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無線電子工学および電気工学の百科事典
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LPTポート用のXNUMX台のデバイスのスイッチ。 無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典

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無線電子工学と電気工学の百科事典 / コンピューター

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この回路を使用すると、2 つのプリンタ ポートに 2 台のデバイスを接続できます。 これは、たとえば、プリンタ用の LPT ポートを介して XNUMX 台のコンピュータを接続し、プリンタもこのポートに接続する必要がある場合に便利です。

LPTポート用のXNUMXデバイススイッチ

出版物: cxem.net

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スピンメモリSTT-MRAMは、信頼性や耐久性が比較的低く、データ書き込み時の消費​​電力が比較的大きいというフラッシュメモリの欠点を解消しています。 フラッシュメモリやDRAMの代替と見られている

DSI (Data Storage Institute) と Micron Technology に代表されるシンガポールの A*STAR (Agency for Science, Technology and Research) は、スピン トルク トランスファー磁気ランダムの効果を利用したランダム アクセス磁気メモリの共同開発の継続を発表しました。アクセスメモリ、STT-MRAM)。 2011 年秋に調印された当初の XNUMX 年間の協力協定は、さらに XNUMX 年間延長されました。

A*STAR DSI の機能と STT-MRAM に関する研究所の専門知識は、Micron がシンガポールに研究センターを設立するのに役立ちました。 協力の初期段階で、研究所はSTT-MRAMチップの製造を成功させるために必要な経験も共有しました。

共同作業の成功経験に基づいて、パートナーは、低電力スイッチングメカニズムの開発と、新しいフェーズでの STT-MRAM のパフォーマンスの向上に注力する予定です。 両社は、協力によって新しいメモリ技術が商用利用に近づくことを期待しています。

STT-MRAM メモリは、信頼性と耐久性が比較的低く、データ書き込み時の消費​​電力が比較的大きいというフラッシュ メモリのような欠点がないことを思い出してください。 これは、フラッシュ メモリやランダム アクセス メモリ (DRAM) の代替品と見なすことができるような品質の組み合わせを備えています。

STT-MRAM の開発を行っているのは Micron と A*STAR だけではありません。 8 年前、東芝のスペシャリストは、世界最小の消費電力を持つ STT-MRAM メモリ要素を作成することに成功し、今年の XNUMX 月初旬に、TDK は XNUMX Mbps の密度を持つ STT-MRAM メモリ チップのプロトタイプを示しました。 昨年の春、IMEC と Globalfoundries は、STT-MRAM メモリの開発における協力の拡大を発表しました。

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