3 のスライダーをスキームに従って上の位置に設定し、周波数 1 ～ 2 kHz の ESL レベルの矩形パルスを入力に供給します。抵抗 R15 を選択すると、出力に定数成分がなくなります。スキームに従って、トランジスタ VT1 と VT2 が R3 エンジンの低い位置で飽和しないようにしてください (トランジスタのコレクタの電圧は常にベース電圧より大きくなければなりません)。

アンプに 50 オームの抵抗を負荷し、周波数を約 100 kHz に上げ、オシロスコープを使用して出力パルスの形状 (パルスの先頭と立下りの急峻さ、サージの振幅、パルスの水平性) をチェックします。トップ）。

文学

Naiderov V. Z.、Golovanov A. I.、Yusupov Z. F.、Getman V. P.、Galperin E. I. マイクロ回路上の機能デバイス。 - M.: ラジオと通信、3 年、p. 3-1985.
Plotnikov V. 低電力半導体デバイス用ラジエーター。 - ラジオ、1973 年、第 7 号、27 ページ。

著者：E。マンマドフ

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