無料の本をダウンロード電磁的背景と人間への影響. Protasevich E.T.、2004

労働保護、電気安全、防火に関する本

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電磁的背景とその人への影響。プロタセビッチE.T.、2004年.

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このチュートリアルでは、電磁界に関する一般的な情報を提供します。電磁バックグラウンド成分の分類、生物学的物体の物理場、および電磁波の生物学的活動に関する現代的な考え方。建物内での HF およびマイクロ波範囲の電波の伝搬の特徴、および人員と公衆を電波被ばくから保護する問題が開示されています。教科書は、環境と生物圏全体の保護における、作業領域での人の保護（人員の保護）を扱う学問分野「エコロジー」と「生命の安全」のセクションに対応しています。学生、大学院生向けに設計されています。教師や研究者、労働保護部門、企業や組織の環境部門の従業員。

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科学技術の最新ニュース、新しい電子機器：

庭の花の間引き機 02.05.2024

現代の農業では、植物の世話プロセスの効率を高めることを目的とした技術進歩が進んでいます。収穫段階を最適化するように設計された革新的な Florix 摘花機がイタリアで発表されました。このツールには可動アームが装備されているため、庭のニーズに簡単に適応できます。オペレーターは、ジョイスティックを使用してトラクターの運転台から細いワイヤーを制御することで、細いワイヤーの速度を調整できます。このアプローチにより、花の間引きプロセスの効率が大幅に向上し、庭の特定の条件や、そこで栽培される果物の種類や種類に合わせて個別に調整できる可能性が得られます。 2 年間にわたりさまざまな種類の果物で Florix マシンをテストした結果、非常に有望な結果が得られました。フロリックス機械を数年間使用しているフィリベルト・モンタナリ氏のような農家は、花を摘むのに必要な時間と労力が大幅に削減されたと報告しています。 ... >>

最先端の赤外線顕微鏡 02.05.2024

顕微鏡は科学研究において重要な役割を果たしており、科学者は目に見えない構造やプロセスを詳しく調べることができます。ただし、さまざまな顕微鏡法には限界があり、その中には赤外領域を使用する場合の解像度の限界がありました。しかし、東京大学の日本人研究者らの最新の成果は、ミクロ世界の研究に新たな展望をもたらした。東京大学の科学者らは、赤外顕微鏡の機能に革命をもたらす新しい顕微鏡を発表した。この高度な機器を使用すると、生きた細菌の内部構造をナノメートルスケールで驚くほど鮮明に見ることができます。通常、中赤外顕微鏡は解像度が低いという制限がありますが、日本の研究者による最新の開発はこれらの制限を克服します。科学者によると、開発された顕微鏡では、従来の顕微鏡の解像度の 120 倍である最大 30 ナノメートルの解像度の画像を作成できます。 ... >>

昆虫用エアトラップ 01.05.2024

農業は経済の重要な分野の 1 つであり、害虫駆除はこのプロセスに不可欠な部分です。インド農業研究評議会 - 中央ジャガイモ研究所 (ICAR-CPRI) シムラーの科学者チームは、この問題に対する革新的な解決策、つまり風力発電の昆虫エアトラップを考案しました。このデバイスは、リアルタイムの昆虫個体数データを提供することで、従来の害虫駆除方法の欠点に対処します。このトラップは風力エネルギーのみで駆動されるため、電力を必要としない環境に優しいソリューションです。そのユニークな設計により、有害な昆虫と有益な昆虫の両方を監視することができ、あらゆる農業地域の個体群の完全な概要を提供します。「対象となる害虫を適切なタイミングで評価することで、害虫と病気の両方を制御するために必要な措置を講じることができます」とカピル氏は言います。 ... >>

アーカイブからのランダムなニュース

高速スイッチングデバイス用高電圧MOSFET 12.04.2016

株式会社東芝の欧州エレクトロニクス部門である東芝エレクトロニクスヨーロッパ (TEE) は、スイッチング電圧レギュレータ用の高速高電圧 MOSFET の新しいシリーズを発表しました。

800 つの 900V および 1,9V n チャネルデバイスは、5 オームまでの低い標準オン状態抵抗 (RDS(ON)) を特長としています。新しいデバイスのターゲットアプリケーションは、LED 照明用のフライバックコンバータ、補助電源、および XNUMXA 未満のスイッチング電流を必要とするその他の回路です。

新しいエンハンスメントモード MOSFET は、東芝の第 8 世代 Pi-MOS-XNUMX プレーナ半導体製造プロセスを使用して製造され、高レベルの統合と最適化されたセル構造を組み合わせています。この技術は、低 RDS(ON) の利点を失うことなく、ゲート電荷と静電容量を低減します。

東芝は、これらの MOSFET を、DTMOS800 スーパージャンクション技術を備えた既存の 4V DTMOS IV シリーズに追加する低電流として想定しています。 TK3A90E 2,5A および TK5A90E 4,5A トランジスタの VDSS 定格は 900V で、標準 RDS(ON) 定格はそれぞれ 3,7 オームおよび 2,5 オームです。 4A TK80A4,0E および 5A TK80A5,0E トランジスタの VDSS 定格は 800V で、標準 RDS(ON) 定格はそれぞれ 2,8 オームおよび 1,9 オームです。

東芝の新しい MOSFET は、わずか 10µA (VDS = 60V) の超低最大リーク電流と 2,5 ～ 4,0V のゲート電圧しきい値範囲 (VDS = 10V および 0,4mA ドレイン電流) を特長としています。すべてのデバイスは、標準フォームファクタの TO-220SIS ケースで出荷されます。

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