トランジスタをテストするためのプレフィックス。スキーム、説明

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トランジスタをテストするための接頭辞。無線エレクトロニクスと電気工学の百科事典

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ジャーナルの出版物から知られている測定技術でダイオードブリッジを使用するというアイデアにより、提案された記事の著者は、バイポーラおよび電界効果トランジスタのパラメータを制御するための一種のスイッチングユニットである単純なプレフィックスを開発することができました。いろんなタイプ。

このプレフィックスは、マルチリミット DC ミリ電流計および自律電源と組み合わせて使用されます。これにより、多くのパラメータを測定できます。ベース電流の固定値 (10、30、100、300 μA、1,3、10、30 mA) におけるエミッタ接地回路内のバイポーラトランジスタの静電流伝達係数。 pn接合または内蔵チャネルを備えた電界効果トランジスタの初期ドレイン電流。ドレイン・ソース間電圧の半分に等しいゲート電圧における誘導チャネルを有する電界効果トランジスタのドレイン電流。それぞれに 1 つのゲートを持つ電界効果トランジスタの特性の急峻さ。基板（ケース基板）の出力を第XNUMXゲートとして使用する場合の電界効果トランジスタの特性の急峻性。この接頭辞のアイデアは [XNUMX] から借用したものです。

セットトップボックスの概略図を図に示します。トランジスタ VT1 と抵抗 R1 ～ R8 は安定した電流源を形成し、テスト対象のバイポーラトランジスタのベース回路に電力を供給します。その出力は X1 ～ X1 ソケットに接続されます。電流値はスイッチ SA5 によって設定されます。ダイオード VD6、VD14 および抵抗 R9 は、電界効果トランジスタのソース回路のバイアスを決定します。分圧器 R10、R11、および R13 ～ R31 は、第 32 ゲート (XNUMX) と第 XNUMX ゲート (XNUMX) にバイアスを提供します。

トランジスタをテストするためのプレフィックス

最初のゲート (ソケット X5) の電圧は、ダイオード VD5、VD6 の電圧降下と等しくなければなりません。

同じ電圧が抵抗R12、R13の接続点にある必要があります。

電源電圧の極性は、バイポーラ (電界効果チャネル) トランジスタの種類に応じて、スイッチ SA2 によって設定されます。同時に、ダイオード VD1 ～ VD4 および VD7 ～ VD10 のダイオードブリッジのおかげで、テスト対象のトランジスタのベースおよびコレクタ (ドレイン) 回路の極性を切り替えることなく行うことができました。

スイッチ SA1 - ビスケット、SA2 - タイプ P2K または同様の 1 つのグループの接点を備えた 3 つのポジション。ボタン SB9-SB1 - MP4 またはその他。ダイオード VD40 ～ VD60 は、最大順電流が 30 ～ 5 mA、逆電圧が少なくとも 10 V の任意のシリコン、VD1 ～ VD30 もシリコンで、順電流が最大 1 A、逆電圧が少なくとも 4 V になるように設計されています。 7 V。ダイオード VD10 ～ VD402 および VD405 ～ VD302 は、パラメータが対応する KTs302 ～ KTs30 シリーズのブロックに置き換えることができます。強力なトランジスタをチェックする場合、またはベース電流を XNUMX mA に設定する場合、かなりの電力がトランジスタで消費されるため、トランジスタ (図に示されているものに加えて、KPXNUMXV、KPXNUMXG も使用できます) をヒートシンクに取り付ける必要があります。アタッチメントに接続された測定装置は、最大電流が数十から数百ミリアンペアのあらゆるタイプのマルチレンジです。

高出力バイポーラトランジスタを制御する場合、電源は 4 V の定電圧と最大 5 A の電流を供給する必要があります。誘導チャネルで電界効果トランジスタを制御するには、電源電圧は1 ... 9 Vである必要があるため、電源に出力電圧スイッチを取り付ける必要がありますが、ちなみに、その必要はありません。全然安定しました。

セットトップボックスのセットアップは、抵抗 R1 ～ R8 の選択から始まり、ソケット X1 と X1 の間の電流を制御し、SA10 スイッチの可動接点を適切な位置に設定します。電流が希望の電流と 10% を超えて変わらなければ、各抵抗の選択は完了です。その後、抵抗器 R13、R5 は、それらの両端の電圧がダイオード VD6、VDXNUMX の両端の電圧降下と等しいか、わずかに小さくなるような抵抗値で選択されます。

テストされたトランジスタをアタッチメントに接続しやすくするために、アタッチメントのソケットに挿入されるプラグで終わるフレキシブルリードを備えたアダプタパネルを作成する必要があります。パワートランジスタの場合、ワニ口クリップとプラグを使用して単一の導体を作成する必要があります。

制御用トランジスタを接続する前に、スイッチで構造（チャネル型）を設定し、測定限界値のミリ電流計を接続し、電源を投入する必要があります。ベース電流値 10 mA と 30 mA は、SB1 ボタンを押して測定するときのみ SA1 スイッチで設定し、ボタンを離すとミリ電流計の測定リミットが切り替わります。

バイポーラトランジスタは、次の順序でテストされます。

1. SA2を切り替えて、目的の構造（p-n-pまたはn-p-n）を設定します。

2. ミリ電流計、電源、トランジスタを適切なソケットに接続します。

3. SA1を切り替えて、必要なベース電流を設定します。

4. SB1 ボタンを押して、ミリ電流スケールでコレクタ電流を決定し、式 h21E = Ik / Ib を使用してベース電流伝達係数を計算します。

トランジスタのピン配置が不明な場合は、まずよく知られた方法で抵抗計を使用してトランジスタのベースと構造を決定する必要があります。エミッタとコレクタの結論は最大値 h21E によって決まります。

しかし、電界効果トランジスタをチェックするシーケンスは何ですか。

1. SA2 を切り替えてチャネルのタイプを設定します。

2.ミリアンメータと電源を接続します。

3. チャネル内蔵の MIS トランジスタまたは p-n 接合のあるトランジスタは、対応するソケットに接続します: ソース - ソケット X7 (「I」)、基板 (ケース-基板) - X8 (「P」)、ゲート - X5 (「31」)、ストック -cX4 (「C」)。

4. SB1 ボタンを押し、ミリ電流計の針の偏差によってドレイン電流の値を決定します。この値は、参考書に記載されている Ic パラメータに一致する必要があります。

5. ボタン SB1、SB2 を同時に押して、ドレイン電流の新しい値を決定します。

6. 式 S = lc / U に従って特性の傾きを計算します。ここで、lc は段落 4 と 5 に従って測定された電流の差、mA です。 U - 抵抗 R10 の両端の電圧降下、V。取得した値を基準データと比較します。

7. シャッター出力を X5 ソケットに接続し、サブストレート (基板ケース) 出力を XXNUMX ソケットに接続します。

8. SB1 ボタンを押してドレイン電流を決定し、次に SB1、SB2 を同時に押して新しい電流値を決定します。

9. 式 sn = Ic/u を使用して、基板に沿った傾き値を計算します。ここで、Ic は、第 8 項に従って測定された電流の差、mA です。 U - 抵抗R10の両端の電圧降下、V。

[2] では、基板 (基板本体) を第 XNUMX シャッターとして使用する問題が考慮されていますが、このパラメーターは参考書籍には記載されていません。

誘導チャネルを備えた MIS トランジスタをチェックする場合は、前の場合と同様に接続を行いますが、ゲート出力をソケット X6 (「32」) に接続します。最初に SB1 ボタンを押し、次に SB1 ボタンと SB2 ボタンを同時に押してドレイン電流を測定します。 U が抵抗 R13 の両端の電圧降下であるとして、最初のゲートの傾きの値を計算します。

基板の傾斜を決定するには、このピンをソケット X5 (31) に接続する必要があります。前のケースと同様に、最初にボタン SB1 を押し、次に SB1 と SB2 を同時に押します。その後、U を抵抗 R10 の両端の電圧降下として、勾配値が計算されます。

このタイプのトランジスタを制御する場合、最初の点に従って測定されたドレイン電流は、参考書に記載されているドレイン - ゲート特性のファミリーによって決定される電流に対応する必要があることに注意してください (Usi - 電源電圧、Usi = 0,5 Usi)。。

ダブルゲート電界効果トランジスタを制御するには、まず SA2 スイッチでチャネルタイプを設定し、次にソース、最初のゲート、1 番目のゲート、ドレインの順序でトランジスタ出力をコンソールに接続する必要があります。ボタン SB1、SB2 と SB1 を同時に押し、SB3 と SBXNUMX を同時に押して操作することにより、ドレイン電流を測定し、ゲートスロープの値を計算します。このようなトランジスタのチェックは、エンリッチメントモードでのみ可能です。

文学

Dolgov O. トランジスタのベース電流伝達係数計。 - ラジオ、1997 年、No. 1、p. 38.
ボチャロフL.N. 電界効果トランジスタ。 -M .:エネルギー、1976年。

著者：V.Kalendo、ミンスク、ベラルーシ

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