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ロブソン - ロッキー山脈

ELBERT - ロッキー山脈

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ミッチェル - アパラチアン

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CHORRERAS - シエラ・マドレを越えて

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ワディントン - コーストレンジ

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光信号を制御および操作する新しい方法 05.05.2024

現代の科学技術は急速に発展しており、日々新しい手法や技術が登場し、さまざまな分野で新たな可能性を切り開いています。そのような革新の 1 つは、ドイツの科学者による光信号を制御する新しい方法の開発であり、これはフォトニクス分野での大きな進歩につながる可能性があります。最近の研究により、ドイツの科学者は石英ガラス導波管内に調整可能な波長板を作成することができました。液晶層の使用に基づくこの方法により、導波路を通過する光の偏光を効果的に変化させることができる。この技術的進歩により、大量のデータを処理できるコンパクトで効率的なフォトニックデバイスの開発に新たな展望が開かれます。新しい方法によって提供される偏光の電気光学制御は、新しいクラスの集積フォトニックデバイスの基礎を提供する可能性があります。これにより、次のような大きな機会が開かれます ... >>

プレミアムセネカキーボード 05.05.2024

キーボードは、私たちの毎日のコンピューター作業に不可欠な部分です。ただし、ユーザーが直面する主な問題の 1 つは、特にプレミアムモデルの場合、騒音です。しかし、Norbauer & Co の新しい Seneca キーボードでは、状況が変わるかもしれません。 Seneca は単なるキーボードではなく、完璧なデバイスを作成するための 5 年間の開発作業の成果です。このキーボードは、音響特性から機械的特性に至るまで、あらゆる側面が慎重に考慮され、バランスがとられています。 Seneca の重要な機能の 1 つは、多くのキーボードに共通するノイズの問題を解決するサイレントスタビライザーです。さらに、キーボードはさまざまなキー幅をサポートしているため、あらゆるユーザーにとって便利です。 Seneca はまだ購入できませんが、夏の終わりにリリースされる予定です。 Norbauer & Co の Seneca は、キーボード設計の新しい標準を表します。彼女 ... >>

世界一高い天文台がオープン 04.05.2024

宇宙とその謎の探索は、世界中の天文学者の注目を集める課題です。都会の光害から遠く離れた高山の新鮮な空気の中で、星や惑星はその秘密をより鮮明に明らかにします。世界最高峰の天文台、東京大学アタカマ天文台の開設により、天文学の歴史に新たなページが開かれています。アタカマ天文台は海抜 5640 メートルに位置し、天文学者に宇宙研究の新たな機会をもたらします。この場所は地上望遠鏡の最高地点となり、研究者に宇宙の赤外線を研究するためのユニークなツールを提供します。高地にあるため空はより澄み、大気からの干渉も少なくなりますが、高山に天文台を建設することは多大な困難と課題を伴います。しかし、困難にもかかわらず、新しい天文台は天文学者に研究のための広い展望をもたらします。 ... >>

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CeRAM不揮発性メモリの開発 06.02.2014

フラッシュメモリや従来の抵抗メモリ (ReRAM) よりも優れた拡張性とパフォーマンスを実現できる革新的な不揮発性メモリテクノロジが、プロセッサアーキテクチャの大手である ARM Holdings の関心を集めています。 CeRAMメモリ（相関電子RAM、相関電子を持つメモリ）は、Symetrixによって積極的に推進されています。一方、ARM は彼女の研究をサポートしています。

Symetrix、ARM、コロラド大学、テキサス大学は、CeRAM メモリ研究プロジェクトに参加しています。プロジェクトの具体的な目標、期間、予算は発表されていませんが、研究参加者である Araujo 教授 (Araujo) は、Symetrix が原子間力顕微鏡を使用して CeRAM デバイスに関する重要なデータをすぐに受け取ると述べました。 5nmと小さい。このデータは、デバイスの「新しいスイッチング」特性を示す必要があります。

ReRAM や CeRAM などの技術が精力的に研究されているのは、フラッシュメモリがその技術的障壁に近づいており、10 ～ 20 nm 未満の製造プロセスを使用してデバイスを開発することが非常に困難になるという事実によって説明されます。したがって、業界は根本的に新しい開発を必要としています。 ReRAMに関しては、研究者はこの技術の開発において多くの障壁に直面しています。 ReRAM メモリの上部電極と下部電極の間の絶縁層におけるいわゆる導電性スレッドの形成と破壊の物理的プロセスを理解することは困難であることが証明されており、それなしでは前進することは困難です。

ReRAM とは異なり、CeRAM は NiO などの同じ遷移金属酸化物 (TMO) を使用する抵抗メモリですが、フィラメントや電鋳は使用しません。代わりに、CeRAM は電子位置相関の量子効果を示します。これがその名前の由来です。 CeRAM構造では、TMO活性領域が区別され、XNUMXつの導電性TMO層を分離しますが、ReRAMでは、遷移金属酸化物が金属層の間の領域全体を占めています。

TMO には、金属と絶縁体の接合部を通過する不完全な 3d または 4d 原子シェルがあります。 NiO の場合、絶縁状態を記録するには 0,6 V の電圧で十分であり、導電状態を記録するには 1,2 V で十分です。従来の ReRAM のように、熱力学的な相転移は必要ありません。

CeRAM メモリセルのスイッチング速度は数十フェムト秒に達し、読み取り時の電源電圧はわずか 0,1 ～ 0,2 V 程度です。400 ℃ まで加熱してもメモリの状態は安定しています。

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