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国、民族、言語 / 世界の国々 / 北アメリカおよび中央アメリカの州の首都

(4)

ROSO - ドミニカ

(5)

NASSO - バハマ

(6)

バスター-セントキッツ島とペビス島

ハバナ-キューバ

カストリーズ - セントルシア

メキシコシティ-メキシコ

オタワ - カナダ

パナマ - パナマ

プリマス-モントセラト（イギリス）

(7)

マナグア - ニカラグア

(8)

キングストン-ジャマイカ

(9)

ベルモパン - ベリーズ

ブリッジタウン-バルバドス

ワシントン - アメリカ合衆国

ハミルトン - バミューダ

グアテマラ - グアテマラ

キングストゥーン - セントビンセントおよびグレナディーン諸島

(10)

ウィレムスタッド - アンティル (オランダ)

ジョージタウン - ケイマン諸島 (英国)

(12)

テグシガルパ - ホンジュラス

クロスワードパズルを解くための単語検索：

不明な各文字を*に置き換えます。たとえば、dog * ka、* oshka、we**a。ペアе--ёと--йは同等です。

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プレミアムセネカキーボード 05.05.2024

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世界一高い天文台がオープン 04.05.2024

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エルピーダによる抵抗性メモリのプロトタイプ 03.02.2012

世界第 XNUMX 位のメモリメーカーであるエルピーダは、抵抗性メモリのプロトタイプを発表しました。このデバイスは比類のないものであり、DRAM の速度と NAND の不揮発性を組み合わせて、あらゆる場所で使用されている容量性メモリよりも多くの利点があります。

ノベルティの正式名称は「高速不揮発性抵抗性ランダムアクセスメモリ（ReRAM）」です。メモリは 50 ナノメートルのプロセス技術で作られ、ここでのセル密度はアレイあたり 64 Mbps です。エルピーダ、シャープのほか、東京大学、国立研究開発法人科学技術総合研究所が開発に参加。

抵抗性メモリは、コンピュータ技術の発展における新しい段階であると多くの人に考えられています。この技術の本質は、電圧変化の影響下で電気抵抗を変化させる特殊な材料を使用することです。各セルがコンデンサであり、頻繁な再充電が必要な DRAM とは異なり、ここではエネルギー源に関係なく情報を保存できます。提示された ReRAM プロトタイプの書き込み速度は 10 ns で、DRAM の書き込み速度とほぼ同じです。

同社はこの方向の研究を継続するだけでなく、2013 年までに連続生産を開始する予定ですが、すでに 30 ナノメートルのプロセス技術を使用しています。

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